标签: pulse

TMS320x2833x,2823xHighResolutionPulseWidthModulator(HRPWM)RG(Rev.B).pdf

TMS320x2833x,2823xEnhancedPulseWidthModulator(ePWM)ReferenceGuide(Rev.A).pdf

脉冲负载分析PulseLoadHandlingforFixedLinearResistors.pdf

MITRadiationLaboratoryPulseGenerators.pdf

ANewSwitchingStrategyforPulseWidth.pdf

TheActivepulsemodulatedTransducer(AT).pdf

FPGAhighefficiencylownoisepulsefrequencyspacevectormodulationPartI(xilinx)

DigitalPulseWidthModulatorArchitectures

AnalysisandFPGARealizationofaPulseWidthModulatorBasedonVoltageSpaceVectors

全志方案在消费类电子占有很大的市场，随着产品的不断升级优化，全志方案不仅仅在安卓平板，视频监控、广告应用等领域崭露头角，本人收集些有关全志方案的开发资料，希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。

PULSE入门手册与常见问题解答

PULSE电声操作手册，了解一些电声元器件如何测试

   Theprogrammeasuresapulsewidthusinga16-bittimerineventcountermodewithan8-bittimer.Itcanmeasurethehigh-levelwidthofanexternalpulse.……

AutomotiveLinearRegulatorsMinimizeQuiescentCurrent……

电流变压器作为电压变压器使用，可替代作为测试配件出售的注入变压器，赢得更高的成本效益。……

ThisapplicationnoteshowshowtouseTimerType2onaMAXQ2000microcontrollertogeneratePulseWidthModulation(PWM)waveforms.ItalsodiscussesissuesthatshouldbeconsideredwhenusingTimerType2forPWMgeneration.……

h8/520……

摘要：如果应用中是在完成系统部署后写入EPROM器件，此时需要对5V器件提供过压保护。本文介绍如何在同一总线上使用1-WireEPROM和5V1-Wire器件，以及如何保护5V器件不受编程脉冲的冲击。为5V1-Wire从器件提供过压保护BernhardLinke,首席技术专家Mar01,2012摘要：如果应用中是在完成系统部署后写入EPROM器件，此时需要对5V器件提供过压保护。本文介绍如何在同一总线上使用1-WireEPROM和5V1-Wire器件，以及如何保护5V器件不受编程脉冲的冲击。引言大多数1-Wire器件工作在2.8V至5.25VVPUP，进行读、写操作。EPROM器件(包括DS2406、DS2502、DS1982、DS2505和DS1985)需要12V编程脉冲进行写操作。而编程脉冲对于不能承受5.5V以上电压的器件构成了过压威胁。因此，如果应用中需要在完成系统部署之后写入EPROM器件，则要对5V器件进行保护(图1)。本文电路具有高达40V的正向过压保护，在电压高于12VEPROM编程脉冲的条件下提供系统防护。图1.包含5V和12V器件的1-Wire总线保护电路要求合适的保护电路需要满足以下几项要求：对1-Wire总线形成非常低的负载不妨碍1-WireEPROM编程适当保护5V1-Wire器件维持完整的通信信号幅值此外，最好采用常用的低成本元件构建保护电路。基本原理图2所示为非常简单的保护电路。齐纳二极管U1限制Q1的栅极电压，R1限制通过U1的电流。Q1为n沟道MOSFET，配制成源极跟随器，栅极电压减去一个小的偏移电压后达到1-Wire从器件的IO电压。为维持完整的通信信号幅值，偏移电压应尽可能低。具有负偏压的耗尽型MOSFET非常适合这一应用。对SupertexDN3135进行测试，测得其偏压为-1.84V(数据资料参数VGS(OFF))。由此，要求栅极电压VG为3.16V，决定了U1的……

摘要：如果应用中是在完成系统部署后写入EPROM器件，此时需要对5V器件提供过压保护。本文介绍如何在同一总线上使用1-WireEPROM和5V1-Wire器件，以及如何保护5V器件不受编程脉冲的冲击。为5V1-Wire从器件提供过压保护BernhardLinke,首席技术专家Mar01,2012摘要：如果应用中是在完成系统部署后写入EPROM器件，此时需要对5V器件提供过压保护。本文介绍如何在同一总线上使用1-WireEPROM和5V1-Wire器件，以及如何保护5V器件不受编程脉冲的冲击。引言大多数1-Wire器件工作在2.8V至5.25VVPUP，进行读、写操作。EPROM器件(包括DS2406、DS2502、DS1982、DS2505和DS1985)需要12V编程脉冲进行写操作。而编程脉冲对于不能承受5.5V以上电压的器件构成了过压威胁。因此，如果应用中需要在完成系统部署之后写入EPROM器件，则要对5V器件进行保护(图1)。本文电路具有高达40V的正向过压保护，在电压高于12VEPROM编程脉冲的条件下提供系统防护。图1.包含5V和12V器件的1-Wire总线保护电路要求合适的保护电路需要满足以下几项要求：对1-Wire总线形成非常低的负载不妨碍1-WireEPROM编程适当保护5V1-Wire器件维持完整的通信信号幅值此外，最好采用常用的低成本元件构建保护电路。基本原理图2所示为非常简单的保护电路。齐纳二极管U1限制Q1的栅极电压，R1限制通过U1的电流。Q1为n沟道MOSFET，配制成源极跟随器，栅极电压减去一个小的偏移电压后达到1-Wire从器件的IO电压。为维持完整的通信信号幅值，偏移电压应尽可能低。具有负偏压的耗尽型MOSFET非常适合这一应用。对SupertexDN3135进行测试，测得其偏压为-1.84V(数据资料参数VGS(OFF))。由此，要求栅极电压VG为3.16V，决定了U1的……

Abstract:Thistutorialdiscussesthedifferenttypesofpulseoximetersincludingopticalandreflectivetechniquesandthedesignconsiderationstakenwhenbuildinghigh-endportablebedsidemonitorsormidandlow-endbattery-poweredmodels.Thediscussioncoverslightabsorption,sensorcalibration,anddetailsspecificswithinthetransmitpathleadingtoin-depthdiscoveryofphotodiode,interface,signalconversion,anddataconversioncharacteristics.Afunctionalblockdiagramandpartrecommendationsarealsoincluded.Maxim>DesignSupport>TechnicalDocuments>Tutorials>1-WireDevices>APP4671Maxim>DesignSupport>TechnicalDocuments>Tutorials>AmplifierandComparatorCircuits>APP4671Maxim>DesignSupport>TechnicalDocuments>Tutorials>Microcontrollers>APP4671Keywords:pulseoximetry,pulseox,pulsemonitor,oxygenation,patientmonitorJun21,2010TUTORIAL4671ImproveSensorPerformanceandSNRinPulseOximeterDesignsBy:JohnDiCristinaJun21,2010Abstract:Thistutorialdiscussesthedifferenttypesofpulseoximetersincludingopticalandreflectivetechniquesandthedesignconsiderationstakenwhenbuildinghigh-endportablebedsidemo……