原创 MSP430常见问题之FLASH存储类

Ｑ3: 430里面Flash的主存储区和信息存储区有什么区别么？是不是程序是保存在主存储区里面的?那信息存储区是存什么信息的呢？存进去之后是不是随时能够读写出来呢?
A3: Flash分主Flash和信息Flash。如你所说,Flash主存储区主要来存储程序。信息Flash就是保存数据用的，可以随时读取。不过从物理特性而言他们是一模一样的，就段的长度有区别。当然信息段你也可以用来存储程序使用。

Q4：在flash 单字节写的时候,如我写在D区,可以不用全部清D区吗?因为D区还有先前保存的数据.
A4： 不可以。只能先读出然后全部擦除再重新写入,如果FLASH可以如您说的那么操作,那就是EEPROM了

Q5： 目前使用的单片机是5V供电，买的flash存储芯片3.3V供电，单片机和存储芯片的连接是怎么的呢？我查看一些相关资料，说是可以直接连接，但是直接连接有问题，请问如何连接？？需要什么样的方法？？
A5： 最好在FLASH与MCU之间接一个电平转换芯片, 或者用MOFET管转换一下电平。

Q6：请问擦写FLASH 选择频率时,有没有要特别注意的,如果我用8M的,不分频,这样可以吗?
A6：要注意啊，擦写Flash的频率在250～470K（具体可以查查手册）；必须对FCTL2进行设置，使频率在这个范围内。

Q7: 用jtag接口往430 中写程序会不会破坏原有flash信息段保存的数据啊？
A7：取消擦除信息段选项，即在IAR project 的options 选项中DEBUG 下的选项。

Q8：从数据手册上来看，在写的过程中，好像要求判断BUSY位来决定接下来的操作，可是为什么TI的例程里面没有判断BUSY bit ？是不是MCU会自动判断？
A8：430对FLASH的写操作多种。比如块写（××OCKWRITE）和字节/字写（BYTE/WORDWRITE），在不同模式下，允许写的操作也不同。比如在字节写（BYTE WRITE）操作下，允许在FLASH MEMORY或在RAM下进行。当在FLASH MEMORY下进行写操作时，此时CPU是挂起的，直到写操作完成它才能执行下一个指令操作，但是当擦除程序是在RAM内初始化的，那么CPU就可以一直执行，如果不判断ＢＵＳＹ位的话，当RAM内代码执行完毕（us级），ＰＣ跳转到FLASH，而此时FLASH还再做擦除操作（ms级）就会造成非法访问，产生不可屏蔽中断。

Q9：MSP430的编译器默认是将数组定义在RAM 里面。请问如果我要将定义的数组直接保存在flash里面应该如何定义呢？是不是要修改编译器的某个配置信息，然后直接用const 定义呢？
A9：这个如何分配，以及用什么关键字都是由编译器决定的，如果你用的是IAR Embedded Workbench for 430，那再在数组声明的时候，前面加一个CONST那么在编译的时候就会将数组分配到FLASH空间。如果不加const默认的情况是分配到RAM空间的。