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时间: 2020-1-14 13:27
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RFICQuestion发现问题解决问题发现问题解决问题1.Bipolar和MOSFET管的噪声系数分别取决于什么?Answer:(1)Bipolartransistors,whosebaseresistancetypicallydominatesthenoisefigure;MOSfetsexhibitonlyoneprimarysourceofnoise,thatgeneratedinthechannel.Thus,insubmicrontechnologies,areasonablecombinationofdeviceandbiascurrentmayprovideacceptablylownoise.(2)GateresistanceofMOSdevicesalsocontributesthermalnoise,whocanbeminimizedbylayingoutthetransistorasaparallelcombinationofmanynarrowdevice.取决于不同工艺(GaAs,CMOS,Bipolar,Bicmos)SiGe和体Si是衬底介质,应用于RFIC设计的工艺有CMOS工艺、BiCMOS工艺、双极工艺和砷化稼(GaAs)工艺等.在这些技术中,由于砷化稼技术不能集成低压大规模数字IC和D/A转换器,因此不适合系统集成芯片(SOC)的要求;尽管基于锗硅工艺的硅异质结器件……