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运算放大器的稳定性(六)：电容性负载稳定性——RISO、高增益及CF、噪声增益运算放大器稳定性第6部分（共15部分）电容性负载稳定性：RISO、高增益及CF、噪声增益作者：TimGreen，德州仪器本系列的第六部分是新《电气工程》杂志(ElectricalEngineering)中“保持容性负载稳定的六种方法”栏目的开篇。这六种方法是RISO、高增益及CF、噪声增益、噪声增益及CF、输出引脚补偿(OutputPinCompensation)，以及具有双通道反馈的RISO。本部分将侧重于讨论保持运算放大器输出端容性负载稳定性的前三种方法。第7和第8部分将详细探讨其余三种方法。我们将采用稳定性分析工具套件中大家都非常熟悉的工具来分析每种方法，并使用一阶分析法来进行描述。该描述方法是：通过TinaSPICE环路稳定仿真进行相关确认；通过TinaSPICE中的VOUT／VINAC传递函数分析来进行检验；最后采用TinaSPICE进行全面的实际瞬态稳定性测试(TransientRealWorldStabilityTest)。在过去长达23年中，我们在真实环境以及实际电路情况下进行了大量测算，充分验证了这些方法的有效性。然而，由于资源的限制，本文所述电路并未进行实际制作，在此仅供读者练习或在自己的特定应用（如分析、合成、仿真、制作以及测试等）中使用。运算放大器示例与RO计算在本部分中，用于稳定性示例的器件将是一种高达+/40V的高电压运算放大器OPA452。这种“功能强大的运算放大器”通常用于驱动压电致动器(piezoactuator)，正如您可能已经猜到的那样，该致动器大多为纯容性的。该放大器的主要参数如图6.1所示。图中未包含小信号AC开环输出阻抗RO这一关键参数，在驱……

高增益大功率放大器高增益大功率放大器（一）功率放大器是很重要的一个部分，它的基本要求有：1.要求输出功率尽可能大；为了获得大的输出功率，要求输出电压和输出电流均有较大的幅度，即三极管处于大信号状态（往往在接近截止区与饱和区之间摆动），因此晶体管在尽限应用。选择功放管时要保留一定的余量。不得超越极限参数进入安全区，以保证功放管安全可靠的工作。2.非线性失真要小；功率放大器是在大信号下工作的，所以不可避免要产生非线性失真，而且同一功放管输出功率越大，非线性失真越严重，就使得输出功率与非线性失真成为一对主要矛盾。3.效率要高；由于功率放大器的输出功率大，因此直流电源消耗的功率也大，就存在一个效率问题。所谓效率就是最大交流功率P0与电源供给的支流功率Pe的比值，即:η=P0/Pe，比值越大，放大器的效率就越高。4.要充分考虑功放管的散热；在功率放大器中，电源供给的直流功率，一部分转换成负载有用的功率，而另一部分则成为功放管的损耗，使功放管发热，热的积累将导致晶体管性能恶化，甚至烧坏，为使管子输出足够大的功率，还要保证管子安全可靠的工作，因此管子的散热及防止击穿等问题应特别给予考虑。[pic]（二）微波功率晶体管的性能参数1.极限工作电压、结击穿电压和最高工作电压；极限工作电压（Vc）是指发生下列三种情况之一的最小电压值：P-N结发生击穿，或甚至完全损坏；晶体管的参数发生显著的变化，以至暂时丧失工作能力；管子的参数发生缓慢的，而不是不可恢复的变化。结击穿电压Vb（极电结或发射结击穿电压，这里统称为结击穿电压）是指极电结或发射结在加有反向……

高增益CMOS全差分运放的研究和设计,高增益CMOS全差分运放的研究和设计[1]……

高增益大功率放大器---经典高增益大功率放大器（一）功率放大器是很重要的一个部分，它的基本要求有：1.要求输出功率尽可能大；为了获得大的输出功率，要求输出电压和输出电流均有较大的幅度，即三极管处于大信号状态（往往在接近截止区与饱和区之间摆动），因此晶体管在尽限应用。选择功放管时要保留一定的余量。不得超越极限参数进入安全区，以保证功放管安全可靠的工作。2.非线性失真要小；功率放大器是在大信号下工作的，所以不可避免要产生非线性失真，而且同一功放管输出功率越大，非线性失真越严重，就使得输出功率与非线性失真成为一对主要矛盾。3.效率要高；由于功率放大器的输出功率大，因此直流电源消耗的功率也大，就存在一个效率问题。所谓效率就是最大交流功率P0与电源供给的支流功率Pe的比值，即:η=P0/Pe，比值越大，放大器的效率就越高。4.要充分考虑功放管的散热；在功率放大器中，电源供给的直流功率，一部分转换成负载有用的功率，而另一部分则成为功放管的损耗，使功放管发热，热的积累将导致晶体管性能恶化，甚至烧坏，为使管子输出足够大的功率，还要保证管子安全可靠的工作，因此管子的散热及防止击穿等问题应特别给予考虑。[pic]（二）微波功率晶体管的性能参数1.极限工作电压、结击穿电压和最高工作电压；极限工作电压（Vc）是指发生下列三种情况之一的最小电压值：P-N结发生击穿，或甚至完全损坏；晶体管的参数发生显著的变化，以至暂时丧失工作能力；管子的参数发生缓慢的，而不是不可恢复的变化。结击穿电压Vb（极电结或发射结击穿电压，这里统称为结击穿电压）是指极电结或发射结在加有反向……

高增益MMDS发射天线的设计与应用第21卷第4期2001年12月桂林电子工业学院学报JOURNALOFGUILININSTITUTEOFELECTRONICTECHNOLOGY.21,No.4VolDec.2001高增益MMDS发射天线的设计与应用刘扬清(桂林漓江无线电厂,广西桂林541004)Ξ摘要:以带金属面反射器的对称振子为基本单元,研究设计出满足辐射方向图要求的阵单元模型,同时研究了利用这些阵单元模型组成垂直极化线天线阵的阵列结构参数,并对馈电网络进行详细的研究,设计出满足各种辐射方向图和增益要求的发射天线,以适应不同MMDS系统应用要求,这些天线在实际应用中取得了很好的效果。关键词:MMDS发射天线;对称振子;线阵中图分类号:TN827+.1文献标识码:A文章编号:100127437(2001)04214204引言多路微波分配服务系统(MMDS系统)在全球范围内广泛应用。发射天线是MMDS系统中关键的组成部分(天线的频率范围为2.5-2.7GHz),发射天线的选用是否合适,将直接影响到整个系统的性能、造价和服务质量等问题。尤其在我国广大城乡地区,地形地势十分复杂,在不同的地区,MMDS系统将采用能满足相应要求的覆盖方向图、增益和极化方式的发射天线,只用这样才能获得最高的性能价格比。本文重点讨论垂直极化方式的发射天线在H面上不同辐射方向图的实现以及天线研制的关键技术。属面宽为2a,振子与金属面间距为dp.当2a较大(如)时,可假设反射器为无限大平面,近似用镜像≥0.5Κ法进行计算[1]……