原创 半导体材料研究与开发

　　一、半导体材料的发展历程

　　新型半导体材料的研究和突破,常常导致新的技术革命和新兴产业的发展。以氮化镓为代表的第三代半导体材料,是继第一代半导体材料（以硅基半导体为代表）和第二代半导体材料（以砷化镓和磷化铟为代表）之后,在近10年发展起来的新型宽带半导体材料。作为第一代半导体材料,硅基半导体材料及其集成电路的发展导致了微型计算机的出现和整个计算机产业的飞跃,并广泛应用于信息处理、自动控制等领域,对人类社会的发展起了极大的促进作用。硅基半导体材料虽然在微电子领域得到广泛应用,但硅材料本身间接能带结构的特点限制了其在光电子领域的应用。随着以光通信为基础的信息高速公路的崛起和社会信息化的发展,第二代半导体材料崭露头角,砷化镓和磷化铟半导体激光器成为光通信系统中的关键元器件。同时,砷化镓高速器件也开拓了移动通信的新产业。

　　第三代半导体材料的兴起,是以氮化镓材料P－型掺杂的突破为起点,以高效率蓝绿光发光二极管和蓝光半导体激光器的研制成功为标志的。它将在光显示、光存储、光照明等领域有广阔的应用前景。比如用高效率蓝绿光发光二极管制作的超大屏幕全色显示,可用于室内室外各种场合的动态信息显示,使超大型、全平面、高清晰、无辐射、低功耗、真彩色大屏幕显示领域也占相当大的比重。高效率白光发光二极管作为新型高效节能固体光源,使用寿命超过10万小时,可比白炽灯节电5－10倍,达到了节约资源、减少环境污染的双重目的,定将在世界范围内引发照明电光源的一场划时代的深刻革命。蓝光半导体激光器用于制作下一代DVD,可以比现在的CD光盘提高存储密度20倍以上。

　　相关型号资料：CSTCV4000MX007-TC20　 LM2831ZMF　9C20X7R102K200B　LA79106V　HSJ1332-01-050