原创 电气EMC3．GB/T 14598.9-1995，辐射电磁场干扰试验

3．GB/T 14598.9-1995，辐射电磁场干扰试验

     对应的IEC标准是60255-22-3：1989《Radiated electromagnetic field disturbance tests》该标准也是等同采用。

①试验的模拟对象：射频电磁场干扰是人们最早考虑的电磁干扰，国际无线电干扰特别委员会CISPR最初就是研究干扰对广播接收效果的影响，但它的内容是研究各种设备所产生的无线电干扰特性的测量方法，以及对它们的限值。<?xml:namespace prefix = o ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:office" />

     真正地把射频电磁场干扰作为考核设备抗干扰能力，而写进国际性的电磁兼容标准系列，则要首推IEC TC65委员会（研究过程测量与控制装置的技术委员会）。及由它们出版的IEC801-3-1984，该标准的出现，主要是因为各种移动通讯工具的大量出现和广泛使用，因为使用人员与设备间的距离又特别近。因此，由移动电话所产生的辐射干扰就特别强，根据国外电气研究部门的测量，0.5W至12W的甚高频（VHF）和超高频（UHF）的移动电话，在工作时所产生的场强的统计平均值可表示为：

                                      式中：P为移动电话的额定功率W；

                                             d为移动电话与被干扰设备间的距离m。

    上式表明，当移动电话与设备很近时，由移动电话所产生的辐射电磁场的强度甚至可以达到几十V/m，从这里不难看出，移动电话对电子设备的干扰作用了。

②试验等级：

该标准把试验的场强分成若干等级，见表三。

表三 严酷等级

    注：表中所列场强是非调制信号的场强。

    1级：为低辐射环境，如设备距离当地广播/电视台<?xml:namespace prefix = st1 ns = "urn:schemas-microsoft-com:office:smarttags" />1km以外，及附近只有小功率的移动电话在使用。

    2级：为中等辐射环境，如在不近于1m的地方使用小功率移动电话（功率一般小于1W），这是典型的商业环境。

    3级：较为严酷的辐射环境，如在设备附近（1m以外）使用功率较大的（如功率大于2W）移动电话，或者附近有大功率广播发射机等，这是典型的工业环境。

    ×级：为一未定级，由专门的产品标准，或由用户与制造商来协商确定。

③标准的发展：

    第一版IEC801-3标准于1984年作为第一批IEC801标准与总论及静电放电两个分标准一起颁发。当时考虑的带宽是27～500MHz，而且是不调制的高频连续波。

    近年来，随着各种电子设备的大量使用，使原本已复杂的电磁环境愈加恶化了，因此，在1992年出版的IEC801-3修订稿，把试验频带从27～500MHz，扩展成80～1000MHz，而且为了模拟实际情况还要用1kHz的正弦波进行调制，调制深度为80%。

    下限频率由27MHz提高到80MHzz，主要是两方面的考虑。

    其一是吸波材料的尺寸；辐射电磁场干扰试验，通常是在电波暗室中进行，为减少反射，在屏蔽室的内部要内衬射频吸收材料。吸收材料通常由泡沫塑料（做成角锥型）揉进炭粉和石墨来构成的。角锥的长度与被吸收频率的波长有关，频率越低，则角锥长度愈长。通长应大于或等于最低吸收频率的1/4波长。27MHz时，角锥的长度应达到2.8m。由于吸波材料太长，既占空间，又易变形，将低频端改为80MHz后，吸波材料的长度可大大缩短。当然，若采用铁氧体与角锥组成的复合吸波材料，角锥的尺寸还可缩小。

    其二是在频率较低时，由于天线的增益较低，对天线的输入功率要求极高，如要满足测试距离3m，场强10V/m，80%调制，在30MHz时，功率放大器的输出功率需达3kw。这样，将使设备的价格变得使人几乎不能忍受。

现在，上述标准已被国际上普遍接受，已把它写进了基础性的电磁兼容试验标准IEC6100-4-3-1995。

IEC60255-22-3在2000年也根据IEC61000-4-3-1995进行了修订。

IEC60255-22-3-2000除上述变化外，在试验内容上还有一个重要变化，在89版的IEC255-22-3中，干扰过程中只考核被试产品是否误动，2000版的IEC60255-22-3中，除考核产品的误动外，还在五个规定的频点上考核被试产品是否能够正确的动作与复归。规定的频率点见表四

                       表四    频率点

辐射电磁场干扰的主要参数及基本试验方法（见GB/T7261-2000 25.3）