标签: c-v测量

电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构AGREATERMEASUREOFCONFIDENCE一极，二氧化硅是绝缘层。由于绝缘层下面的衬底是一种半导体材料，因此它本身并不是电容的另一极。实际上，其中的多数载流子是电容的另一极。物理上而言，电容C可以通过下半导体C-V测量基础列公式中的变量计算出来：C=A(κ/d),其中……