在学校图书馆找到本《电容器手册》，翻了翻里面有关于瓷片电容命名和温度特性的资料，发上来与坛友
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高频瓷片电容应该是属于第一类陶瓷电容的，没有老化现象（容量变小），第二类有老化现象，但是变化
率不是很大（7%/年），老化后重新焊接又可以恢复容量(就是加热到一定温度)。
买瓷片电容的时候可以问下老板，瓷片是上面材质的（前提是有标识   第一类陶瓷介质电容器的温度性质



按照美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示的陶瓷电容器的温度性质有三部分：第一部分为（如字母
C）温度系数的有效数字；第二部分是有效数字的倍乘；第三部分为随温度变化的容差。三部分字母与数
字所表达的意义如下表
         


          第一类陶瓷介质电容温度特性（EIA-198-D）
温度系数α的有效数字                        倍乘                         随温度变化的容差
C=0.0    S=3.3                           0=1        5=+1                    G=±30         L=±500
M=1.0    T=4.7                          1=-10      6=+10                 H=±60         M=±1000
P=1.6     U=7.5                          2=-100    7=+100              J=±120        N=±2500
R=2.2                                        3=-1000  8=+1000            K=±1250

（1）α的额定值和伴随值的限制误差用-20～+85℃间的电容变化来定义，（2）温度系数为0和
限制偏差为±30ppm/℃的电容字码为C0G（类别为1B）



例如C0G（NP0）=±30ppm/℃，C0H=±60ppm/℃，S2H=(3.3*100)±60ppm/℃
第一类陶瓷介质电容器的容量几乎不随温度变化，以C0G为例，±30ppm/℃，实际上温度系数只有一半
，在-55℃到+125℃间，电容量变化为0.3%，其损耗因素在40℃到60℃时最小，绝缘电阻随温度上升而
下降，-40℃时为10000s（ohm*F），+125℃时为200s多一点，电容量基本不因频率变化而改变。

                                

                         第二类陶瓷介质电容器的温度性质
按照美标EIA-198-D，第一部分为最低工作温度，第二部分有效数字为最高工作温度，第三部分为随温度
变化的容差，三部分字母与数字表达意义如下表
                             

                                   第二类陶瓷介质电容温度特性
最低温度                                  最高温度                                   随温度变化的容值偏差
Z=-10℃                            4=+65℃   7=+125℃                  A=±1.0 D=±3.3 P=±10 T=+22%/-32%  
Y=-30℃                            5=+85℃   8=+15℃                    B=±1.5 E=±4.7 R=±15 U=+22%/-56 %      
X=-55 ℃                           6=+105℃                                   C=±2.2 F=±7.5 S=±22 V=+22%/-82%

例子X7R：-55 ℃，+125 ℃，±15%容差；Z5U：+10 ℃，+85 ℃，T=+22%/-32%容差；Y5V：-30 ℃，+85 ℃，
T=+22%/-56%容差

               



                  几种常见的陶瓷介质温度系数如下表
温度特性             温度范围            容量变化或温度系数      工作温度范围          类别
SL                   -55℃～+85℃       +350～1000ppm/℃       -55℃～+125℃          1
C0G                -55℃～+125℃           0±30ppm/℃            -55℃～+125℃         1
C0H                 -55℃～+125℃            0±60ppm/℃           -55℃～+125℃         1
P2H                 -55℃～+85℃             -150±60ppm/℃       -55℃～+125℃         1         
S2H                 -55℃～+85℃             -220±60ppm/℃       -55℃～+125℃         1      
T2H                 -55℃～+85℃              -470±60ppm/℃       -55℃～+125℃        1      
U2J                  -55℃～+85℃            -750±60ppm/℃         -55℃～+125℃        1     
B                      -25℃～+85℃                 ±10%                   -25℃～+85℃          2
Z5U                  -10℃～+85℃               +22%/-56%             -10℃～+85℃          2
Y5V                  -30℃～+85℃               +22%/-82%             -30℃～+85℃          2
R                      -55℃～+125℃                ±15%                  -55℃～+125℃        2                  
X5R                  -55℃～+85℃                  ±15%                  -25℃～+125℃        2
X7R                 -55℃～+125℃                 ±15%                  -55℃～+125℃        2


Y5V瓷片电容


Z5V瓷片


C0G（NP0）瓷片

SL瓷片

Z5U

Y5P瓷片

NPO电容AVX、YAGEO、ROHM、MURATA、TDK 等公司
NPO电容器随封装形式(0402 0603 0805 1206 1210 1808 1825 2220 2225 )不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下面给出了NPO电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF--0.033μF 1000pF--0.018μF
电介质种类：按其温度特性分1.NPO（COG） 2。 X7R（2X） Y5V（2F4） Z5U NPO I类电介质，电气性能最稳定，基本上不随温度、电压与时间性的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路。 X7R II类电介质，电气性能较稳定，在温度、电压与时间改变时性能的变化并不显著，适用于隔直，偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的鉴频电路。由于X7Ｒ是一种强电介质，因而能造出容量比ＮＰＯ介质更大的电容器。 Y5V II类电介质，具有较高的介电常数，常用于生产比容较大的，标称容量较高的大容量电容器产品，但其容量稳定性较Ｘ７Ｒ差，容量、损耗对温度，电压等测试条件较敏感。
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。 NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%

NPO瓷片电容就是：正温度系数和负温度系数都为０的瓷片电容，NPO瓷片电容上都有黑点表示！

一般来说在瓷片的顶端涂有黑色，包装袋也印有NP0字样。多在100P以下。超过100P以后，这样的电容就很少了，即使有，也很贵。4波段有NP0的330P（500V）电容，用于15米LPF。我见过2米机有NP0 1000P，据说是“洋”电容。