原创 高功率870nm和940nm红外线发射器

　　Avago Technologies推出一系列采用5mm(T-1 3/4)直插式封装的870nm和940nm波长的高功率红外线(IR, Infrared) LED发射器。这些新型红外线发射器采用高功率铝镓砷化物(AlGaAs) LED技术，具有优异的高发光强度、高速率和低正向电压等特性。HSDL-4250和HSDL-4251的峰值为870nm，在20mA电流下的正向电压仅为1.4V，光学反应升降的时间为40ns。在100mA正向电流时，HSDL-4250的轴线发光强度为180 mW/sr，可视角为15度；而 HSDL-4251的可视角为30度，100mA正向电流时，其发光强度为100 mW/sr。HSDL-4260的峰值为875nm，在100mA电流条件下的标准轴线发光强度为200 mW/sr，可视角为15度，光学反应升降的时间为15ns，在20 mA下的正向电压为1.4V。HSDL-4270和HSDL-4271的峰值为940nm，在20 mA电流下的正向电压为1.3V，光学反应升降的时间为1.3ms。HSDL-4270的轴线发光强度为100 mW/sr，可视角为15度；而HSDL-4271则提供30度可视角和50 mW/sr的发光强度。

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