原创【转】Cadence 高速PCB的时序分析(1)

 2010-11-16 18:10  1296 3 3 分类: PCB

1.引言
时序分析，也许是SI 分析中难度最大的一部分。我怀着满腔的期许给Cadence 的资深工程师发了一封e-mail，希望能够得到一份时序分析的案例，但是希望化作了泡影。资深工程师告诉我，他们还没有能够编写一个具体的案例。于是，我不得不将我的期许转化为自己研究并编写一个具体的案例，与广大PCB 工程师共享，令大彼天下PCB 寒士俱欢颜。既然有了共产主义的期许，自然就有了奋斗的信念。
如果你觉得好，请你顶一下；如果你觉得烂，请你顶起来骂一下。

2.从什么是时序电路谈起
    我的导师，一位诲人不倦的人类伟大灵魂工程师，当我将CPLD 连在了CPU 的数据、地址、读写和片选信号上，并企图在CPLD 中自定义几个寄存器使得这几个寄存器相对于CPU 就好似异步访问的存储空间时（如图1），他迷惘了。他认为我应该将CPU 的时钟输出到CPLD，不然就无法做到异步访问CPLD 的时序。

图1 CPLD 做异步访问存储器
    原来这个世界从第一天起就将时序电路定义错了，它们定义为
y=f(x₁,x₂,…,x_n,t₁,t₂,…,t_n)
    即函数值y 不仅与输入有关，还与时钟触发条件有关，正是因为时钟，才叫时序电路。
    我要将这世界颠倒的黑都纠白了。为什么只有时钟能作触发条件，做触发条件的不一定只是时钟。图2 是TMS320C6713 这一DSP 的异步存储器读定时。很显然，在CPLD 中触发其将寄存器中数据放入总线的触发条件是读信号（图中画红线处触发）。这个读信号就成为二者之间的握手信号，在DSP 写CPLD 的时候握手信号则是写信号了。用CPLD 实现这个异步存储器的VHDL 程序如下：
re 定义为读信号输入，wr 定义为写信号输入，D_REG 定义为数据寄存器，data 是双向的数据总线
process(re)
BEGIN
if(cs='0' and re=’0’) then
data<=D_ REG;
end if;
…
END PROCESS;
process(wr)
BEGIN
if(cs='0' and wr=’0’) then
D_REG <= data;
end if;
…
END PROCESS;

图2 TMS320C6713 的异步存储器读定时
    当然在上例中如果将DSP 的时钟输入接入CPLD，则可以更好的完成这个电路时序之间的匹配。如果不接入，也同样能通过编程改变DSP 的setup 和strobe 所占用的时钟周期数量来实现。
    请记住：时钟本质上只是一个触发条件！跟其它的触发条件没有什么两样！
    在CPU 访问SDRAM 时，握手信号即是时钟。于是乎，用Cadence 来做定时分析就分为两类：
1) 时钟握手信号――同步
2) 其它握手信号――异步
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请注意：此部分我的“时序电路”定义不严格，列位看观能明白我所言“触发”和“握手”之意既可。我仍然赞成我的导师将时钟接入CPLD。

3. 同步时序分析
列位看观，这个具体的案例将举的例子还是TMS320C6713，它将要访问MT48LC4M32B2这样一个SDRAM。首先介绍SDRAM的几个概念：

CAS#等待时间(CL)：指的是从CAS#信号有效开始要经过多少个时钟周期之后才能读取数据(写操作时数据与CAS#信号同时到达)，通常可以选择2或者3；
突发长度(BL)：SDRAM每次读写操作的数据量可以设定(也即支持突发式读写) ，可以是1、2、4、8 个字节或整页读写(一次读写一行数据)，这样每次可以处理一批数据，从而提高了读写速度；
预充电(PRECHARGE)：读写操作只对预充电过的行有效，所以每次读写操作前都要发出预充电指令或者在CAS#有效时，使A10为高①，即让SDRAM自动预充电；
自动刷新(REF)：每隔一定的时间要向SDRAM发出一条刷新指令，这个时间可以通过读取SDRAM芯片的数据获得，通常为15.625μs；
自刷新(SELF)：当对SDRAM暂时不进行操作，但又希望保留其内部数据时，可以发出自刷新信号，SDRAM 会自己刷新内部数据；
模式寄存器设置(MRS)：通过一条指令对CL及BL进行设定。除了在初始化可以进行设置外，也可通过插入这条指令来改变CL或BL。

SDRAM的所有输入和输出都与系统时钟上升沿同步，并且由输入信号RAS、CAS、WE组合产生SDRAM控制命令，其基本的控制命令如表1所示。关于SDRAM 的操作有很多，如两个BANK的乒乓读写方式、突发式读写时的中断操作、低能耗方式的进入等等，我们可以在MT48LC4M32B2数据手册中看到各种操作时的时序图。

MT48LC4M32B2分为四个BANK，地址线的最高两位即为BANK的片选。其行地址为A0-A11，列地址为A0-A7，数据总线宽为32bit，需要在64ms内刷新4,096行。MT48LC4M32B2与TMS320C6713的连接如图，图中的CKE为SDRAM的时钟使能，被PULLUP。
（列位看观，今天谈到这里先。）
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①图4和图5分别是自动预充电和无自动预充电时读SDRAM的时序,可以看出A10的不同。

图3 TMS320C6713与SDRAM

图4 自动预充电读时序

图5 无自动预充电读时序