原创 半导体三极管的损坏【转帖】

        [摘  要]  三极管的损坏，主要是指其PN 结的损坏。按照三极管工作状态的不同，造成三极管损坏的具体情况是：工作于正向偏置的PN 结，一般为过流损坏，不会发生击穿；而工作于反向偏置的PN 结，当反偏电压过高时，将会使PN结因过压而击穿。

        [关键词]  三极管；击穿；偏置

        半导体三极管在工作时，电压过高、电流过大都会令其损坏。在课堂上我们了解到，其实三极管被击穿还不至于到损坏，但其击穿后功率过大、温度过高会令三极管烧坏。

        下面，我们将对每一种可能的情况进行探讨、浅析。

        从半导体三极管的内部结构来看，它相当于两个背靠的PN结(即发射结和集电结)。这两个 PN结，对于PNP 型三极管来讲，相当于两只负极在一起的二极管，如图1所示，对于N PN 型三极管来讲，相当于两只正极在一起的二极管，如图2所示。

        而其实三极管的损坏，一般是由于二极管的 PN结损坏构成的。在不同的工作状态下, 发生损坏的情况与这两个 PN 结的偏置情况有关。总的来讲,  工作于正向偏置的 PN  结,  当通过的电流过大时,  将会使它的功率损耗过大而烧坏, 但由于正向偏置的 PN 结两端电压很低(锗 PN结约为0. 2V 左右, 硅PN结约为0. 7V 左右) , 故此时不会使 PN 结发生击穿;  而工作于反向偏置的 PN  结,  当反偏电压过高时,  将会使 PN结击穿,  如击穿后又未限制流过它的反向击穿电流,  将会使击穿成为永久性的、不可逆的击穿, 从而造成其彻底损坏。

        在这里，我们先介绍一下三极管的各种参数：主要了解三极管的3个极限参数：I_cm、 BV_ceo、 P_cm即可满足95%以上的使用需要。

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•  I_cm是集电极最大允许电流。三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β 将下降。为此规定三极管的电流放大系数β 变化不超过允许值时的集电极最大电流称为I_CM。 所以在使用中当集电极电流I_C 超过I_CM时不至于损坏三极管，但会使β 值减小，影响电路的工作性能。
  
• BV_ceo 是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。
  
• P_cm是集电极最大允许耗散功率。三极管在工作时，集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。若耗散功率过大，三极管将烧坏。在使用中如果三极管在大于 P_cm下长时间工作，将会损坏三极管。需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率散热器情况下的参数。  

        以下就对各种工作状态下的三极管进行分析：

        1  工作于放大状态的三极管

        工作于放大状态下的三极管,  其发射结是正向偏置的,  集电结是反向偏置的,  管子有电流放大作用,  因此可能出现下面三种损坏情况：

        （1）输入信号过大,  或偏置过大,  使得流过发射结 的正向电流过大,  结上功率损耗过多而将发射结烧坏。

        （2）输入信号偏大,  或偏置偏高,  虽尚未造成发射结烧坏, 但经管子的电流放大作用,  使得流过集电结的集电极电流过大,  集电结功率损耗过多而将集电结烧坏。

        （3）工作电压过高,  使得集电结的反偏电压过高造成集电结击穿并进一步使集电结损坏。  

        在上数三种损坏的情况中,  出现较多的是后面两种。

        2  工作于饱和状态的三极管

        工作于饱和状态的三极管,  发射结和集电结都处于正向偏置, 这时两个 PN 结的电压以及三极管的 c、e 间的电压 V_ces都很低, 一般不会出现击穿损坏。 但是,  如果输入信号过大, 或偏置过高, 就有可能使得流过发射结的电流过大,  造成功耗过多而将发射结烧坏。三极管工作于饱和状态时,  流过集电极的电流为饱和电流 I_cs, 它只由电源电压及负载电阻决定,  不受基极电流控制,  故不会因输入信号偏大、偏置过高而将集电结烧坏。但是,  如果电源电压过高或负载过小,  饱和电流 I_cs 将比较大,  有可能使管子的功率损耗大于管子集电极最大耗散功率,  而将集电结烧坏。实践中,  只要管子选得合适, 这种损坏出现的机会是比较少的。

         3  工作于截止状态的三极管

        工作于截止状态的三极管，发射结和集电结都处于反向偏置，流过各极的电流都是反向电流，其数值很小，接近于零，因此各个PN结的功率损耗也都很小，一般不会出现烧坏的现象。但是由于各个PN结都是反向偏置的，承受着反偏电压，所以有可能出现以下两种损坏情况：

        （1）由于输入信号过大，或加在发射结上的静态反偏压过高，有可能使发射结击穿并进一步损坏。由于一般常用的小功率三极管的发射结击穿电压都不高，如扩散型锗管约为1V 左右，平面型硅管也只有4V 左右, 如使用不慎, 击穿现象常会发生。

        （2）由于电源电压过高,  使得集电结反偏电压过高,  就会造成集电结击穿并进一步损坏。集电结损坏后如呈短路状态,  电源电压还会通过损坏了的 PN 结直接加在发射结上, 成为发射结的正向偏置电压,而将发射结烧坏。一般地说, 发生这种故障的机会比出现下面将要介绍的“击穿”损坏的机会要少得多,这是因为在三极管的各个击穿电压中,  集电结的击穿电压是最高的。

        4  工作于倒置状态下的三极管

        三极管工作于倒置状态，就是将集电极与发射极互换：集电极当作发射极使用，而发射极当作集电极使用。例如，TTL 数字集成电路中作为信号输入用的多发射极三极管，当输入为“1”(高电平) 时，就是一个倒置使用的三极管。三极管在倒置使用时, 它的两个PN 结的偏置情况与工作在放大状态时是相反的：发射结反向偏置，集电结正向偏置。因此，集电结可能烧毁，而发射结可能击穿。但是，由于工作于倒置状态的三极管的电压放大倍数β通常很小, 如平面三极管倒置使用时的β值约为 0. 1～ 0. 5，因此一般不会出现烧坏的情况。目前已经很少使用三极管作倒置状态，故对此不作详细分析。

        值得一提的是，三极管除有以上几种损坏情况外，还有一种特殊的损坏情况，这就是当反向电压很高时，集电结上的反向偏压越来越大，其耗尽层越宽，向基区扩展得越来越多， 结果使基区的有效宽度减小，这种现象叫基区调宽效应。如果基区的厚度越来越薄，最后趋于零，发射结和集电结连到一起，如图3 所示, 这种现象叫“穿通”。

         穿通后，三极管的集—射间穿透电流I_ceo 非常大，致使集电极与发射极之间相当于短路。这时，如果用万用表的电阻挡去测量集电结和发射结的正反向电阻，会发现它们都是正常的，即两个PN结都没损坏。但当测量集电极和发射极之间的电阻时，却接近于零，说明三极管穿通了，不能使用。三极管在过热后，两个PN 结虽然都没损坏，但其热稳定性变坏，穿透电流变得很大，此时用万用表测量的情况与穿通了的管子类似，此种管子也应认为是损坏的。总之，三极管损坏的原因是很多的，我们在分析和设计电路时，要根据具体情况来计算，从而避免三极管的损坏。