原创 先进3D芯片堆叠的精细节距微凸点互连（转）

电子工业越来越关注采用硅通孔（TSV）的高密度3D集成，以便应对未来世代IC不断增长的提高微细化和性能的产品需求。这引起了用传统引线键合芯片堆叠封装无法达到的高带宽连接。3D集成要求如芯片-芯片（D2D）或芯片-晶圆（D2W）这样的物理堆叠，同时在器件的输入/输出针脚间形成永久的电气和机械连接。基于焊料的微凸点(μbump)连接技术是实现精细节距D2D互连非常有前途的方法，这是因为与Cu-Cu热压键合比较，其键合温度低而且对几何尺寸变化的容差高，Cu-Cu热压键合一般需要长时间300℃以上的键合温度。

本文研究主要考虑基于CuSn金属互化物的微凸点(μbump)作为芯片堆叠的手段。系统研究了形成金属互化物凸点连接的两种方法。一：瞬时液相(TLP)键合，在此过程中，全部Sn焊料熔化，随后通过与焊料盘的作用及凸点下金属化层(UMB)转变为金属间化合物。这些金属间化合物的特点是比焊料本身有更高的熔点。这就可以在对金属间的微连接处没有破坏的情况下进行多芯片连续堆叠、封装构成(倒装芯片，重叠模压)和封装装配。典型的Sn TLP键合温度在240℃以上，高于其熔点232℃。二：固态扩散(SSD)键合，键合温度低于Sn的熔点，一般小于200℃。在此过程中，通过固态交互扩散形成金属间化合物，而不是TLP键合中的液-固反应。另一个不同点是一些未反应Sn可能存在于键合后的连接中。由于SSD键合温度低于Sn的熔点，它不会在较低阶段的堆叠时将焊料连接再熔化，因此也能重复堆叠另外的各层。但金属间各相有望随时间进一步生长，最后将微连接中全部未反应的Sn起反应。

除了Cu/Sn微凸点(μbump)互连外，实现芯片与芯片互连的另一替代方法是基于铟(In)的精细节距焊料凸点。铟是非常软的材料，熔点低(156℃)，但成本高，一般局限于高端成像传感器一类的特殊应用。

实验

本文全部实验均用5×5mm2 Imec封装测试芯片进行。图1是晶圆上一些关键测试图形的照片。这些芯片由氧化物介质中的标准单大马士革Cu互连层组成、用氧化物/氮化物层钝化。用于微凸点互连的测试结构主要是菊花链触点的周边行。在一种测试芯片中，它们连接总计480个直径25μm的微凸点连接点，节距为40μm。另一种测试芯片含有8200个直径25μm的微凸点阵列，节距为50μm。微凸点形成工艺是用半加成电镀技术。首先依次淀积Ti/Cu籽晶层和光刻胶层。然后进行光刻确定用于微凸点的开口区域。将光刻胶显影后，再依次电镀Cu和Sn，形成微凸点。最后，剥离光刻胶层，将Ti/Cu籽晶层刻蚀掉。

图1所示测试芯片采用60μm周边焊盘节距，并与TSV结合使用。实现这些TSV所用的工艺有详细描述。加工TSV前，把晶圆厚度减至50μm。TSV直径是25μm，深度为50μm。TSV Cu填充和微凸点形成在单一工艺中结合完成。Ti/Cu籽晶层在TSV刻蚀后淀积于深宽比为2的50μm TSV上。Cu填充前，应用10μm厚负光刻胶掩膜层，它允许同时形成Cu填充TSV和Cu/Sn凸点。用Cu填充TSV后，直接镀一层3.5μm厚Sn层。光刻胶剥离后，用化学方法除去金属籽晶层。

测试样品的键合在SET FC-150倒装芯片键合机上温度为150-250℃时进行。键合前应用不同的清洗剂（如助溶剂）。键合期间加压(5MPa-150MPa)，键合时间3-20分钟。

