一、使用射极跟随器的晶体管开关电路
1、如图所示,电路由两个不同的电源驱动。为了保证晶体管能工作于饱和与截止状态,必须保证Vcb>0。
2、R1用于在无信号时给基极一确定电平。因为若去除V1,则Q1始终截止。
3、晶体管的基极不需要限流电阻,负载端的电压总是约为V1-0.6V左右,且不随负载电阻大小变化而影响。
如果负载电阻较小,可提供较大的电流
1、如图T2刻度尺所示,通道A、B电压相差约为0.6V,即为Vbe的压降。这是不依赖于晶体管和加在晶体管上的电平。
2、注意V1的工作濒为1MHZ,输出波形仍比较标准。有部分的扰动可能是发生在晶体管工作状态切换时.与射极接地方式相比,明显在高频下仍能很好的工作,输出波形不会发生畸变。
2、基于PNP的射极跟随器型开关
1、与NPN管略为不同的是,在输入信号为0时,Q1导通。结点2的压降约为0.7V左右,近似恒定,而当输入信号为高电平时,晶体管截止,结点2电压即为5V。
2、注意,此时的负载电阻仍在射极端。
注意,开关源输出低电平时,开关电路输出约0.6V左右。
二、共射极型开关电路
在1KHZ下,输出端的波形与输入端返向,且相比射极跟随器,输出波形比较完整,只受Vce(stat)的影响,大约只稍大于0.1V
当增大频率至100KHZ时,输出波形出现了斜坡。受晶体管开关时间影响开始明显。
在基极电阻R1上并接一220pf电容。输出波形有很明显改善。在下降沿时在尖锋。属于放电???
电容量太小,放电不足,波形改善不大。需适当增加电容值。但过大呢???
200KHZ
总述:
1、在上述采用的晶体管开关电路中,实际并不考虑晶体管的型号。因为晶体管仅工作在开关状态,不严格要求输入输出参数,仅要求在一定范围内工作即可。一般情况下与晶体管的β等参数无要求。但是如果要求大电流,高频率,则必须考虑晶体管的选型。
2、与射极接地型相比,射极跟随器在高频情况下仍能较好的工作,并且电路设计要简单。不必考虑基极电流Ib的 影响。
3、特别要注意的是,这里所谓的开关,实际是指输入为方波时工作状态,电平的高低对应着开关。并不考虑晶体管的中间工作状态,实际电路中,晶体管在饱和、截止区快速切换,中间必然经过放大区,但由于时间短而可忽略。
三、应用晶体管控制数码管的开关
1、动态显示时,数码管瞬态电流设置约为静态时的2~3倍,以达到足够的显示亮度。
2、对于各段,电流约为20~30ma, 电流较大时不能用单片机驱动,直接用普通的三极管直接控制开关。
3、对于各公共端,电流约为100~200ma,此时晶体管的选型必须考虑功耗、Ic以及是否能够提供足够的放大倍数问题。
四、光藕开关应用
如图所示,由一发光二极管产生光源照射至晶体管的基极,非线性的将结点1侧的电流转换为结点5侧的电流
必须注意的是,基极并不是未用。如上图所示,在Ib的变化会在产生ic变化,数据手册在指明增益约为500,正如特性曲线所示。这样,ic的电流实际由if, ib共同影响,必须合理的设置Ib,如果过大,则晶体管侧总是处于饱和态,输出为高电平。因为可以认为基极确定了直流工作点。
如图所示,IF与IC的变化传输比近似为一直线,默认工作状态为IF=10MA.实际的IC仍会受Vce影响。
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2009年4月25日星期六
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