在教材上看到JFET的交流参数有Cgs,Cgd,Cds.但是在JFET具体型号的datasheet上看到的参数有输入电容Ciss和反向传输电容Crss两个参数。我不明白它们之间是什么关系,就去论坛上问,问了一天也没有人回答。还好,我通过百度、GOOGLE,绞尽脑汁的换关键词搜索,终于找到了相关的解释。
The three types of parasitic capacitance described in the data book are shown below.
Input capacitance Ciss = Cgd + Cgs
Output capacitance Coss = Cgd + Cds
Reverse transfer capacitance Crss = Cgd
Ciss :输入电容
将漏源短接,用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成,或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启,放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
Coss :输出电容
将栅源短接,用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成,或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用,Coss非常重要,因为它可能引起电路的谐振
Crss :反向传输电容
在源极接地的情况下,测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd,反向传输电容也常叫做米勒电容,对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数,他还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小,尤其是输出电容和反向传输电容。
参考网址:
1 http://blog.cec.pandabuying.com/zebond888/253552.aspx
文章评论(0条评论)
登录后参与讨论