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静电冲击ESD的危害和相应的电路防护措施静电冲击ESD的危害和相应的电路防护措施李勇军静电冲击ESD对电子设备的危害极大欧洲从1996年就开始对电子设备抗静电冲击的能力提出了标准未达标的产品在欧洲很难销售半导体芯片制造商对ESD问题也倾注了很高的热情对于那些与外界有接口的电路或芯片如RS-232RS-485串行接口模拟开关等ICESD问题更显得重要本文将讨论ESD的来源造成的危害和相应的防护措施以及如何测试集成电路的防静电冲击能力ESD的来源及其危害两种不同的材料进行摩擦后可能一个带上正电荷另一个带上负电荷两者之间产生一定的电压差电压的大小取决于材料的性质空气的干燥度和其它一些因素如果带静电的物体靠近一个接地的导体会产生强烈的瞬间放电这就是静电冲击ElectroStaticDischarge一般来讲带静电的物体在理论上可以简单模拟成一个被充电到很高电压的小电容当集成电路IC经受ESD时放电回路的电阻通常都很小无法限制放电电流例如将带静电的电缆插到电路接口上时放电回路的电阻几乎为零造成可高达几十安培的瞬间放电尖峰电流流入相应的IC管脚瞬间大电流会严重损伤IC局部发热的热量甚至会融化硅片管芯ESD对IC的损伤一般还包括内部金属连接被烧断钝化层被破坏晶体管单元被烧坏ESD还会引起IC的死锁LATCHUP这种效应和CMOS器件内部的类似可控硅的结构单元被激活有关高电压可激活这些结构形成大电流通道一般是从VCC到地串行接口器件的锁死电流可高达1安培锁死电流会一直保持直到器件被断电不过到那时IC通常早已因过热而烧毁了对串行接口器件来说ESD会使IC工作不正常通讯出现误码严重的会彻底损坏为分析故障现象MAX……