可变光衰减器(Variable Optical Attenuator,VOA)是光纤通信中一种重要的光无源器件,通过衰减传输光功率来实现对信号的实时控制,可与光波分复用器(WDM)、分光探测器(TAP PD)、掺铒光纤放大器(EDFA)等光器件构成ROADM、VMUX、增益平坦EDFA等模块,还可直接用于光接收机的过载保护。另外,光功率计等仪器仪表的计量、定标,也需要使用到VOA。
反射式MEMS VOA是基于MEMS芯片封装的微型光器件,设计思想来自于传统机械型VOA,不同的是驱动装置由庞大的步进电机变为静电开合桥,静电梳,翘动结构,压电驱动等,其工作原理如图1所示。
图1 反射式MEMS VOA原理图
基于MEMS技术的反射式VOA的结构主要分为两部分。一部分是由双芯插针和C透镜等构成的准直器组成,作为光的输入和反射输出通道。可对插针斜面角度、C透镜曲率半径和材料等参数进行优化设计,制作出不同指标要求的MEMS VOA。另一部分是MEMS密封件,通过贴片、金丝键合、真空封帽等精密工艺将MEMS芯片封装在稳定可靠的密封环境内。外界施加几伏或十几伏的电压到器件的正负引脚后,由于MEMS芯片的特定构造,在硅基镀金面与镀金反射镜面之间产生静电力,驱动MEMS芯片反射面发生微量角度的转动,从而带来入射到MEMS芯片镜面的反射光同步偏移,导致返回光的模场与耦合的单模光纤模场形成失配,产生了衰减。随着施加电压的变化,衰减也相应地变化,连续可调。当正负极间施加反偏电压时,器件仍能正常地工作。
高精密封装是MEMS VOA制作的关键所在,绵阳超光通信制作的MEMS VOA器件外形尺寸仅为5.5×22mm(不计焊接用引脚长度)。
VOA的技术指标主要包括:工作波长范围、工作温度、动态衰减范围、插入损耗(IL)、回波损耗(RL)、偏振相关损耗(PDL)、温度特性和波长相关损耗(WDL)等绵阳超光通信制造的MEMS VOA主要指标见表1,已达到行业内同种产品的较高水平。与同类公司相比,超光的器件还具有更佳的防静电能力与长期稳定性,且能灵活提供不同电压(5V&18V)需求的产品。此外,其重量不到3g,功耗小于5mw,响应时间一般为2~3ms,非常有利于模块拼接,为光通信系统的小型化和集成化作出了重大的贡献。
表1绵阳超光通信 MEMS VOA主要性能指标
波长范围 | 工作温度 | 插损 | 回损 | 衰减范围 | 偏振相关损耗 | 温度相关损耗 |
C&L | -5℃-75℃ | ≤0.8dB | ≥55dB | ≥30dB | ≤0.3dB | ≤1dB |
上表中的偏振相关损耗与温度相关损耗都是在整个衰减范围内(0~30dB)测试,波长相关损耗则可以根据需求进行定制。同时,超光通信还提供具备断电保护功能的Dark型MEMS VOA,零伏复位衰减可以达到45dB以上,能满足更多光通信线路的应用。
MEMS VOA的模块级应用
1.低成本OADM模块
2. VMUX模块
3. 增益可调EDFA模块
随着DWDM技术的飞跃发展,VOA也得到了越来越广泛地应用,主要用于DWDM系统中各信道的功率均衡、实现增益平坦、动态增益平衡和功率过载保护。在各种不同制造技术的VOA中,基于MEMS的VOA具备显著的优势,也吸引了全球光通信厂商的目光。MEMS VOA常与DWDM、EDFA和TAP PD等一起组合成模块使用,在光通信系统小型化与集成化的前行之路上,已做出了巨大的贡献。
当MEMS技术更趋成熟时,芯片的制造成本也会急剧下降,将不再是器件的主要成本因素。由于MEMS器件的封装需要在净化的防静电环境下进行,且封装工艺精密复杂,因此设法降低MEMS VOA的封装成本将是各器件制造商应该考虑的关键问题。
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