原创 硬件基础——MOS管的开关特性

2017-8-12 10:52 1680 0 1 分类: 模拟

1. MOSFET结构

MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)分为N沟道NMOS和P沟道PMOS。
下图为NMOS的结构图:

2. MOSFET符号

NMOS的符号图如下所示:

PMOS的符号如下图所示:


3. MOSFET的特性曲线

下面以NMOS为例,介绍MOSFET的特性曲线,下图为NMOS放大电路示意图:


在可变电阻区,负载电流iD随着UGS成非线性关系,同时受输出电压UD的影响;

在恒流区,负载电流iD随UGS的增加而增加,且不随输出电压UD的变化而变化;

在夹断区,负载电流iD基本为0。




4.MOSFET开关特性

当栅极G和源极S之间的电压VGS小于VGS(th)时,由于漏极D和源极S之间有一个反向PN结截止,所以漏极电压等于VGS
当栅极G和源极S之间的电压VGS大于2VGS(th)时,P型衬底的自由电子被吸引到两个N沟道之间,当浓度达到一定程度,两N沟道被连接起来,从而实现导通。此时VGS为地电平(实际电路中,漏极D与电源之间有负载)。

这样就可以通过控制VGS的高低,实现NMOS开关电路。


文章评论1条评论)

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curton 2019-4-5 16:08

好资源,学习了。
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