原创 晶体管低频毫伏表

1．性能和量程
  如图所示电路简单，灵敏度和输入阻抗均较高。它的频率特性不均匀性在10Hz～300kHz内不大于3db。零量程分为3mV、30mV、300mV、3V、30V、300V等6档。  可以测量1mV～300V的信号。具有线性的表面刻度。

2，电路原理与设计特点
  电路由4只晶体管组成。BG1组成场效应管源极跟随器，主要起阻抗变换作用。在BG1的栅极输入端接有宽频带高阻抗电压衰减器。在BG1的源极输出端接有低阻抗的电压衰减器。为了保证电压衰减器的分压比不随频率变化，高阻抗衰减器上加有补偿电容C1、C2。为了简化调整，输入端的高阻抗衰减器只设有× 1和×1000二档。BG1源极输出端的低阻抗衰减器受分布电容的影响较小，不需要加频率补偿电容。低阻抗衰减器设有3mV、30mV、300mV三档基本量程。当输入衰减器置于×1位置时，可测量0．1mV～300mV的信号。当输入衰减器置于×1000位置时，可以测量0．3V～300V的信号。这种分段衰减法，既能改善仪器的频率响应，又能简化对电路的调整要求，在高频仪器中应用十分普遍。
  晶体管BG2、BG3组成直接耦合式负反馈放大器。本仪器的放大作用主要由这二级电路完成。为了使放大器的输出端与低阻抗的检波器匹配，在BG3后面加有由BG44组成的晶体管射极跟随器。由于BG4的输入阻抗较高，可以使BG33获得更高的电压增益。  
  检波器上D1～D4的输出电流经过负反馈电阻R10、R14，在BG2的发射极形成深度的串联电流负反馈，改善了放大器的频率响应，稳定了放大器的增益，同时又使检波特性线性化，获得了线性的表面刻度.
  为了改善耦合电路的高频特性，电解电容C6和C8上分别并 联了高频瓷片电容C5和C7。
  为了监视电池电压的变化情况，在电路中加了开关K3。当K3置于“电源”位置时，表头指示出电源电压。此时的电压表刻度由R22来校正。

3．元件与调试
  衰减器中的电阻R1～R7需用误差小的电阻。电路中的其他元件没有特殊要求.
  晶体管BG2～BG3的β应大于100。检波二极管D1～D4可以采用各种型号的锗高频检波二极管。
  本电路的调试方法简便。只需调整R12，使BG3集电极直流电压为3V。毫伏表在3mV时的满刻度值由反馈电阻R10来校正。其余量程的精度由衰减器的电压衰减精度保证。
  为了减小干扰和提高频率响应，仪器应该安装在金属屏蔽盒内，并注意使接线尽量短。
  本仪器消耗的总电流约为2，5mA。