原创 【黑金动力社区】【bf531 体验板教程】第五章 时钟及电源(七)

2010-12-17 13:08 3305 6 6 分类: 处理器与DSP

一、 时钟及锁相环

        ADSP-BF531处理器使用来自外部晶体的正弦输入,或经过缓冲整形的外部时钟。如果使用外部时钟,该时钟信号应是TTL兼容信号,而且正常运行时,此时钟不能停止、改变、或低于指定的频率。此外部时钟应连到DSP的CLKIN引脚,且XTAL引脚必须悬空。

        由于ADSP-BF531处理器有片内振荡电路,所以也可以使用外部晶振。外部晶振应当连接到CLKIN和XTAL引脚,并与两个电容相连。电容值取决于晶振的类型,应当由晶振厂商提供。内核时钟(CCLK)和系统外设时钟(SCLK)可由输入时钟(CLKIN)信号获得,如图5-1所示。用户通过设置PLL_CTL中的倍频因子,可使片上PLL倍频CLKIN信号, CLKIN与倍频因子的乘积为PLL输出(VCO)的中间时钟,内核时钟(CCLK)和系统外设时钟(SCLK)就是由VCO产生。

 

图5-1 PLL 结构框图

        用户可以通过四个MMR寄存器来操作或者读取PLL的状态。分别为分频寄存器(PLL_DIV),PLL控制寄存器(PLL_CTL),PLL状态寄存器(PLL_STAT)和PLL锁定计数寄存器(PLL_LOCKCNT)。四个寄存器都是16位的,访问时候需要注意对齐问题。

表5-1 PLL_DIV(地址:0XFFC0 0004 复位值0x0005)

名称

描述

15:6

-

未用

5:4

CSEL

内核时钟选择

00:CCLK=VCO/1;

01:CCLK=VCO/2;

10:CCLK=VCO/4;

11:CCLK=VCO/8。

3:0

SSEL

系统时钟选择

0000:保留

1~15:SCLK= VCO / X

 

表5-2 PLL_CTL(地址:0XFFC0 0000 复位值0x1400)

名称

描述

15

SPORT_HYS

添加250mV滞后电压到SPORT 输入脚

14:9

MSEL

VCO倍频因子

0:64倍频

N=1~63:N倍频

8

BYPASS

跳过PLL

0:不跳过PLL(PLL有效)

1:跳过 PLL

7

OUT_DELAY

输出延迟

0:输出不延迟

1:PLL 到外部时钟输出,添加200ps的延迟

6

IN_DELAY

输入延迟

5

PDWM

掉电模式

0:所有内部时钟掉电

1:所有内部时钟开启

4

-

未用

3

STOPCK

内核时钟停止

0:内核时钟正常运行

1:内核时钟停止

2

-

未用

1

PLL_OFF

PLL 电源控制

0:开启PLL 电源

1:关断PLL 电源

0

DF

输入时钟二分频使能

0:输入时钟直接连PLL;

1:输入时钟二分频后连PLL。

 

表5-3 PLL_STAT(地址:0XFFC0 000C 复位值0x00A2 只读)

名  称

描  述

15:8

-

未使用

7

VSTAT

电压调节器指示

0:电压调节器未达到编程电压

1:电压调节器达到了编程电压

6

CORE_IDLE

内核停止状态

5

PLL_LOCKED

锁相环锁住

4

SLEEP

休眠

3

DEEP_SLEEP

深度休眠

2

ACTIVE_PLLDISABLED

激活模式,PLL禁止

1

FULL_ON

所有均使能

0

ACTIVE_PLLENABLED

激活模式,PLL使能

当用户改变锁相环输出频率时,锁相环需要一段过渡时间,来稳定到新的输出频率,PLL_LOCKCNT寄存器所定义的时钟计数就是设置新的时钟频率后,锁相环锁定需要的周期数。

 

二、 电源管理


1.    动态电源管理控制器

        ADSP-BF531的动态电源管理控制器(DPMC)与PLL结合,使用户能够动态地控制处理器的性能和功耗。用户可以利用DPMC提供下面的功能,对性能和功耗进行控制。

  • 多种运行模式——ADSP-BF531有4种不同的运行模式,每个模式的性能和功耗都不同;
  • 外设时钟——用户可以控制外设时钟的关断和接通,当一个外设处于空闲或者未被使用时,可以节省功耗;
  • 电压控制——ADSP-BF531提供一个片上电压调节器,利用buck技术,它能够操纵Blackfin处理器内核的内部电压,从而进一步降低功耗。

 

2.    运行模式

        ADSP-BF531有4种运行模式,每种模式有不同的性能/功耗特性,此外,动态功率管理有动态地改变处理器内核供电电压的控制功能,进一步降低功耗。控制每一个ADSP-BF531处理器外设的时钟也能降低功耗,表5-4总结了各种模式的运行特性。

