原创 7N50-ASEMI光伏逆变器电路专用7N50

编辑：ll

7N50-ASEMI光伏逆变器电路专用7N50

型号：7N50

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

最大漏源电流：7A

漏源击穿电压：500V

RDS（ON）Max：0.85Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管、中低压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

在电力电子技术飞速发展的今天，设备对功率器件的需求已不再局限于“够用”，而是追求“更强、更快、更可靠”。‌7N50 MOSFET‌应势而生，以‌700V高压承载、超低损耗与智能温控设计‌，成为工业升级与新能源革命的“核心引擎”。无论是严苛的工业环境，还是追求极致能效的绿色能源系统，7N50都能以硬核性能，为工程师提供更优解。

作为N沟道功率MOSFET的革新之作，7N50在多项关键参数上实现突破：

‌超高耐压700V‌：从容应对电网波动、电机反峰等复杂工况，安全性提升30%。‌连续电流7A@100℃‌：高温环境下仍可稳定输出大电流，告别降额烦恼。

‌导通电阻低至0.6Ω‌：较上一代6N50降低33%，显著减少导通损耗，效率突破95%。

‌纳秒级开关速度‌：支持200kHz以上高频开关，为LLC谐振拓扑、数字电源设计铺平道路。

从智能电网到超充桩，从工业机器人到数据中心电源，7N50以“高耐压、低损耗、快响应”三位一体优势，重塑功率转换边界。

‌第五代沟槽栅极工艺‌
芯片密度提升50%，在相同封装下实现更低，同时优化栅极电荷，兼顾高频与低损耗。

‌智能温控封装‌
TO-220F/TO-247封装内置热敏反馈层，可实时监测结温并联动外部电路，避免过热损坏，寿命延长至10万小时以上。

‌抗雪崩能力升级‌
单脉冲雪崩能量达300mJ，轻松应对雷击、感性负载突变等极端场景，系统可靠性提升至工业级标准。‌

‌新能源领域‌

光伏逆变器MPPT电路：7N50的快速响应特性最大化提升光照波动下的能量捕获效率。

电动汽车OBC（车载充电机）：支持双向充放电，助力800V高压平台普及。

‌工业自动化‌

伺服驱动器与变频器：低损耗特性减少电机发热，提升产线连续作业稳定性。

5G基站电源：-40℃~150℃宽温工作范围，无惧户外极端气候。

‌消费电子‌

氮化镓快充适配器：搭配GaN器件实现95W以上高密度设计，体积缩小50%。

智能家居电源：待机功耗<10mW，满足全球能效法规要求。