键合后，测量交织的菊花链的电阻和绝缘以检查互连的电气性能。有些样品还送去做X截面SEM检验。

结果

微凸点由焊料凸点和上芯片上的UBM组成。可焊金属“凸点焊盘”（此例中为Cu）置于下面的衬底上。焊料微凸点的使用也是选项，但本实验未使用。焊料与UBM/可焊金属的反应结果形成金属间化合物，因此上下芯片就连接。本研究中，UBM是Cu或Cu/Ni双金属层，而焊料凸点或包含纯Sn，或包含SnAg。图2是φ25μm微凸点的光学干涉测量剖面，在Cu/Ni UBM上形成了SnAg焊料凸点。

由于Sn和Cu的吉布斯（Gibbs）自由能低，二者均易被氧化。实际上发现，去除氧化物对确保SSD键合的金属间化合物形成至关重要。一些商用清洗剂(如助溶剂)和稀有机酸在倒装芯片键合过程中清洗Cu和Sn。助溶作用也可以用所谓非流动底层填充料(NUF)提供。优点是可与封装装配工艺同时进行底层填充工艺。但它们均不能在很低温度下有效去除氧化物。这使我们的SSD键合温度不能低于150℃。实际上，不同清洗剂的结合给出了150℃时的最佳键合结果。去除氧化物对于TLP键合的重要性不大，此时液态Sn能润湿Cu UBM形成金属间化物。

发现键合压力是SSD键合中形成良好金属间化物连接的又一重要因素。存在一个约20MPa的下限压力，低于此值时焊接连接处含有的孔洞一类的缺陷太多，因而电连接不良。但是，150MPa几乎是上限压力，高于此值时Sn横向受到挤压，能在邻近的凸点间引起电短路。对40/15μm节距/间距凸点连接来说，50MPa已足以获得高良率器件。

与SSD键合不同，应用于TLP键合的压力要小得多，2.5-10MPa对电良率不产生什么差异。

考虑工艺简易和连接界面质量之间的最佳折中，以NUF键合为基础工艺。这消除了毛细管底层填充的需求。进而通过采用初始高度并行的芯片至晶圆的取放、随后集中键合芯片的方法增加工艺产出。该方法已被证明能用于全200mm晶圆级(图3)。对于TLP和固态扩散键合方法，40/15μm节距/间距周边阵列芯片，获得了90%以上的器件良率。

对TLP和SSD键合时空洞的形成也作了研究。除了由于夹带清洗剂残留物形成空洞外，还在Cu3Sn相中观察到名为柯肯达尔（Kirkendall）空洞的较小亚微米空洞，Cu3Sn相在Cu-Sn键合后形成。为了研究制备方法对空洞形成的影响，对不同Cu/Sn/Cu三明治结构做了老化实验。发现空洞最初位于Cu和Sn界面处，但随老化的进展，更多空洞逐步漂离这一表面。在金属间化物连接中心也能观察到大量空洞。Cu/Sn/Cu表面薄膜中也发现柯肯达尔（Kirkendall）空洞，这里三明治薄膜是顺次电淀积形成。不过，将微凸点样品与表面薄膜堆叠(此堆叠持续老化到全都转换成Cu3Sn相为止)比较时，观察到在Cu-金属间化物界面处和在连接中心内的空洞形成密度的不同(图4)。因为Cu/Sn/Cu表面薄膜是用同一电镀化学过程淀积的，不过没有附加还原剂，这些还原剂污染物会增加空洞成核和生长。

最后，我们说明基于CuSn金属间化物微凸点在用后通孔方法形成的堆叠芯片中的应用。节距为60μm周边阵列TSV的3D晶圆级封装(3D-WLP)TSV器件堆叠在匹配的Si衬底上(图5)。这些器件有菊花链连接，以监控TSV+微凸点连接的电学连续性。观察到Cu-Sn堆叠工艺具有高良率。

用精细节距Cu/Sn微凸点实现薄芯片堆叠。瞬时液相键合和固态扩散键合二者均有高电学良率。