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    时间: 2020-1-13 18:44
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    上传者: 16245458_qq.com
    微波器件电路的噪声描述噪声模型及噪声测量微波器件一电路的噪声描述噪声模型及噪声测量概述一线性电路中的噪声在一个传输系统中任何不希望的信号都可以称为噪声噪声大致可以分为自然噪声和人为噪声人为噪声主要来自电器设备例如电动机问题开关等自然噪声是指宇宙辐射大气噪声以及所熟悉的电子电路噪声在电子系统中噪声是一个重要的问题因为它限制了任何测量的精确度及电子方法能够处理的信号的大小[1]电路噪声有热噪声散弹噪声产生复合噪声1/f噪声和爆裂噪声等其产生的原因各不相同[2]物理学家最先对噪声进行了深入的研究1827年Brown观察到了一个物理系统平衡状态下的波动从此噪声的存在引起了广泛的关注本世纪初通信工程中应用Einstein和其他人定义的一些噪声量来解决噪声问题四十年代BurgessNorth和Friss提出了噪声系数NoiseFigure的基本概念[3]后来此概念又被其他人进行了拓展Goldberg证明了通过不匹配阻抗来降低NF的可能性Haus和Adler对负源电阻的最佳接收机设计进行了分析NF仅仅是一个人为的定义的参数并不是一个由明确的假设或是自然定律前提下推导出来的物理量所以NF是有局限性的一个概念为此HarrisMcCurleyBlake和Norton对于NF更加宽广意义上的定义进行了研究但目前研究仍是基于IEEE一些标准中对噪声系数的定义二端口的噪声特性和相互的合并也是基于这些标准这些理论都可以扩展到N端口情况获得的结论可以作为组建低噪声电路的设计工具在设计的过程中可以应用StruttvanderZielBennet在电子管噪声特性研究中的一些结论二线性电路的噪声描述[4]一个内部有噪声线性二端口网络与一个有源阻抗……
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    时间: 2020-1-14 13:18
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    上传者: rdg1993
    一种结构可调整的IQ正交复用功放基带预失真模型及其FPGA的实现2007年全国微波毫米波会议论文集一种结构可调整的IQ正交复用功放基带预失真模型及其FPGA的实现王祥林饶妮妮(电子科技大学成都610051)摘要:本文根据现代通信系统中功放信号实时高速和大数据量的特点,结合一种结构可灵活调整的IQ两路正交复用的功放预失真模型,提出一种高效的基于FPGA基带数字预失真实现方法。该预失真模型在3G基站功放系统中得到实际应用,以相邻码道功率抑制比(ACPR)这个指标来衡量,可以取得近20dB的改善效果。关键字:功放线性化,基带预失真,查找表,IQ正交复用,FPGAAStructure-adjustablePredistortionModelforIQOrthogonalMultiplexingPowerAmplifierandImplementaiononFPGAWangXianglinRaoNini(UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu610051,China)Abstract:Accordingtothehigh-speedreal-timeandhuge-datacharacteristicsofpoweramplifiersignalinmoderncommunicationsystems,Thisarticleputsforwardanefficientmethodofimplementingabasebandpredistortionbasedonastructure-adjustableandIQorthogonalmultiplepre-distortionmodel.Th……
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    时间: 2020-1-14 18:35
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    上传者: 微风DS
    三种ESD型模型及防护设计三种ESD模型及其防护设计ESD:ElectrostaticDischarge,即是静电放电,每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握ESD的相关知识。为了定量表征ESD特性,一般将ESD转化成模型表达方式,ESD的模型有很多种,下面介绍最常用的三种:1.HBM:HumanBodyModel,人体模型:该模型表征人体带电接触器件放电,Rb为等效人体电阻,Cb为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件HBM模型的ESD等级。ESD人体模型等效电路图及其ESD等级2.MM:MachineModel,机器模型:机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)是200pF,等效电阻为0,机器模型与人体模型的差异较大,实际上机器的储电电容变化较大,但为了描述的统一,取200pF。由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件的损害,机器模式远大于人体模型。ESD机器模型等效电路图及其ESD等级3.CDM:ChargedDeviceModel,充电器件模型:半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立的,器件带电模型如下:ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级器件的ESD等级一般按以上三种模型测试,大部分ESD敏感器件手册上都有器件的ESD数据,一般给出的是HBM和MM。通过器件的ESD数据可以了解器件的ESD特性,但要注意,器件的每个管脚的E……
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    时间: 2020-1-14 19:03
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    上传者: quw431979_163.com
    基于verilog-A的模拟电路行为模型及仿真第KN卷第J期K$$G年#K月电子器件=&,.’-’U10*.)412V4’(+*1.8’B,(’-I1!"#$%&’($)*’+")$,+-&./)$0&’,’12,$)’34&(5/&0676&,38"(&)’3!2!"#!$%&’!()&’,!"*+,-$.&!/0&’,1*+,1)&!2%&’,3#14&’!5$%4(6)5740805274&)59:&92)2.20,;),;)’%&"#$$"#,-$)&%)2960($50:%&’(&)*)(+’*,-+,()./-+*0(+0*’123’*,415!6789)*’).)4:;’/’+?’’.-,@04)+,1.-A’’/)./)((0*)(:,+&’>’&)B,1*)4@1/’412).)415-?,+(&,>)./5)AB14+)5’*’2’*’.(’)./1A’*)+,1.)4)@A4,2,’*)*’,@!A4’@’.+’/0-,.53’*,415!6’.(&)./D!>,+86=)*’,@A4’@’.+’/0-,.53’*,415!6’&)B,1*)4@1/’4)*’B’*,2,’/>:+&’-,@04)+,1.+11412=)/’.(’EA’(!+*’
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    时间: 2020-1-16 13:13
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    上传者: quw431979_163.com
    H263_的数学模型及性能研究数字视频!"#$#%&’(#")*文章编号:#>>%+J&L%(%>>#)>’M>>N’M>O!"#$%的数学模型及性能研究杨成军,全子一(北京邮电大学图像处理与传输实验室,北京#>>JN&)・论文・【摘要】根据()*+)$%&’6的标准和测试模型(,对$%&’6的编解码过程和其中部分选项作了数学描)25J)述,最后对$%&’6的编解码结果与$%&’的编解码结果在主观和客观效果上作了比较,而且$%&’6明显优于$%&’,增加的复杂度和计算量很小。并分析了对编码效率改善显著的几个选项。【关键词】$%&’标准;$%&’6标准;视频编码标准;视频压缩编码;视频会议【&’()*+,)】(=AP;:Q!Q89,AP8Q9!@@【-./01*2(】$%&’;$%&’6……