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TFT液晶显示器驱动原理TFTLCD液晶显示器的驱动原理TFTLCD液晶显示器的驱动原理（一）我们针对TFTLCD的整体系统面来做介绍,也就是对其驱动原理来做介绍,而其驱动原理仍然因为一些架构上差异的关系,而有所不同.首先我们来介绍由于Cs(storagecapacitor)储存电容架构不同,所形成不同驱动系统架构的原理.Cs(storagecapacitor)储存电容的架构一般最常见的储存电容架构有两种,分别是Csongate与Csoncommon这两种.这两种顾名思义就可以知道,它的主要差别就在于储存电容是利用gate走线或是common走线来完成的.在上一篇文章中,我曾提到,储存电容主要是为了让充好电的电压,能保持到下一次更新画面的时候之用.所以我们就必须像在CMOS的制程之中,利用不同层的走线,来形成平行板电容.而在TFTLCD的制程之中,则是利用显示电极与gate走线或是common走线,所形成的平行板电容,来制作出储存电容Cs.图1就是这两种储存电容架构,从图中我们可以很明显的知道,Csongate由于不必像Csoncommon一样,需要增加一条额外的common走线,所以它的开口率(Apertureratio)会比较大.而开口率的大小,是影响面板的亮度与设计的重要因素.所以现今面板的设计大多使用Csongate的方式.但是由于Csongate的方式,它的储存电容是由下一条的gate走线与显示电极之间形成的.(请见图2的Csongate与Csoncommon的等效电路)而gate走线,顾名思义就是接到每一个TFT的gate端的走线,主要就是作为gatedr……