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小信号高频晶体管放大器《射频集成电路设计基础》讲义小信号高频晶体管放大器引言信号流图及其应用高频放大器的稳定性等增益圆与功率增益基于Gp的设计参考文献东南大学射频与光电集成电路研究所陈志恒,Nov-11,2002>>1of41引言高频晶体管放大器分立晶体管的高频放大器设计，同样适用于高频集成电路放大器设计小信号高频放大器的主要指标……

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MOS电容器对小信号响应的最值分析维普资讯http://www.cqvip.com９９０拒数理译丛第１瑚ＭＯＳ电容器对小信号响应的数值分析ＭＩＣＨＡＥＬＧＡＩＴＡＮＡＮＤＩＳＡＡＫＤ．ＭＡＹＥＲＧＯＹＺ摘要本文叙述了利用基本半导体方程的时间微扰分析对ＭＯＳ电客器的小信号正；玄稳态响应进行模拟的蛄果。包括表面和体陷阱动态致应。所建立的模型使用了描述稿阱的费米一狄喇克统计和肖克莱一瑞德一霍尔复合机理．由于这种分析方法能模拟具有任意形状、杂质和陷阱分布的半导体器件的小信号正弦稳态响应所受到的陷阱动力学影响，所以它较之先前的技术曩一种改进．引言过去一直应用数血技术求解ＭＯＳ电容器的小信号正弦稳态响应．Ｔｅｍｐｌｅ［１］曾捉：Ｉ『了一种求解方法，此法基于Ｓａｈ［２］捉ｆｆｊ的器件传输线模型。该模型包括艄肼动力学、温度和杂质的跫；响。Ｆｏｒｔｉｎｏ［３］使用瞄￣１￣（ｓｈｏｏｔｉｎ曲技术也从事求解小信号方程的工作。这项技术包括半导体材料的复合．然而，使用第一个原理，却导不出蹈阱动态解．这些期帕技术通用于解特殊问题，不易解任意形状器件的问题．最近这方而的工作已接近报普通的技术，这种技术不再受特定的器件形状的制．人们……

小信号法功率放大器设计MESFET功率放大器设计作者AlSweet小信号法基本工程问题:没有大信号器件模型,怎样设计功率放大器?*许多器件供应商不提供其器件的大信号模型.*通常提供的唯一设计数据是器件的小信号S参数和静态IV曲线.*利用前面STEVECRIPPS介绍的负载线法,根据这些数据足以设计第一类的功率放大器.功率放大器是大信号器件因为在接近功率饱和时其特性呈现非线性但许多场合设计师仅有一组小信号S参数在电路仿真时作为表示有源器件的根据由于这些S参数只适用于小信号在大信号时怎样设计最大射频输出功率和线性并不清楚SteveCripps提出一种方法可以用器件的静态IV曲线确定大信号负载线阻抗RL设计第一类放大器RL用做目标阻抗即用输出匹配电路表示的管子漏极负载用该方法设计师可以对RF最大输出功率优化输出电路同时对最佳输入匹配和最大增益优化输入电路通常输出匹配较差这是因为为了输出最大RF功率有意造成一定失配即输出匹配对RL优化而不是对器件的S22优化该方法的局限性*仅对最大Psat优化*仅对A类和AB类工作状态有效*无法计算交调产物IM3IMR5IP3*无法计算谐波电平*无法计算ACPR对数字调制小信号设计技术有其局限性输出电路对最大RF饱和功率优化但不一定对最大线性功率就是说无法直接计算1dB压缩点输出功率而且也无法直接计算放大器的二音交调性能IM3IM5IP3和IP5为了计算这些重要参数设计师必须依靠测量法或经验rulesofthumbMESFET放大器的两个重要经验是*P-1dB比Psat约低1dB*IP3比P-1dB约高10―12dB论题用小信号法求……