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赵景涛—ALGANGAN高电子迁移率晶体管的高功率微波效应.pdf

AlGaNGaNHEMT功率放大器设计设计与开发ＡｌＧａＮ／ＧａＮＨＥＭＴ功率放大器设计林锡贵，郝跃，冯倩，张进城（西安电子科技大学微电子研究所，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安７１００７１）摘要：在小信号Ｓ参数不适于微波功率放大器的设计而大信号Ｓ参数不易获得的情况下，利用ＡＤＳ软件，采用负载牵引法和输入端共轭匹配，成功的设计出ＡｌＧａＮ／ＧａＮＨＥＭＴ微波功率放大器。为了解决晶体管端口出现负阻的问题，设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法，最后得到理想的结果为：工作绝对稳定，带宽３．６ＧＨｚ～８．０ＧＨｚ，最高增益１１．０４ｄＢ，最大输出功率３３ｄＢｍ，最大ＰＡＥ达到２９．２％，电压驻波比较小。关键词：高电子迁移率场效应晶体管；功率放大器；ＡＤＳ负载牵引；共轭匹配中图分类号：ＴＮ３８６；ＴＮ７２２．７＋５文献标识码：Ａ文章编号：１００３－３５３Ｘ（２００６）０１－００５２－０４ＤｅｓｉｇｎｏｆＡｌＧａＮ／ＧａＮＨＥＭＴＰｏｗｅｒＡｍｐｌｉｆｉｅｒＬＩＮＸｉ－ｇｕｉ，ＨＡＯＹｕｅ，ＦＥＮＧＱｉａｎ，ＺｈａｎｇＪｉｎ－ｃｈｅｎｇ（ＫｅｙＬａｂｏｆＭｉｎｉｓｔｒｙｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎｆｏｒＷｉｄｅＧａｐＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＤｅｖｉｃｅｓ，ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ’ａｎ７１００７１，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＡｎＡｌＧａＮ／ＧａＮＨＥＭＴｍｉｃｒｏｗａｖｅｐｏｗｅｒａｍｐ……