一、场效应管的特性
场效应管与普通晶体管相比具有输入阻抗高、噪声系数小、热稳定性好、动态范围大等优点。它是一种压控器件,有与电子管相似的传输特性,因而在高保真音响设备和集成电路中得到了广泛的应用,其特点有以下一些。
场效应管的品种较多,大体上可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管两类,且都有N型沟道(电流通道)和P型沟道两种,每种又有增强型和耗尽型共四类。
绝缘栅场效应管又称金属(M)氧化物(O)半导体(S)场效应管,简称MOS管。按其内部结构又可分为一般MOS管和VMOS管两种,每种又有N型沟道和P型沟道两种、增强型和耗尽型四类。
VMOS场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管,是在一般MOS场效应管的基础上发展起来的新型高效功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(大于100MΩ)、驱动电流小(0.1uA左右),还具有耐压高(最高1200V)、工作电流大(1.5~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导线性好、开关速度快等优良特性。目前已在高速开关、电压放大(电压放大倍数可达数千倍)、射频功放、开关电源和逆变器等电路中得到了广泛应用。由于它兼有电子管和晶体管的优点,用它制作的高保真音频功放,音质温暖甜润而又不失力度,备受爱乐人士青睐,因而在音响领域有着广阔的应用前景。VMOS管和一般MOS管一样,也可分为N型沟道和P型沟道两种、增强型和耗尽型四类,分类特征与一般的MOS管相同。VMOS场效应管还有以下特点。
二、场效应管的主要参数及选用
为了正确安全运用场效应管,防止静电、误操作或储存不当而损坏场效应管,必须对场效应管主要参数有所了解和掌握。场效应管的参数多达几十种,现将主要参数及含义列于表1,作为参考。
符号 | 名称 | 含义 |
BVGSS | 栅源耐压 | 栅源之间的SiO2层很薄,耐压一般只有30~40V |
BVDSS | 源漏耐压 | VGS=0,源漏反向漏电流达10uA时的VDS值 |
VP | 夹断电压 | 在源极接地情况下,为使漏源电流输出为零时的栅源电压 |
VT | 开启电压 | 当IDS达到1mA时,栅源之间的电压 |
IGss | 漏泄电流 | 栅一沟道结施加反向电压下的反向电流,结型管为nA级,MOS管为pA级 |
IDss | 饱和漏源电流 | 零偏压VGS=0时的漏电流 |
RGS | 输入电阻 | 栅源绝缘电阻,栅一沟道在反偏压下的电阻,结型管为100M Ω,MOS管为10000MΩ以上 |
RDS | 输出电阻 | 漏极特性曲线斜率的导数,即1/RDS=△ID/△VDS |
gm | 跨导 | 表示栅极电压对漏极电流的控制能力 |
IDs | 源漏电流 | |
PD | 耗散功率 | |
NF | 噪声系数 | 噪声是管子内载流子不规则运动引起的,场效应管要比晶体管小得多,NF愈小表示管子噪声愈小 |
CGS | 栅源电容 | 输入电容,越小越好,减小失真,有利频率特性提高 |
CDS | 漏源电容 | 输出电容,越小越好,减小失真,有利频率特性提高 |
CGD | 栅漏电容 | 反馈电容,越小越好,减小失真,有利频率特性提高 |
四、单端甲类放大器性能刍议
放大器按工作状态的不同一般可分为3类:①A类放大器,又称为甲类放大器;② AB类放大器,又称为甲乙类放大器;③B类放大器,又称为乙类放大器。在这3类放大器中,线性最好,音色最靓的是A类放大器,而单端甲类放大器与推挽放大器在设计上一个不同之处,就是使用一个放大器件来放大整个音乐波形。而推挽设计采用两个放大器件,分别放大信号的正负半周,包括一些推挽甲类放大器。单端甲类放大与推挽放大一个显著的不同特征就是放大后的音乐波形是一个完整的与输入波形十分相似的波形,没有推挽放大正负波形的交越失真,尽管推挽放大采用配对精度高达2% 误差甚至更小误差的孪生管,但这只是一个片面性的数字描述,事实上正负波形不可能交接得好,加之电路元器件非线性引起的相移存在,交越失真将进一步增大,当然失真与音色在一定程度上并不对立,这要看设计放大器的用途和目标,并非推挽放大就此罢休,况且推挽放大器中,由于存在多次谐波,虽然原配正负波形交接不好,但谐波交接不能否定,只是与单端波形相比难以抗衡。
