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【哔哥哔特导读】8月24日，2024(第五届)中国电子热点解决方案创新峰会(华东站)以“数智新能源 提质新生态”为主题在苏州太湖万豪酒店(一楼太湖宴会厅)盛大启幕！ 在这万物互联、数智激荡的时代，每一项技术创新都可能成为撬动未来的支点。备受期待的 2024(第五届)中国电子热点解决方案创新峰会(华东站) 终于正式亮相，将于 8月24日 在美丽的历史名城苏州的太湖万豪酒店(一楼太湖宴会厅)盛大启幕！ 本届中国电子热点峰会以“数智新能源 提质新生态”为主题，旨在搭建一个高层次、宽领域、多维度的技术交流平台，打破信息壁垒，助力产业创新发展。 届时，我们将邀请近40位新能源产业链中的重磅大咖齐聚苏州太湖，形成以芯片、功率器件、保护元件和磁元件等新能源元器件供应商为核心的企业资深应用专家，及知名整机企业资深技术专家与高校学者等超强嘉宾阵容，与来自全国各地的逾千名行业代表就当下新能源行业痛点问题及解决之道深度分享创新方案，为华东地区新能源的技术创新搭建平台。目前，合肥工业大学、哈尔滨工业大学等高校教授及阳光电源、小鹏、锦浪科技等企业已确定参会。 ▏分设五大论坛，涵盖各大热点应用话题，深化专业交流，鼓励跨界合作，加速技术成果转化。 论坛一：光伏储能逆变器 涵盖话题：光伏逆变器、储能技术等。 论坛二：大功率数字电源 涵盖话题：服务器电源、大功率照明电源、汽车电源、通信电源等研发与技术管理。 论坛三：锂电BMS 涵盖话题：锂电BMS的关键技术;锂电BMS未来的发展趋势和应用前景;电池管理系统(BMS)以及电池组的设计和优化等。 论坛四：智能网联汽车电子 涵盖话题：智能互联网汽车感知与识别技术;通信与网络技术;导航与定位技术;车载娱乐与信息系统等。 论坛五：800V超充技术 涵盖话题：800V超充技术案例分析和商业应用;充电设施进行升级和改造;800V超充技术在电动汽车充电领域的应用前景等。 ▏覆盖15个议题方向，深度探讨电子行业及其相关领域的关键技术与市场趋势。 ▏精心策划五大会议亮点，提供全方位的行业洞见与实践交流。 1.聚焦热点市场，关注新能源 中国电子热点峰会紧跟热点市场，聚焦于新能源市场的脉搏，独树一帜的专注度与前瞻性，赢得了业界的广泛赞誉，人气、口碑不断攀升，已成功举办四届，成为新能源领域重要的交流平台。 2.探讨前沿话题，深度分享创新方案 中国电子热点峰会围绕整机工程师最关心的热点议题，从产业趋势到技术动态，从前沿学术研究到最新应用方案……深度聚焦新能源产业链无限创新可能，全方位探讨新能源相关领域的热点议题和技术难题。 3.超强嘉宾阵容，高价值演讲分享 中国电子热点峰会集结院校教授、头部元器件名企、整机/终端技术专家等十余位重磅嘉宾。顶级企业专家及学术大咖齐聚一堂，带来质量与实用价值极高的专家报告、案例分享！ 4.高校科研成果展，为研发赋能 中国电子热点峰会同期举办“高校新能源领域成果展”，汇聚20+国内顶尖高校团队的前沿研究成果，为参会观众提供了一站了解新能源领域最前沿的新技术、科研新成果的平台。 5.展品全面覆盖，一站了解新能源元器件 国际一线品牌+本土上市大企+专精特新+小巨人+单项冠军……数十家优质元器件企业参与展出，主动、被动器件齐聚，方便整机工程师一站了解新能源元器件新技术、新产品、新方案。 作为电子行业一年一度的盛事，中国电子热点峰会已连续四届成功举办，每一次都汇聚了业界的智慧之光，照亮了电子科技前行的道路。而今，第五届中国电子热点峰会首次移师华东，不仅是一次地域上的跨越，更是对华东地区蓬勃发展的电子产业生态的一次深度探索与赋能。 2024(第五届)中国电子热点解决方案创新峰会(华东站)集行业洞察、技术交流、产品展示、需求对接和政策解读等于一身，为电子行业注入强劲动力，创造丰富价值与机遇： 行业前瞻： 汇聚精英，分享市场趋势与技术进展，助参会者洞察未来，掌握行业一手动态。 技术交流： 提供与专家直接对话机会，探讨技术难题与创新方案，深化知识交流。 产品展示： 现场展出先进电子元件、集成电路及嵌入式系统，提供互动体验，加速市场认知。 需求对接： 促进行业内外合作对接，优化供应链，拓展市场，助力企业建立新业务联系。 中国电子热点峰会通过多维度活动，推动电子行业创新发展，促进技术转化与市场应用，是行业年度不可错过的盛会。当前，2024(第五届)中国电子热点解决方案创新峰会(华东站)正火热报名中，欢迎报名参会！进入哔哥哔特商务网，填写资料即可。 本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载

个人公众号:硬件之路学习笔记 一、基本概念 由于陶瓷电容（MLCC）的电解质不同，造成其部分类型有直流偏压特性，具体表现为，其实际容量随其被施加的直流电压的增加而减小，如下图所示，其变化率与其温度系数与标称容量有关。 图1 MLCC的直流偏压特性 二、那么哪些陶瓷电容会有直流偏置特性呢？ 高介电常数的MLCC，例如XR5、X6S、X7R等，会拥有直流偏置特性，同时其温度变化造成的容量误差也较大，而C0G作为温度补偿性MLCC，其不仅拥有极小的温度漂移系数，且其没有直流偏压特性。 三、电路设计中如何体现直流偏置特性？ 假设我们要给一个LDO加输出电容，LDO输出电压为5V，推荐输出电容容值为5uF，为保证耐压裕度，我们选择耐压10V村田MLCC（暂不考虑误差和温度系数），经过查 询，10uF，0805封装的某型号电容直流偏压特性如下图，其加5V直流电压时实际容值恰好在5uF，满足基本要求。 图2 0805封装,10V 额定耐压的MLCC 直流偏压 特性 曲线 那么如果我们无法查询所用电容的直流偏压特性曲线时该如何保证实际电容满足设计要求呢？答案是 增大封装 。 10uF 10V 1206封装的MLCC直流偏压特性如下图，其在施加5V直流电压时的实际容值为9.3uF，远高于0805封装的5uF。 图3 1206封装,10V 额定耐压的MLCC 直流偏压 特性 曲线 同样额定容量的条件下，封装越小，其耐压越小，相对的其直流偏压特性越强，即其实际容量随所施加实际电压而下降的斜率越大。 一般来说要获得良好的直流偏压特性，以10uF额定容值、X7R为例，额定耐压与推荐封装(英制)如下： 6.3V -- 0805、1206 10V -- 1206、1210 16V -- 1210 25V -- 1210、2220 50V -- 2220 10nF及以下容值的MLCC，由于实际使用中会留两倍以上的电压裕度，所以其直流偏压特性可以忽略不计，因此可以任意选取封装。针对容量更大的MLCC才需要考虑到直流偏压特性尽量选取更大封装。 点击阅读：电容系列文章

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