原创 SLC和MLC NAND Flash

2011-1-20 15:02 6957 11 14 分类: MCU/ 嵌入式

SLC和MLC的价格差很多,比如256M的SLC nand价格就和1G的MLC nand一样。MLC优势确实正在日益凸显,很快就会成为闪存的主力。至于说它存储慢、安全性低,这个都是很久以前的事情了,随着各大芯片生产商对它的完善,现在MLC技术已经比较成熟,这些问题也就模糊了。

Flash闪存是非易失性存储器,这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后,内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash,而U盘和MP3中最常用的内存就是Nand Flash。 Nand Flash也有几种,根据技术方式,分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level cell的缩写,意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell,意为该技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。 SLC的技术存储比较稳定,SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中有2bit数据,这样同样大小的晶圆就可以存放更多的数据,也就是成本相同的情况下,容量可以做的更大,这也是同样容量,MLC价格比SLC低很多的原因。通常情况下相同容量的MLC和SLC,MLC的价格比SLC低30%~40%,有些甚至更低。 区分SLC(停产)和MLC(现在主流,分新老制程,60NM 和56/50NM ) 1、看Flash的型号:根据Flash的命名规则,进行区分。 2、测试读写速度:SLC的非常快,MLC的很慢。 SLC闪存:即单层式储存 (Single Level Cell;SLC),包括三星电子、Hynix、美光(Micron)以及东芝都是此技术使用者 MLC闪存:多层式储存(Multi Level Cell;MLC),目前有东芝、Renesas、三星使用,英飞凌(Infineon)与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存(Multi Bit Cell;MBC)。 除了三星,Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术积累而在MLC技术上占据优势,但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存,从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。 MLC闪存技术并非没有不足,实际上,在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。随着闪存技术的演进,在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了,使得检测存储的信息变得更加困难,尤其是对MLC芯片而言,它需要识别四个电压值,而非两个。尽管如此,据报道,东芝在70nm工艺中能够保证采用与90nm技术相同的代码纠错方案。这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐,最少是就现在而言。

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文章评论3条评论)

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用户377235 2013-2-4 13:25

受教了,谢谢!

用户377235 2012-10-23 18:49

不错的

用户377235 2012-10-23 18:49

不错的
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