关于推挽放大谐波尤其是偶次谐波会相互抵消这一说法,笔者不予完全认同,只有相移失真达180°或360°等谐波成分才会相互抵消。如推挽功放中的直流高压中的交流纹波经推挽变压器中心抽头平均分成两路,由于两臂线圈极性相反,相差180°,交流纹波几乎被完全抵消。
单端甲类放大器具有最自然的音乐性,其不对称性与空气受压缩与扩展的特性相似。由于组成空气含量最多的为非极性分子氮气(N2),约占78%,因此空气是压强能变得非常高的“单端无极”媒介,使得单端A类乐声最传神,音色最醇美。
五、VMOS场效应管单端甲类功放的制作
设计放大器有两个基本原则:一是简单,二是线性。而能做到最简单的放大器线路就是单端甲类了,简单不是单端甲类放大使用的唯一理由,是因为单端甲类具有最迷人的音乐感。在A类、B类、AB类线路程式中,线性最好的是甲类,而不足之处就是效率是最低的,约为20%,是以效率换音质的典范。
在单端甲类放大电路中使用的放大器件也有一番讲究。晶体管具有太低的输入阻抗,电子管的输入阻抗很高,但其输出阻抗也比较高,从原理上讲电子管并不适合做功放输出管,因此唯一的选择是场效应管。场效应管具有很高的输入阻抗和跨导,也能输出很大的电流,很适合应用在单端甲类放大器中。而在众多的场效应管中,用VMOS场效应管制作的单端甲类放大器,更领风骚,魅力独特。高端的钛膜声,中频饱满细腻流畅的磁性声,弹性十足震撼人心的低频轰炸声,别有一番霸道气势。
在一般的设计中场效应管特长没有得到充分发挥,甚至认为声音偏冷、偏暗,其实这不是场效应管的原因。其声音不好,一方面是人们使用它直接代换晶体管,晶体管的线路是不能发挥出场效应管的特性的;另一方面,这些电路通常使用AB类的偏置。根据场效应管转移特性,在低偏置时具有严重的非线性,带来严重的失真,解决的办法是让其工作在A类状态,特别是单端A类,瞬态特性极佳,音质纯美,偶次谐波丰富,音色悦耳动听,更具有电子管的醇美音色。
1.电路原理
单端甲类场效应管功放电路五花八门,各有特色,本机电路如附图所示。为了获得靓丽的音色,采取简洁至上原则,多一个元件多一分失真,多一条线路多一分失真。现将电路原理作一简述,以抛砖引玉,其主要特点有以下一些。
(1)为了避免普通音量电位器传输失真,非稳态接触电阻、摩擦噪声和操作易感疲惫之嫌,本机采用音响型极低噪声VMOS场效应管IRFD113作指触音量控制。其相对于键控音量电路又减少了一些元件,并加以屏蔽,使音量控制部分的噪声系数达到1dB以下(VMOS场效应管噪声系数在0.5dB左右),敢与高档真空步进电位器或无源变压器电位器抗衡,手感更贴切人性化。
VMOS场效应管内阻高,属电压控制器件,在栅极及源极之间连接充电电容,由于栅漏电流极小,电容电压在很长一段时间内能基本保持不变。当管子工作于可调电阻区时,其漏源极电阻将受到栅源极电压即电容的电压所控制,这时管子相当于压控可变电阻,当指触(依手指电阻导电)开关S1闭合,即向电容充电,当指触开关S2闭合,即将电容放电,从而达到以电压控制漏源极电阻的目的。将其按入音响设备中,即可调节音量的大小。S1和S2可用薄银片或薄铜片制作,间距2mm左右,待调试后确定,音量增减量设置在±2dB左右。
(2)由IRF510作电压放大,放大后的音频电压直耦至上臂管IRF150进行扩流并作源极输出,下臂管IRF150构成恒流源,直流为通路,交流为开路,使交流信号通过输出电容推动扬声器。
