标签: 致冷
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最新的大功率LED自吸热技术 结合半导体制冷与led，利用电子本身的能级变化跃迁吸收部分pn结放出的能量，降低常规PN结的散热压力，提高LED的寿命。 此结构用于集成电路中时，每个PN结都增加一个N，组成吸热结构，对降低整个IC的发热量以及节能降耗都有不可估量的好处。
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L波段致冷低噪声放大器维普资讯http://www.cqvip.com中国科学院上海天文台年刊２００４年第２５期ＡＮＮＡＬＳＯＦＳＨＡＮＧＨＡＩＯＢＳＥＲＶＡＴＯＲＹＡＣＡＤＥＭＩＡＳＩＮＩＣＡＮｏ．２５，２００４Ｌ波段致冷低噪声放大器李斌梁世光（中国科学院上海天文台，上海２０００３０）提要介绍了应用于射电天文望远镜Ｌ波段接收机系统的致冷低噪声放大器的设计。该放大器采用了Ａｇｉｌｅｎｔ公司ＡＴＦ一３５１４３假晶高电子迁移率场效应管（ｐＨＥＭＴ）．为两级级联结构，频率范围１６００～１７４０ＭＨｚ。在物理温度小于１５Ｋ（Ｋｅｌｖｉｎ）的环境中，放大器工作正常，两级直流偏置点都在２Ｖ７ｍＡ，增益２８．７―２８．９ｄＢ，噪声３．２―３．８Ｋ，输入匹配好于一２２ｄＢ，输出匹配好于一１６ｄＢ，无条件稳定。主题词：低噪声放大器一ｐＨＥＭＴ―ＡＤＳ分类号：ＴＮ７２２．３１引言射电天文望远镜的接收机系统要求有低的系统噪声，而前置放大器对于系统噪声的贡献是最大的，因此接收机的前置放大器一般采用致冷低噪声结构。将低噪声放大器放置于封闭的低温室中，通过真空泵抽真空使低温室内部达到较高的真空度，然后通过压缩机制冷，使低噪声放大器工作在物理温度１５Ｋ以下，从而达到降低噪声……
