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一个950MHzCMOS低噪声放大器的设计ＥＤＡ技术专栏一个９５０ＭＨｚＣＭＯＳ低噪声放大器的设计张振勇，胡伟，赵勇，杨莲兴（复旦大学ＡＳＩＣ国家重点实验室，上海２００４３３）摘要：介绍了一个采用０．１８ｍ１．８ＶＲＦＣＭＯＳ工艺，适合ＧＳＭ接收器，中心频率为９５０ＭＨｚ的低噪声放大器（ＬＮＡ）的设计过程，并给出了ｓｐｅｃｔｒｅＲＦ的模拟结果。在９３５～９６０ＭＨｚ频带内，ＬＮＡ功率增益大于１６ｄＢ，阻抗匹配系数Ｓ１１小于－１８ｄＢ，噪声系数（ＮＦ）小于２．７ｄＢ，ＩＩＰ３为－３．０６ｄＢｍ，１ｄＢ压缩点为－１０．９５５ｄＢｍ，功耗小于２０ｍＷ。关键词：低噪声放大器；噪声系数；功率增益；阻抗匹配中图分类号：ＴＮ７２２．３文献标识码：Ａ文章编号：１００３－３５３Ｘ（２００２）０５－００３６－０４Ａ９５０ＭＨｚＣＭＯＳＬＮＡｄｅｓｉｇｎＺＨＡＮＧＺｈｅｎ－ｙｏｎｇ，ＨＵＷｅｉ，ＺＨＡＯＹｏｎｇ，ＹＡＮＧＬｉａｎ－ｘｉｎｇ（ＡＳＩＣ＆ＳｙｓｔｅｍＳｔａｔｅ－ｋｅｙＬａｂ，ＦｕｄａｎＵｉｎｖ，Ｓｈａｎｇｈａｉ，２００４３３，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ａｃｅｎｔｅｒｆｒｅｑｕｅｎｃｙ９５０ＭＨｚＣＭＯＳＬＮＡｉｓｄｅｓｃｒｉｂｅｄ，ｗｈｉｃｈｉｓｄｅｓｉｇｎｅｄｆｏｒｔｈｅＧＳＭｒｅｃｅｉｖｅｒ．ＴｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｂｙＳｐｅｃｔｒｅＲＦａｒｅｏｆｆｅｒｅｄ．Ｉｎｂａｎｄ９３５～９６０ＭＨｚ，ｐｏｗｅｒｇａｉ……