SEMIWILL推出电子镇流器行业专用BT169D/G系列单向可控硅
■用 途
广泛应用于脉冲点火器、负离子发生器、漏电保护器、小型马达控制器、灯具继电器激励器等功率控制线路。
■特 征
开关参数优良,输出电压高,通态压降低,触发特性灵敏一致,可靠性高。
■封装形式
TO-92
■参照型■极限值
名称 |
符 号 |
规范值 |
单 位 |
测 试 条 件 |
断态重复峰值电压 |
VDRM |
400/600 |
V |
IDRM=20μA |
反向重复峰值电压 |
VRRM |
400/600 |
V |
IDRM=20μA |
通态方均根电流 |
IT(RMS) |
1 |
A |
正弦波,180° |
浪涌电流 |
ITSM |
10 |
A |
正弦波,60Hz |
结温 |
Tj |
125 |
℃ |
|
贮存温度 |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
|
■电特性(Ta=25℃)
名称 |
符号 |
测试条件 |
最小值 |
最大值 |
单位 |
断态重复峰值电流 |
IDRM |
VD=VDRM |
— |
0.1 |
mA |
通态电压 |
VTM |
I=1A |
— |
1.5 |
V |
维持电流 |
IH |
VD=12V,IT =20mA |
— |
5 |
mA |
擎住电流 |
IL |
VD=12V,IGT =200μA |
— |
6 |
mA |
门极触发电流 |
IGT |
VD=12V,RL=100Ω |
— |
120 |
μA |
门极触发电压 |
VGT |
VD=12V,RL=100Ω |
— |
0.8 |
V |
门极不触发电压 |
VGD |
VD=1/2 VDRM |
0.2 |
|
V |
断态电压临界上升率 |
dVD/dt |
VDM=2/3VDRM,Tj=110℃,Gate open |
10 |
|
V/μs |
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