原创 FLASH存储器在TMS320C3X的中应用

　　　　　　　　　　　一．　FLASH - Am29F040介绍

Am29F040是AMD公司生产的Flash存储器，主要作用是固化程序和保存历史数据，也就是开机后执行闪存的程序，并在程序执行的过程中实时地保存或修改其内部的数据单元。<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

下面首先介绍Am29F040的特点和操作。

Am29F040是采用5V单电源供电的可编程只读存储器，是一种电可擦除与重新编程的器件。该器件由8个独立的64K字节块组成，访问速度为55～150ns。片内的状态机编程和擦除器件、嵌入式字节编程与区段/芯片擦除功能是全自动的。片内资源如下介绍：

A0～A18：地址线。其中A8～A18提供存储区地址，行地址确定所在扇区；A0～A7选定其扇区的一个字节，扇区容量是256字节。

DQ0～DQ7：数据输入/输出。在读周期输出数据；

在写周期接收数据。写过程中写入的数据被内部锁存。

CE：输入，芯片使能，低电平时选中该器件。

OE：输入，输出使能，低电平时打开数据输出缓冲区，允许读操作。

WE：输入，写使能，低电平时允许写操作。

Vcc为5V电源。

Vss为地。

工用方式有：读方式、待机方式、输出禁止及算法选择。

例如，对于写操作的编程命令，如表1所列。

其中：RA为被读出的存储单元地址；

PA为被编程的存储单元地址；

RD为所选地址单元被读出的数据；

PD为所选地址单元被编程的数据。

除编程地址、区段地址和读地址之外的所有总线周期地址，地址引脚A18、A17、A16、A15为高或低。

    下面以命令表的编程命令为例。简要介绍字节编程。

表1所列命令是一个４总线周期指令，首先，在地址5555H写入数据0xAAH,地址2AAAH写入数据055H,再在地址5555H写入数据A0H，最后是编程的地址和数据．

对于芯片擦除功能，自动地提供编程和电擦除之前，校验所有存储单元所需的电压和时序，然后自动擦除并校验单元界限。利用数据轮询（datapolling）特性，可以监视自动芯片擦除操作期间器件的状态，以检验操作是否完成。

程序如下：

int Chip_Erase()

{

　　(int)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*写芯片擦除命令部分*/

　　*（int *）0x00002AAA=0x55555555;

　　*(int *)0x00005555=0x80808080;

　　*(int)0x00005555=0xAAAAAAAA;

　　*(int *)0x00002AAA=0x55555555;

　　*(int *)0x00005555=0x10101010;

　　while((*int)0x00005555&0x80808080)!=0x80808080)/*数据轮询*/

｝

对于区段擦除暂停，在区段擦除期间擦除暂停有效，数据值为B0H，不管地址值。区段擦除恢复，仅在擦除暂停之后擦除有效，数据值为30H，不管地址值。下面是简要的程序代码：

int Sector_Erase(sectadd)

int * sectadd;

{

　　(int)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*写区段擦除命令部分*/

　　*（int *）0x00002AAA=0x55555555;

　　*(int *)0x00005555=0x80808080;

　　*(int *)0x00005555=0xAAAAAAAA;

　　*(int *)0x00002AAA=0x55555555;

　　*sectadd=0x30303030;

｝

<?xml:namespace prefix = v ns = "urn:schemas-microsoft-com:vml" />对于数据保护，此特性禁止在1～8个区段的任何组合进行编程和擦除操作。执行编程和擦除被保护区段的命令时，不改变区段内的数据。数据轮询位和跳转位工作在2～100μs，然后返回到有效数据。在地址引脚A9和控制引脚E，使用11.5～12.5V高电压VID，且在控制引脚E上使用VIL将使此特性起作用。其具体操作为：当W为VIH，E为VIL且地址引脚G为VID时，区段保护方式被激活，地址引脚A18、A17、A16用来选择被保护的区段。一旦地址稳定，W处于脉冲低电平，操作开始于W的下降沿。

