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2_9GHz0_35μmCMOS低噪声放大器第11期2001年11月电子学报ACTAELECTRONICASINICAVol.29No.11Nov.2001μ219GHz0135mCMOS低噪声放大器陶蕤,王志功,谢婷婷,陈海涛(东南大学射频与光电集成电路研究所,江苏南京210096)摘要:随着特征尺寸的不断减小,深亚微米CMOS工艺其MOSFET的特征频率已经达到50GHz以上,使得利用CMOS工艺实现GHz频段的高频模拟集成电路成为可能.越来越多的射频工程师开始利用先进的CMOS工艺设计射频集成电路,本文给出了一个利用0135μmCMOS工艺实现的219GHz单片低噪声放大器.放大器采用片内集成的螺旋电感实现低噪声和单片集成.在3伏电源下,工作电流为8mA,功率增益大于10dB,输入反射小于-12dB.关键词:CMOS工艺;低噪声放大器;螺旋电感中图分类号:TN722文献标识码:A文章编号:037222112(2001)1121530203μ219GHz0135mCMOSLowNoiseAmplifierTAORui,WANGZhi2gong,XIETing2ting,CHENHai2tao(InstituteofRF2&OE2ICs,SoutheastUniversity,Nanjing,Jiangsu210096,China)Abstract:Withthescaling2downofthetransistorgate2leng……