原创 IBM拟在芯片中加入气孔，提高绝缘性能

     芯片节距的缩小，对绝缘材料的要求越来越高，漏电流成为芯片技术发展的一大障碍。为此，IBM提出了用气隙代替绝缘材料的新思想。

       IBM的方法是，在硅片上涂上一层特殊的聚合材料，这种材料通过烘焙，能够自然形成数万亿个大小均匀尺寸仅为20纳米的细孔，提高了元件及导线间的绝缘性能。仅此一项措施，就能让微芯片的运行速度再次提高三分之一，并可以节能15%。 

铜导线间加入气孔，取代传统的Low-k绝缘材料

       “这是我在最近10年所见到的最大一次突破。”IBM技术与知识产权部高级副总裁约翰·凯利(John Kelly)说。“最理想的绝缘体就是真空……我们已经找到了达到这一目的的路径。”

       凯利称，IBM原打算2009年在其芯片生产中采用该工艺，但现在已根据已有的设计制作出了原型，因此也有可能提前投入使用。

PS：如果将IBM的气孔绝缘技术与普渡大学的微通道技术结合起来，既可提高芯片的绝缘性能，又能加强散热效果。双管齐下，必将事半功倍。

［相关链接］

      气孔密封是采用超低k介电材料的关键吗？，半导体国际，2005-12-28