可控硅作为一种电子电路中常见的元件,是很多工程师们都熟悉的元件之一。在平时的应用过程中,可控硅有时会因为某些原因失去控制,那么导致可控硅失去控制的常见原因都有哪些呢?其实造成可控硅失控的情况,大致上可以分为三类,在今天的文章中,我们将会就可控硅元件失控的三个原因展开详细分析。
首先来看第一个造成可控硅元件失去控制的原因,那就是可控硅的正向阻断力降低。在平时的应用中,如果可控硅长时间不用,而同时又因为密封不好的缘故受潮,那么可控硅元件正向阻断能力是很轻易降低的,可控硅元件的正向阻断能力降低到低于整流变压器的二次电压,硅元件就不要等触发脉冲到来就会自然的导通,导致脉冲控制不会起作用,输出的电压波形是1个正半波,使得励磁电压提升。
导致可控硅元件失控的第二个常见原因是电路中的维持电流过小,由于发电机转子是以电感为主的大电流负载,对于半控桥来讲,电压过零以后,电流不是零,即使半控桥在电感负载侧设有续流管,不过要是续流管的管压降高于导通的可控硅元件的管压降,电感上的电流除了大部分从续流管流过外,仍有部分电流在原导通的可控硅上流过。这个电流虽然是衰减的,但是在外加电压整个负半周,电流仍未能减到小于维持电流,到下1个正半周到来时,该硅元件就不需要等触发脉冲到来就继续导通。如此连续下去,一相可控硅连续导通,同样会因输出大电流而造成误强励。
触发器丢脉冲是第三个造成可控硅元件失去控制的重要原因,在电路系统正常运行的前提下,如果三相脉冲正常,即使维持电流很小可控硅元件也可以确保正常换相,不会出现失控的情况,而一旦出现了丢脉冲的情况,则可控硅就不可以确保正常换相,元件本身也一定会失控。
以上就是本文针对三种导致可控硅元件失控的原因,所进行的简单总结和分析,希望能够对各位工程师的日常工作有所帮助。
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