原创 低电压升压大电流芯片 外置MOS驱动升压IC GS3660

1引言

　  在许多应用场合，都需要将低电压升至适合用电设备使用的较高电压。如太阳能电池供电电路，常需要将其2.2～5.0V的低电压升至可供使用的12V,甚至更高的电压。再如3.7V锂电池升压到5V给便携设备供应较大电流,必须将这么低的电压升至可供使用的5V、12V或24V等标准电压，而一般小轿车轿车为12V蓄（电池亏电和充满电电压范围在10.5V~14.5V）之间,这样低的电压无法使19V供电笔记本正常工作。而且要求DC/DC变换器的输出功率在几十W以上。因而有必要开发出一种低电压、大电流DC/DC升压变换器。

     中广芯源-就开发了一款利用高效开关器件MOSFET及高性能IC控制器，其框图如图1示。

     GS3660升压电路设计参考：http://www.guangshimei.cn/newsshow.asp?id=143

     GS3660应用的典型电路，芯片的输入范围为2.2～15V，该控制器采用独特的控制方案，PWM（脉冲宽度调制）的优越性，提供一个高效、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流，在重载情况下具有较高的效率，噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波，这样便于降低电路成本及电路的尺寸。该电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出，宽电压供电2.2V-15V，宽工作频率50KHZ-1MHZ振荡频率，具有欠压保护功能、软启动及短路保护功能。使电路工作更稳定！

中广芯源  姜生

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