原创 固体放电管在浪涌抑制电路的应用

2008-12-2 02:15 3502 4 4 分类: MCU/ 嵌入式

固体放电管


固体放电管是基于晶闸管原理和结构的一种两端负阻器件。可以吸收突波,抑制过高电压,达到保护易损组件的目的。该器件是在硅单晶片两面同时掺杂同种杂质而形成。简单的结构如图1所示。图中p区和n区连结在一起。选用不同的材料和工艺,可以做出各种不同电压和电流的放电管。  

图1 结构图

  固态放电管的工作原理和一个两端的可控硅相似,简述如下:
  从结构图可以看出,固态放电管两面的结构基本上是相同的。在使用中两个极都有加高电位的可能性。在分析工作原理时,假定A接高电位,K接低电位,该器件的特性曲线如图2所示,可以把导通与阻断的过程分为四个阶段。  

图2 V-I曲线

  1)阻断区:图2中的0到VBR段。
  此时器件所加电压低于击穿电压,J1正偏,J2为反偏,电流很小,J2起到了阻挡电流的作用。外加电压几乎都加在了J2上,由于漏电流很小,固态放电管电阻很大,故称为阻断区。
  2)雪崩区:VBR到VBO段
  所加电压从VBR逐渐增加到VBO时,J2的空间电荷区内的电场很强,区的宽度被拉得很宽,区内的载流子在足够强的电场作用下,产生了倍增效应,通过J2的载流子突然增加,电流也突然增大,这就是雪崩区。
  3)负阻区:VBO到A段
  当外加电压增加到大于VBO时由于雪崩效应而产生了大量的电子空穴对,此时这些载流子在电场的强烈的抽取作用下,进入N2区,大量的电子与空穴因不能很快复合而分别积累在N2区和P2区,因而使J2空间电荷区的电场减弱,降落在J2上的电压将下降,雪崩效应随之减弱,但外加电压并不变,这样加在其它结上的正偏压要增加,从而使通过J2的电流增大,于是,出现了电压不变而电流增加的负阻现象。
  4)导通区:A到B段
  雪崩效应,使J2空间电荷区越变越窄且由反偏变成了正偏,这样器件的阻抗变得很低,电流变得很大,于是器件由高阻的阻断状态,变成了低阻的导通状态,其伏安特性曲线类似于整流元件的正向特性。
  从上述原理中可以看出,当外加电压低于VBR时,漏电流很小,处于断开状态。不影响被保护组件的正常工作。当外加电压大于VBO时,放电管很快进入导通状态,压降很小,起到了保护作用。外加电压去掉后,电流很快就降到低于维持电流IH,放电管自然恢复,回到断开状态。
  综上所述,该器件的优点是导通电压小,几乎无热耗,可重复使用,能承受较大的冲击电流,响应快,使用安全、可靠,其性能优于其它瞬间过压保护元器件。
  固态放电管与其他瞬间过电压保护器件的比较见表1。

表1 固态放电管与其它瞬间过压保护器件性能比较

器件类别    固态放电管    气体放电管    TVS二极管
保护方式    负阻    负阻    箝位
原理    固态四层可控硅结构    气体电离导电    雪崩二极管
响应时间    <1ns    >1μs    >1ns
电容    50pF    1pF    50pF
最大瞬间电流(8/200)μs    3000A    20000A    50A
最大漏电流    1μA    1pA    20μA
重复使用可靠性    无限重复使用    可能蜕化    可能损坏
主要优点    精确导通,无限重复快速响应    瞬间电流最大    低电压使用,价廉
主要缺点    瞬间电流较小    响应时间缓慢    瞬间电流最小


注:固态放电管使用时注意事项
1)击穿电压必须大于被保护组件的最大工作电压
2)转折电压必须小于被保护组件所允许的瞬间峰值电压

PS:
固体放电管的特点是响应速度快(10~20ns级),吸收电流大、动作电压稳定、使用寿命长。其工作原理是:当外界干扰低于触发电压时,放电管处于截止状态;当干扰电压超出触发电压时,放电管工作在负阻区。此时电流极大,使干扰能量转移。随着干扰的减少,通过放电管的电流回落,当干扰电流低于维持电流时,放电管从低阻区回到高阻区,完成~次放电过程。

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