从第一页可以看出通常BCD芯片都有很多层光罩，每层光罩都有清洗，涂胶，光罩，显影，蚀刻去胶，参杂/扩散，推进等步骤，根据产品不同而BCD工艺通常需要15-30层,而普通的SGT MOS通常只有３－８层，这就是为什么BCD的LDMOS比SGT的MOS贵，所以才有了后面的很多合封的Controller+Power MOS！
从第二页的芯片垂直刨面来看，衬底通常都是P衬底开始，这个P是芯片的大地，这就是为什么芯片耐负压通常－０.３不能小于－０.７的原因，一旦负压小于－０.７ｖ那么PN结就会导通，产生衬底电流，所以在有负压比较多的地方比如电机驱动等场合要用SOI的工艺或者特别的内部设计和连接处理
经过了10-30层的工艺处理就成了wafer，为了降低后道封装时候的报废，在封装之前，先要把不良的裸芯筛选出来，这就是wafer probe的测试，测试完了之后才会到封装厂进行的背磨，把wafer从800um到1mm的厚度磨到只有200-300um，然后就可以切割分离了，把分离的芯片通过机器loading到封装的金属框架上并进行高温的焊接bonding连线，之后才进行molding成型，在把裸露在外面的金属引脚镀锡方面后面PCBA的焊接，打标签和弯角切割等最后形成我们用在PCB上面的成品
作者： 王萌， 来源：面包板社区
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