警告
|
|
布线时请务必切断电源 否则可能触电。
|
|
|
通电中不要接触MOS FET的端子部 (充电部)。接触充电部的 话可能导致触电。
|
|
|
|
1.MOS FET的输入回路、输出回路上不要施 加过电压、过电流。否则可能导致 MOS FET故障以及引起火灾。
2.布线以及焊接请按照焊接条件正确地 进行。焊接不完全的状态下使用的 话,可能会由于通电时异常发热而引起烧毁。
|
|
●关于降额设计
为实现系统要求的信赖度,降额措施必不可少。
为充分放心地使用MOS FET继电器,除了对最大额定值和推荐动作条件采取降额措施外,条件允许时还请在根据使用环境条件确认实际设备的基础上,进行留有充足余量的设计。
(1)最大额定值
最大额定值为即使是瞬间也不能超过的规定值,存在多个额定值时,不能超过任意一个数值。超过最大额定值时,可能导致MOS FET继电器内部的劣化以及集成电路块的损坏。因此,为了充分放心地使用MOS FET继电器,对于电压、电流、温度的最大额定值,请测算出足够的降额后再进行设计。
(2)推荐动作条件
推荐动作条件是为了让MOS FET继电器准确进行动作、复位而推荐的动作条件。
为了充分放心地使用MOS FET继电器,请在考虑推荐动作条件的基础上进行设计。
(3)实施失效保护
可能会因MOS FET继电器的故障、特性劣化及功能异常等对系统的安全动作造成重大影响时,建议根据用途实施失效保护措施。
|
●MOS FET继电器驱动回路的代表例
|
C-MOS的场合
|
|
晶体管的场合
|
|
为了保证MOS FET继电器正确的动作, 求得LED电流限制电阻的方法为 :
电流限制电阻
|
为了保证MOS FET继电器正确的动作, 求得LED顺向电压的方法为 :
复位电压(LED顺向)
VF(OFF)=VCC —IFR1—VOH < 0.8V
|
●输入侧浪涌电压保护
|
向输入端子施加反向的浪涌电压时,与 输入端子反响并联二极管,不要施加 3V 以上的反方向电压。
|
输入侧的浪涌电压保护回路例
|
|
●输入侧浪涌电压保护
|
输出端子间出现超过绝对最大额定的 电压时,负载上并联C-R 缓冲器、反 向二极管以限制过电压。
|
输出侧过电压保护回路例
|
|
●关于未使用端子
|
·6脚型的3号端子用于MOS FET继电器的内部回路,因此外部回路
上不要有任何连接。
|
●关于自动封装时的卡抓保持力
|
自动封装时的卡抓保持力,为了保持 MOS FET继电器的特性,请将压力设定 如下:
|
|
●关于负载连接方法
|
MOS FET继电器在动作中将输出端子 间进行短路的话会成为故障的原因,应 避免短路。
|
|
●关于预估寿命
|
本公司MOS FET继电器使用的LED分为两大类,并根据LED的种类预估寿命。
各MOS FET继电器和所使用的LED对应表如下所示。此外,下页刊载了预估寿命数据。
此外,该结果是根据单个批次产品的长期数据进行预估的,因此请用作"参考数据"。
|
使用GaAs LED的MOS FET继电器型号对应表
DIP
|
SOP
|
SSOP
|
G3VM-61A1/D1
|
G3VM-21GR
|
G3VM-201G
|
G3VM-21LR
|
G3VM-61B1/E1
|
G3VM-21GR1
|
G3VM-201G1
|
G3VM-21LR1
|
G3VM-62C1/F1
|
G3VM-41GR3
|
G3VM-S5
|
G3VM-41LR3
|
G3VM-2L/2FL
|
G3VM-41GR4
|
G3VM-201H1
|
G3VM-41LR4
|
G3VM-351A/D
|
G3VM-41GR5
|
G3VM-202J1
|
G3VM-41LR5
|
G3VM-351B/E
|
G3VM-41GR6
|
G3VM-351G
|
G3VM-41LR6
|
G3VM-352C/F
|
G3VM-41GR7
|
G3VM-351G1
|
G3VM-61LR
|
G3VM-353A/D、353A1/D1
|
G3VM-41GR8
|
G3VM-351GL
|
G3VM-81LR
|
G3VM-353B/E、353B1/E1
|
G3VM-61G1
|
G3VM-353G、353G1
|
G3VM-101LR
|
G3VM-354C/F、354C1/F1
|
G3VM-61G2
|
G3VM-351H
|
——
|
G3VM-355C/F、355CR/FR
|
G3VM-61VY
|
G3VM-353H、353H1
|
G3VM-WL/WFL
|
G3VM-61GR1
|
G3VM-352J
|
G3VM-401A/D
|
G3VM-61H1
|
G3VM-354J、354J1
|
G3VM-401B/E
|
G3VM-62J1
|
G3VM-355J、355JR
|
