原创 IRF3205 概述

2010-9-2 16:47 1586 7 7 分类: 工程师职场

 


IRF3205 概述

  IR的HEXFET功率场效应管IRF3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。IRF3205这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  TO-220封装的IRF3205普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和低成本的TO-220封装,使IRF3205得到业内的普遍认可。D2Pak封装的IRF3205适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率最高,导通阻抗最低。TO-262是IRF3205的通孔安装版,适合较低端的应用。


IRF3205 参数
IRF3205 基本参数
VDSS 55 V
ID @25℃ 98 A
RDS(on) Max 8.0 mΩ
IRF3205 其他特性
FET极性 N型沟道
Qg Typ 97.3 nC
IRF3205 封装与引脚
TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF3205 特性

  • 先进的工艺技术
  • 贴片安装(IRF3205S)
  • 低端通孔安装(IRF3205L)
  • 超低导通阻抗
  • 动态dv/dt率
  • 175℃工作温度
  • 快速转换速率
  • 无铅环保

深圳市威智普电子有限公司



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