原创 三维互连集成CMOS IC

同Raytheon Vision Systems公司合作，硅焊接工艺开发者Ziptronix公司证明了其直接焊接互连（Direct Bond Interconnect，DBI）技术可以和多层CMOS IC工艺相兼容，该技术可以使硅和其他器件以三维方式焊接互连集成在一起，从而增加晶体管的信号通道密度，提高混合信号产品的功耗效率，同时，降低了成本。

Ziptronix的研发副总裁兼CTO Paul Enquist说：“同其他三维集成技术相比，我们的技术可以在室温下利用现有的操作设备，避免了带来额外的麻烦，这一点是该技术的特别优势。”

这一演示包括了一个0.5μm 5层金属CMOS器件和硅PIN检波器器件的三维集成，主要面向高性能成像应用，包括焦平面成像器和高性能传感器阵列等。

这种互连技术不仅在CMOS器件上实现了高密度垂直互连，还避免了体积折中——为了实现互连而牺牲体积——的做法。其互连间距可以控制在10μm以内，标准互连宽度为2μm，定位精度为1μm。对大多数原始器件，DBI互连性达100%；对于器件，有100多万个垂直互连。

Raytheon Vision Systems 的晶片，采用了Ziptronix公司的裸片到晶片DBI技术

DBI能以裸片到晶片或晶片到晶片的形式实现互连。其他三维IC集成技术在实现互连路线上会浪费大量面积，这一点会降低芯片本身价值，至少会破坏IC上芯片互连结构中的金属层 。

该技术目前接受授权，更多信息，请打电话给Ziptronix公司，电话：001-919-459-2400, Email：info@ziptronix.com，或访问网站：http://www.ziptronix.com。