原创 XRAM测试

贴一个以前在论坛上写的 avr扩展ram稳定性的测试

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mcu使用：M64L,   锁存用的SN74AHC573。 
系统用UT62256CPC-70LL的dip封装芯片，
晶振：14.7556MHz 
编译器：GCC-AVR 

现在发现了一个问题（系统自带故障记录）： 
系统正常运行的时候，偶尔会出现读XRAM的数据错误，系统运行的时候对xram的数据进行校验。将算出的校验数据同里面存放的校验数据进行比较。发现不对。 
出现这样问题的电路板的现象： 
1、有的板子一直比较正常，有的经常能出现。 
   有问题的的板子，两三天下来，可能会出现个5、6次，时间不固定，也没有规律。 

2、当发现错误时，重新校验一边，还是能够发现错误。 

把XRAM换成HY62256B LLP-70的，运行了一天多，没发现，由于只有一片这个芯片，所以测试带有偶然性！ 
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现在重新编了一个测试软件，专门测试62256. 
测试包括： 
STEP1:  全部赋值0X55,再取出来同0XAA相与后存入，然后读取判断是否为0 
STEP2:  全部赋值0X55或者0XAA －－－－然后读取判断是否正确。   
前两步基本不会测出什么问题，有问题也基本是硬件短路或者虚焊引起。下面两步测试的时候比较容易出错 
STEP3:  这步比较麻烦，测试粘连性吧。 
        1、首先全部清零。 
       2、向第三个单元写0XFF,然后测试第1、2、4、5个单元的内容。 
        3、如果正常的话，清零第三个单元，测试第四个单元，这样一直往下测试。 

STEP4: 对这么多连续的外部单元，从外部的0x0000单元开始赋值，赋值为1，第二个单元为        2，即每个单元的值都不一样。 
      最后再从0地址单元开始读取判断。 

测试的结果发现： 
1、STEP1,STEP2  没报错过 
2、出错比较多的是 3、4步测试。 

把出错时的状态发出来发现：例如： 
待测单元为n，读两次，第一读出的值放到 tmp1中，第二次放到tmp2中 
有时发现，出现错误的时候，tmp2的值是个正常值。而tmp1的值就不正常。 

这是一次判断，当发现错误的时候，我再做一次读取判断，基本上就没错误了。 

发现错误是真对UT62256的， 
测试其他的UT62256时，也还是能发现错误。测试HY62256（仅有的一片）时，一次也没发现错误。 

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从测试的情况看来，ram中的数据应该没错，单片机的程序应该也没问题。问题是读的过程中，有时会读到非正常的数据。而该数据对应的单元实际数据应该是正确的。

我试过改为内部8m晶振，而且读写ram时加入等待周期。还是有出错的时候。

注：
1、外部ram全部分为－－>高地址存储器区；SRL2 SRL1 SRL0＝0 0 0；即 从 0x1100开始的一个整块 
2、连续进行测试，出错的率是几十次有一次吧。或者有时几率更小一些。