G3VM-401BY/EY
|
G3VM-81G1
|
G3VM-401G
|
G3VM-402C/F
|
G3VM-81GR
|
G3VM-401H
|
G3VM-601BY/EY
|
G3VM-81GR1
|
G3VM-402J
|
——
|
G3VM-81HR
|
G3VM-601G
|
|
使用GaAlAs LED的MOS FET继电器型号对应表
DIP
|
SOP
|
SSOP
|
G3VM-61BR/ER
|
G3VM-21HR
|
G3VM-21LR10
|
——
|
——
|
G3VM-41LR10
|
G3VM-41LR11
|
|
●清洗助焊剂
(1)清洗助焊剂时,请确保不残留钠、氯等反应性离子。部分有机溶剂可能会与水反应产生氯化氢等腐蚀性气体,从而导致MOS FET继电器劣化。
(2) 用水清洗时,请避免产生残留(特别是钠、氯等反应性离子)。
(3) 清洗中或者清洗液附着在MOS FET继电器的状态下,请勿用刷子或手擦洗标记面。否则可能导致标记消失。
(4) 浸泡清洗、冲洗及蒸汽清洗均请利用溶剂的化学作用进行清洗。关于溶剂或蒸汽中的浸泡时间,请考虑对MOS FET继电器的影响,在液温50℃以下、1分钟以内进行处理。
(5) 通过超声波清洗时,请在短时间内完成。长时间的清洗会降低模具树脂与型材间的密合性。此外,推荐的基本条件如下所示。(超声波清洗的推荐条件)
频率:27~29KHz
超声波输出:300W以下(0.25W/cm2以下)
清洗时间:30秒以下
此外,请使其悬浮在溶剂中进行清洗,并避免超声波振子与
印刷电路板及MOS FET继电器直接接触。
|
●关于焊接封装
|
焊接封装应在符合下述条件的基础上尽可能防止本体温度的升高。
(流焊接)
印刷基板用端子型※仅1次
(流槽的设定温度)
封装用焊接
|
准备加热
|
焊接
|
(铅焊接)
SnPb
|
150℃
60~120秒
|
260℃
10秒以下
|
(无铅焊接)
SnAgCu
|
150℃
60~120秒
|
260℃
10秒以下
|
注意:关于使用,建议根据用户的实际使用条件进行确认。
(回流焊接)
表面安装端子型(DIP、SOP包装)※最多可2次
(包装的表面温度)
封装用焊接
|
准备加热
|
焊接
|
(铅焊接)
SnPb
|
140-160℃
60~120秒
|
210℃
30秒以下
|
峰值
240℃以下
|
(无铅焊接)
SnAgCu
|
180-190℃
60~120秒
|
260℃
30~50秒
|
峰值
260℃以下
|
表面安装端子型(SSOP包装)※最多可2次
(包装的表面温度)
封装用焊接
|
准备加热
|
焊接
|
(铅焊接)
SnPb
|
140-160℃
60~120秒
|
210℃
30秒以下
|
峰值
240℃以下
|
(无铅焊接)
SnAgCu
|
180-190℃
60~120秒
|
260℃
30~50秒
|
峰值
260℃以下
|
注1:关于使用,建议根据用户的实际使用条件进行确认。
注2:以卷切品购入的SSOP产品因无防湿包装,请在封装时先进行焊接。
(预焊接)※仅1次
350℃ 3秒以内或260℃10秒以内
|
●保存条件
(1)请保存在不会有水淋到、无阳光直接照射的场所。
(2)搬运和保存时,请按照包装箱上的注意事项进行处理。
(3)请保存在常温、常湿、常压的场所。此外,温度和湿度请以5~35℃、45~75%为大致标准。
(4) 请保存在硫化氢等腐蚀性气体及含盐气流不会触及产品,及用肉眼判断无尘埃的场所。
(5) 请保存在温差较小的场所。保存时温度的剧烈变化会导致结露、导线的氧化与腐蚀等,并引起焊锡熔析性的劣化。
(6) 将MOS FET继电器从包装中取出后再次保存时,请使用经过防带电处理的存放容器。
(7)无论何种场合,请勿对产品施加会导致变形、变质的力。
(8) 本公司产品的保证期限为产品购买后或交付到指定场所后的1年之内。通常存放一年以上时,建议在使用前先确认锡焊性。
|
●使用条件
〈温度〉
MOS FET继电器的各种电气特性受使用温度限制。在动作范围外的温度条件下使用时,不仅会导致无法实现电气特性,还会导致MOS FET继电器的过早劣化。因此,请预先掌握温度特性,并在考虑降额*的基础上进行设计。(*降额:减少压力)此外,使用温度条件请考虑降额,并将推荐动作温度当作一个参考标准。
〈湿度〉
在高湿度环境下长期使用时,将导致水分渗入内部,从而引起内部集成电路块的劣化和故障的产生。具有高信号源阻抗的系统中,其基板漏电及MOS FET继电器的导线间漏电会导致误动作。上述情况下,请考虑对MOS FET继电器表面进行防湿处理。另一方面,低湿度下的静电放电会导致继电器损坏,因此在未特别进行防湿处理时,请在40~60%的湿度范围内进行使用。
|
文章评论(0条评论)
登录后参与讨论