原创 集成了100V 180A　NMOS的大功率理想二极管MX5050TL10R25

肖特基二极管广泛用于电源系统设计，可在各种输入电源故障条件下提供保护，并通过并联电源提供系统冗余。汽车电源系统设计使用功率肖特基二极管，可在电池反向和各种汽车电气瞬变条件下提供保护。工业系统传统上采用肖特基二极管提供反极性保护以防止现场电源接线错误，并提供对雷电和工业浪涌的抗扰能力。常用的工业系统、电信服务器、存储和基础设施设备均采用肖特基二极管来提供系统冗余，或通过对两个或更多电源采用 ORing 电路来增加功率容量。然而，肖特基二极管的正向压降会在大电流下产生显著的功率损耗，从而更需要使用散热器和更大 PCB 空间来进行热管理。正向传导损耗和相关的热管理会使效率降低，并使系统成本和空间增加。随着系统功率水平的提高以及功率密度需求的增加，肖特基二极管不再是新一代高性能系统设计的优先选择。

集成了NMOS 100V 180A的理想二极管模块能够代替大功率20~30A,100V的肖特基，产品尺寸更小，可靠性更高，压降低功耗小，反向截至时间快，能够提高电源 ORing 应用的效率和性能

MX5050TL10R25高侧 OR-ing 模块是集成了100V的理想二极管控制器和100V 2.5mΩN-MOSFET构成的功率模块，采用紧凑的TOLL的封装，当与电源串联时，可用作理想的二极管整流器

    当输入电压IN比输出OUT高20mV的时候，理想二极管控制器内部就产生电荷泵电压导通集成的2.5毫欧的NMOSFT，导通压降相比大功率的肖特基700mv能够减小到20mV，非常有效的减少功耗，降低了客户工程师使用大功率肖特基产生的热处理难题

　当输入In电压小于Out电压20mv左右时候，这时候内置的高速比较器就把NMOSET的Vgs连接到一起迅速的关断NMOS，该MX5050TL10R25可连接到 5V ~ 90V 的电源，并可承受高达 100V 的瞬态电压。