(3)由于VMOS场效应管具有负的电流温度系数,即在栅极与源极之间电压不变的情况下,导通电流会随管温升高而减小,从而避免管子二次击穿。但管子温度的变化与电流的变化速率相差甚远,对此为了防止负温度系数惯性延迟而影响工作状态,本机在IRF510阴极串上一只适当阻值的正温度系数补偿电阻(100Ω/2W ),以起到缓冲作用。其原理是当没有阴极电阻时,IRF510栅源电压是恒定的固定偏压,与管子电流变化无关,加上阴极电阻后,当管流减小时,源极电位也降低。而相对于栅极来说,栅极电位便提高了,这样栅源电压就增大了,此时管子电流便增加了,从而适量抵消负温度系数产生的电流陡坡现象。阴极电阻阻值大小决定这种作用的大小,从而起到适当的缓冲作用,此电阻并不是电流负反馈电阻。
(4)本机经考虑后不采用OCL即无输出电容电路,一则是为了扬声器安全,二则考虑零点失调电压尤其是动态时对扬声器音圈产生直流偏磁位移,直接影响扬声器性能,从而劣化音质。由于大容量输出电容多为电解电容,一般认为噪声较大,而实际上这是一个信噪比的问题,关键是应用在什么电路,如将电解电容用
在动圈唱头放大电路,就不合适,动圈唱头信号只有2mV左右,要求放大电路具有较高的信噪比,用电解电容信噪比就低。而将电解电容用于功放末级输出,情况就不一样了,信噪比相对低电平电路会有大幅度提高。另外一点,电解电容在使用前最好进行通电老化,并择优选用,然后上机后再进行充分煲机,这样可降低噪声系数。没有噪声的元器件是没有的,关键要合理运用,并采取措施,以达到必要的目的。本机为了减小输出电解电容由于感抗对高频的影响,用3只电解电容并联以减小感抗,并将扬声器的负极接电解电容的负极,以钳位电解电容漏电流产生的音圈偏磁位移。
(5)本机场效应管偏压由电源模块LM7812提供,功放电源不采取稳压电源供电,以避免限制乐声的低频力度和动态,即降低电压换电流,降低功率换音质。
2.制作调试
制作本机时,两声道要用独立电源供电,以提高分离度,减少干扰,并增强各声道工作稳定性。本机后级由于采用直耦电路,所以工作点会相互牵制,需反复调试几次才能完成,IRF510工作电流约为20mA,上下两管IRF150(配对)工作电流约为1.5A,栅源电压约为3.8V,反复调节这两级偏压电阻,使中点电压为l8V。不同产地、不同批次管子会有所出入,数据仅作参考,最好使用示波器将其调节为A类最佳工作状态。否则,由于管子的离散性,即使工作点按手册或特性曲线给出的参数调节工作点,也未必工作在最佳的A类状态。本机可代用的场效应管较多,不同管子参数、特性及音色也有差异。表2列出几种常用管子参数供参考。本机其他元器件选用可参考有关资料,在此不再赘述。
型号 | 用途 | 类型 | 源漏耐压/V | 源漏电流/A | 耗散功率/W | 备注 |
BS170 | 低噪声放大 | N | 60 | 0.3 | 0.63 | |
2SK389 | 低噪声差分放大 | N | 50 | 0.01 | 0.2 | 双管封装 |
IRF510 | 电压放大 | N | 100 | 2.5 | 20 | |
IRFDl13 | 低噪声放大 | N | 60 | 0.8 | 1 | |
2SK1058 | 高频功率放大 | N | 160 | 7 | 100 | 互补2SJ162 |
2SK413 | 高频功率放大 | N | 140 | 8 | 100 | 互补2SJ118 |
2SK405 | 高频功率放大 | N | 160 | 8 | 100 | 互补2SJ115 |
IRF130 | 高频功率放大 | N | 100 | 12 | 75 | 互补IRF9130 |
IRF540 | 高频功率放大 | N | 100 | 28 | 150 | 互补IRF9540 |
IRF150 | 高频功率放大 | N | 100 | 40 | 150 | 互补IRF9150 |
输入灵敏度 | 360mV |
最大输出功率 | 8W (8 Ω,THD+N=10%,1kHz正弦波信号) |
最大音乐输出功率 | 10W (8 Ω,THD +N<211%,1kHz正弦波信号) |
失真 | 3.8% (1W/8Ω,1kHz) |
信噪比 | 88dB (不计权) |
频响 | 18Hz~165kHZ |
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