                        二．在TMS320C3X中的应用

TMS320C3x支持32位或16位宽度的程序外部存储器。由于Am209F040的数据宽度是8位，而从RAM单元中取出的数据宽度为32位，所以还要采用移位的方法写入Am29F040。

引导表的格式主要由下面几部分组成：首先，是包括引导表数据宽度和其它数据总线寄存器值的头文件。接着，是COFF文件中各个段的数据，其中每个段都包含一个该段的文件头来说明该段的代码长度和地址。最后是结束段。

这里，采用COFF格式生成引导表比较麻烦。TI公司提供了一个很有用的转换工具HEX30，只须编写一个命令文件，就可使用这个转化工具自动生成引导表。Flash存储器烧写流程如图2所示。

采用TI公司的TMS320C32的DSP，AMD公司生产的8位Am29F040作为Flash存储器，这里使用了4片Am29F040。

编写时必须注意：

①目标字宽度，也就是处理器的操作码长度。选好DSP后，该长度也就确定了。按照我们的例子为32位。

②数据宽度。由-datawidth设定，为32位。

③存储器宽度。由-Memwidth设定，本例中为32位。

④ROM宽度。由-romwidth设定，为8位，由Flash存储器确定。

程序如下：

C3XCHECK.OUT

-MAP 29f040.MAP

-i /*输出文件为Intel格式*/

-datawidth 32

-Memwidth 32

-romwidth 8

ROMS

{

　　FLASHROM：org=000000h,len=80000h,romwidth=8, /*512K×8*/

　　files={f040.b0 f040.b1 f040.b2 f040.b3}

}

SECTIONS

{

　　.text :paddr=00000040h

　　.ffttxt:paddr=000008d1h

　　.data:paddr=0000000h

　　.sintab:paddr=000009eeh

　　.paras:paddr=00000a2eh

}

命令文件按照上述编写，生成了4个文件，分别为f040.b0、f040.b1、f040.b2及f040.b3，然后可以直接用编程器烧写至4片Am29F040即可。

利用上面的方法已经可以完成工作，但是我们还可以利用TMS320C32的boot loader(上电加载)功能直接调入到存储器中。

DSP芯片复位以后，将自动地运行固化0H～0FFH空间内的引导装载程序，执行引导程序装载功能。进入引导装载程序以后，DSP将一直等待中断INT0～INT3的中断状态，根据不同中断，决定是以BOOT1～BOOT3的存储空间装载程序到指定的快速闪存，还是以从串口将程序引导装载到指定的快速闪存。TI公司的引导装载程序公开的（如果需要，可由其网站下载得到）。实现引导装载功能时，需要自己设计程序头，其中必须描述：

①待装载程序的存储器宽度为8位/16位/32位；

②SWW等待状态发生器的方式；

③装载到快速RAM的程序大小；

④装载的目的地址。

如果在实际系统中目的地址不止一个，其操作过程也是一样的，当一个模块装载完毕以后，如果还有一个另外的模块，那么它将继续执行。与上面的方法一样，在程序头加上必要的信息就可以了。

如将引导表作为程序的一个初始化段，在运行程序的时候将该段的内容也直接写到Flash存储器里面。具体来说，首先编写段C语言程序，将上面由HEX30生成的文件转化为.dat数据文件（使得DSP可以识别，DSP不能识别.b0文件）。然后，在编程程序中建一个段，其中包含这个数据文件。最后，在直接运行程序时，将其中的内容烧写到存储器里面。采用这种方法，比采用EPROM编程器编程速度更快，而且省时省力，需要修改时不用取出Flash存储器，可以在线编程修改。

3 结论

通过实际的电路仿真测试，证明这种设计思想简单、程序语法正确，数据传输效率高，充分利用了TMS320C32编程语言特点。这种方法能够实现Flash存储器在系统编程和在DSP系统上电后的用户程序的自动引导。同时，由对Flash存储器Am29F040应用的讨论可知，其不仅可以利用编程器编程，而且可以通过TMS320C32在线进行擦除、读写及编程。

 Tue Mar 6 2007

20:35:37 UTC+0800