原创 Qz基准对数方程

      因为在TCF为零的温度T:Tn时的基准源输出电压近似等于带隙电压可以通过增大V Fn项来碱小所需要晶体管通过小的电流来实现有的关系是通过用大的图标表示I.和用小的图标表示J 2来体现的 Q2的发射极面积比Q,这关系通过使用大的图标表示Qz和用小的图标表示Q这些比例关系都各自被设定t 10左右在室温下V邛因为对数方程减小了其影响，但却限制了其实现如果该变量增大了10倍n则只增加VTln10a:60 niV为了增大V,至240 mV,Is2 则必须要从too增至10 000如果Q的晶体管在，100时是最小R寸的器件，那么要求的截止区由最大尺寸的器件的晶体管）个射极跟随器被级联。

　　这里图4,49如果心1- rrU缎联射极跟随器的电路的VEH倍增缀联两个射极跟随器来使A V增倍，同时芯片面积也只增加了倍。

　　带隙基准源电路中的失调电压的影响也可甜芾J用抵消失调的方法碱小。

　　参考文献18中列举了个CMOS的失调抵消带隙基准潦示例电路，该电路除了有曲率校正之外第四章镜像电流源、有源负载和基准源析了有限卢基极电阻非零和电阻非零温度系数等引起的高阶影抑制，流出的和VT有关的电流改善了流过电阻产生的和vl相关的压降rRo选择合适的比例茁可以使v.册输出带隙电压还可以选择合适的1使V OI:T有合适的温度系数抵消电阻R:的温度系数而使输出电流与温度无关。

　　在很多种电路中，镜像电流源的设计目的是为了产生两个或者更多的电它们有相同的电流大小。

　　这点要求在DlA转换器、运算放大器和检测仪表放大器中显得尤为重要。

　　这里首先讨论双极塑技术的镜像电流源中影响匹配的因素，然后再讨论CMOS工艺中的这同那么集电极电流将正好匹配a但是如果晶体管的参数as以及发射极电阻不匹配，这将造成输出的电流不朝等。

　　对于Q3有第四章镜像电流源、有源负载和基准源其中对数方程可写成无限序列考虑两种重要的极限情况因为g当9mR发射板电阻上的压降比体管的J从几何学角度可以知道J10%当小，失配将主要由电阻的失配和第二项中的晶体管的口从几何学角度，电阻电流源，发射搬电阻可以有效地改善电流的失配程度对pnp电流源。由于风更小，aF的失配更大1因此npn电流源要优于通常在MOS模拟集成电路中常常要用到匹配电流源电路。

　　影响不匹配的因素可以用固4,52中所示的电路进行计算和ML比值和阚值电压方面会有定义平均参数和失配参数，可以得电流的失配包括两个部分。