原创 学习:DS1230 不断更新中

DS1230是完全静态的非易挥发（NV）SRAM，有32768个字节，每个字8位，共262144位。每个NV SRAM 都有一个自备的锂电源和控制电路，可以持续监测Vcc是否在正常范围。一旦Vcc超出正常范围，锂电源自动接通，写保护无条件启动防止数据丢失。该 NV SRAM可以直接代替现有的32k x 8 SRAM，采用普通的字节宽度的28脚DIP标准封装。该DIP器件和28256 EEPROM管脚兼容，允许直接替换，同时增强了性能。DS1230的低外形模块封装是为表面贴应用而设计的。对于可以完成的写周期的数目没有限制，微处理器接口无需附加支持电路。

主要特点
1、在无外部电源情况下，数据至少可以保持10年
2、在失去电源时自动保护数据
3、直接替换32k x 8SRAM或EEPROM
4、写周期不限
5、低功耗CMOS
6、读写存取时间快达70ns
7、首次使用之前锂电源一直处于断开状态
8、工作范围：准VCC±10%（DS1230Y）
9、工作范围：可选VCC±5%（DS1230AB）
10、可选的工作温度范围-40℃ - +85℃，指定IND
11、JEDEC标准的28脚 DIP封装
12、电源帽模块封装
直接表面可贴模块
可替换的弹压式电池帽提供锂备用电池标准化的管脚适用于所有的非挥发SRAM产品
电源帽可用等边螺丝刀轻松拆下