表5-4 运行模式

运行模式

省电

PLL状态

PLL旁路

CCLK

SCLK

允许DMA访问

全速

使能

使能

使能

L1

活动

使能

使能

使能

L1

休眠

使能

禁止

使能

 

深度休眠

最大

禁止 

 

禁止

禁止

 

(1)  全速模式

        全速模式是Blackfin的最高性能模式。在该模式中,PLL被全能并且不被旁路,该模式是Blackfin正常执行时的状态,处理器和所有被使能的外设以全速运行。在该模式下,输入时钟(CLKIN)对内核时钟(CCLK)的频率比不能被改变。DMA存取可用于L1存储器,处理器可以从全速模式切换到活动、休眠或深度休眠模式。

(2)  活动模式

        在此模式下,PLL被使能,但被旁路。因为PLL被旁路,处理器内核时钟(CCLK)和系统时钟(SCLK)运行于输入时钟(CLKIN)频率下。在此模式下,CLKIN到CCLK倍频可变,直到进入全速运行模式。通过适当地配置L1存储器,可以进行DMA访问。

        在激活模式下,通过PLL控制寄存器(PLL_CTL)能够禁止PLL。如果被禁止,在转换到全速或休眠模式前必须被使能。

(3)  休眠模式

        休眠运行模式通过关闭处理器内核(CCLK)的时钟来降低功耗,然而PLL和系统时钟(SCLK)仍在运行。一般通过外部事件或RTC活动来唤醒处理器。此模式下唤醒的出现将会使处理器检查PLL控制寄存器(PLL_CTL)中旁路位(BYPASS)的值。如果旁路位被关闭,处理器将切换到全速运行模式。如果旁路位使能,处理器将切换到活动运行模式。

        休眠模式时,系统DMA不支持对L1存储器的访问。在休眠模式下,一个唤醒事件可以使处理器切换到下面两个模式之一:

  • 如果PLL_CTL中的BYPASS位被置位,则进行活动模式;
  • 如果PLL_CTL中的BYPASS位被清零,则进行全速模式。

(4)  深度休眠模式

        深度休眠模式通过停止PLL、CCLK和SCLK,达到最省电效果。在该方式中,除了实时时钟(RTC)外,处理器内核以及所有其他外设都被禁止。该模式下不支持DMA。

        在深度休眠模式中,DEEP_SLEEP输出管脚输出有效电平。深度休眠方式只能被RTC中断或硬件复位事件激活。一个RTC中断使处理器切换到活动模式,一次硬件复位启动硬件复位序列。在深度休眠方式中,SDRAM的定时信号被关闭。在进入深度休眠方式之前,软件应该保证将SDRAM中重要信息转换到其他存储器中。

 

3.    片上内核电压调节器

        处理器内部提供了一个开关模式电压调节器,只需要几个外部元件,就可以组成一个电压可以设置的动态电源模块,为内核供电。这样,我们就可以根据不同的处理能力需求,来控制内核电压,达到按需供电的目的。以节约能量。如图5-2所示,图中VROUT为内部调节器PWM 输出,与PMOS、蓄能电感、肖特基二极管以及几个相关的电容,组成典型的BUCK电路。

        当然,在不需要功率控制的情况下,这一部分电路也可以省略,可以用一个固定输出的电路代替。MS531第一版就是采用SPX3819-1.2固定输出的LDO作为内核电源的。VCCINT的范围为0.85~1.30V,不同电压,能支持的最高频率也是不同的。如果要想更好的性能 ,就得保证较高的内核电压。

 

图5-2 电源调节器外部结构

        VR_CTL 寄存器控制着所有的偏上内核电压调节参数,写入VR_CTL后,将会导致锁相环重新锁定。表5-5为VR_CTL寄存器各位的含义。

表5-5 VR_CTL(地址:0XFFC0 0008   复位值0x00DB)

名称

描述

15:9

-

未用

8

WAKE

RTC 唤醒设置

0:不允许RTC唤醒

1:允许RTC唤醒

7:4

VLEV

设定内核电压级别

0000-0101:保留

0110:0.85V

0111:0.90V

1000:0.95V

1001:1.00V

1010:1.05V

1011:1.10V

1100:1.15V

1101:1.20V

1110:1.25V

1111:1.30V

3:2

GAIN

电压输出增益控制,值越大电压调节速率越快,但是容易过冲

00:5    01:10

10:20   11:50

1:0

FREQ

调节器的频率,频率越高需要的电感和电容越小,但是会产生较强的EMI

00:旁路/不工作模式

01:333kHz

10:667kHz

11:1MHz

 

附录:

MS531-II 板子靓照

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