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第1章引言1.1崛起的CMOS工艺制程技术1.1.1双极型工艺制程技术简介1.1.2PMOS工艺制程技术简介1.1.3NMOS工艺制程技术简介1.1.4CMOS工艺制程技术简介1.2特殊工艺制程技术1.2.1BiCMOS工艺制程技术简介1.2.2BCD工艺制程技术简介1.2.3HV-CMOS工艺制程技术简介1.3 MOS集成电路的发展历史1.4MOS器件的发展和面临的挑战参考文献第2章先进工艺制程技术2.1应变硅工艺技术2.1.1应变硅技术的概况2.1.2应变硅技术的物理机理2.1.3源漏嵌入SiC应变技术2.1.4源漏嵌入SiGe应变技术2.1.5 应力记忆技术2.1.6接触刻蚀阻挡层应变技术2.2HKMG工艺技术2.2.1栅介质层的发展和面临的挑战2.2.2衬底量子效应2.2.3多晶硅栅耗尽效应2.2.4等效栅氧化层厚度2.2.5栅直接隧穿漏电流2.2.6高介电常数介质层2.2.7HKMG工艺技术2.2.8金属嵌入多晶硅栅工艺技术2.2.9金属替代栅极工艺技术2.3SOI工艺技术2.3.1SOS技术2.3.2SOI技术2.3.3PD-SOI2.3.4FD-SOI2.4FinFET和UTB-SOI工艺技术2.4.1FinFET的发展概况2.4.2FinFET和UTB-SOI的原理2.4.3FinFET工艺技术参考文献第3章工艺集成3.1隔离技术3.1.1pn结隔离技术3.1.2LOCOS（硅局部氧化）隔离技术3.1.3STI（浅沟槽）隔离技术3.1.4LOD效应3.2硬掩膜版工艺技术3.2.1硬掩膜版工艺技术简介3.2.2硬掩膜版工艺技术的工程应用3.3漏致势垒降低效应和沟道离子注入3.3.1漏致势垒降低效应3.3.2晕环离子注入3.3.3浅源漏结深3.3.4倒掺杂阱3.3.5阱邻近效应3.3.6反短沟道效应3.4热载流子注入效应和轻掺杂漏（LDD）工艺技术3.4.1热载流子注入效应简介3.4.2双扩散漏（DDD）和轻掺杂漏（LDD）工艺技术3.4.3侧墙（SpacerSidewall）工艺技术3.4.4轻掺杂漏离子注入和侧墙工艺技术的工程应用3.5 金属硅化物技术3.5.1Polycide工艺技术3.5.2Salicide工艺技术3.5.3SAB工艺技术3.5.4SAB和Salicide工艺技术的工程应用3.6静电放电离子注入技术3.6.1静电放电离子注入技术3.6.2静电放电离子注入技术的工程应用3.7金属互连技术3.7.1接触孔和通孔金属填充3.7.2铝金属互连3.7.3铜金属互连3.7.4阻挡层金属参考文献第4章工艺制程整合4.1亚微米CMOS前段工艺制程技术流程4.1.1衬底制备4.1.2双阱工艺4.1.3有源区工艺4.1.4LOCOS隔离工艺4.1.5阈值电压离子注入工艺4.1.6栅氧化层工艺4.1.7多晶硅栅工艺4.1.8轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺4.1.9侧墙工艺4.1.10源漏离子注入工艺4.2亚微米CMOS后段工艺制程技术流程4.2.1ILD工艺4.2.2接触孔工艺4.2.3金属层1工艺4.2.4IMD1工艺4.2.5通孔1工艺4.2.6金属电容（MIM）工艺4.2.7金属2工艺4.2.8IMD2工艺4.2.9通孔2工艺4.2.10顶层金属工艺4.2.11钝化层工艺4.3深亚微米CMOS前段工艺技术流程4.3.1衬底制备4.3.2有源区工艺4.3.3STI隔离工艺4.3.4双阱工艺4.3.5栅氧化层工艺4.3.6多晶硅栅工艺4.3.7轻掺杂漏（LDD）离子注入工艺4.3.8侧墙工艺4.3.9源漏离子注入工艺4.3.10HRP工艺4.3.11Salicide工艺4.4深亚微米CMOS后段工艺技术4.5纳米CMOS前段工艺技术流程4.6纳米CMOS后段工艺技术流程4.6.1ILD工艺4.6.2接触孔工艺4.6.3IMD1工艺4.6.4金属层1工艺4.6.5IMD2工艺14.6.6通孔1和金属层2工艺4.6.7IMD3工艺4.6.8通孔2和金属层3工艺4.6.9IMD4工艺4.6.10顶层金属Al工艺4.6.11钝化层工艺、参考文献第5章晶圆接受测试（WAT）5.1WAT概述5.1.1WAT简介5.1.2WAT测试类型5.2MOS参数的测试条件5.2.1阈值电压Vt的测试条件5.2.2饱和电流Idsat的测试条件5.2.3漏电流Ioff的测试条件5.2.4源漏击穿电压BVD的测试条件5.2.5衬底电流Isub的测试条件5.3栅氧化层参数的测试条件5.3.1电容Cgox的测试条件5.3.2电性厚度Tgox的测试条件5.3.3击穿电压BVgox的测试条件5.4寄生MOS参数测试条件5.5pn结参数的测试条件5.5.1电容Cjun的测试条件5.5.2击穿电压BVjun的测试条件5.6方块电阻的测试条件5.6.1NW方块电阻的测试条件5.6.2PW方块电阻的测试条件5.6.3Poly方块电阻的测试条件5.6.4AA方块电阻的测试条件5.6.5金属方块电阻的测试条件5.7接触电阻的测试条件5.7.1AA接触电阻的测试条件5.7.2Poly接触电阻的测试条件5.7.3金属通孔接触电阻的测试条件5.8隔离的测试条件5.8.1AA隔离的测试条件5.8.2Poly隔离的测试条件5.8.3金属隔离的测试条件5.9电容的测试条件5.9.1电容的测试条件5.9.2电容击穿电压的测试条件

本书内容包括AnsoftHFSS软件的微波工程基础和计算方法原理、使用技巧和工程应用指南。本书内容由5章组成。第1章介绍了微波技术的基本理论和基础知识;第2章讲述了电磁场有限元方法的基本原理;第3章对软件的界面、使用方法作了简单介绍;第4章详细给出了AnsoftHFSS的计算原理与使用技巧:第5章通过大量的工程实例使读者能够熟练掌握AnsoftHFSS软件,对于实际主理问题给出正确的仿真解决方案。

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