在充电电流比较大的应用中，用户往往使用多颗PMOSFET并联使用作为高边开关，成本较高，且体积较大。在此电路中MX5069配合NMOSFET不仅可以降低成本、缩小体积，而且可以实现多种保护功能。
而在防反电路中用户往往使用肖特基并联，不仅体积大、压降大，而且由于肖特基压降的负温度特性导致并联失衡，容易炸管。推荐用户使用MX16171D100配合MOSFET可以完美解决上述肖特基带来的问题。
MX5069除了应用于充电回路以外，在BMS的放电回路同样适用，如果用户为了实现负端地的连续性，往往使用高边放电NMOSFET，如下图所示
作者： 王萌， 来源：面包板社区
链接： https://mbb.eet-china.com/blog/uid-me-3932082.html
版权声明：本文为博主原创，未经本人允许，禁止转载！
/2 
王萌 2023-9-22 10:21