标签: 干涉仪

引言 在显示面板制造的 ARRAY 制程工艺中，光刻胶剥离是关键环节。铜布线在制程中广泛应用，但传统光刻胶剥离液易对铜产生腐蚀，影响器件性能。同时，光刻图形的精准测量对确保 ARRAY 制程工艺精度至关重要。本文将介绍用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀光刻胶剥离液，并探讨白光干涉仪在光刻图形测量中的应用。 用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀光刻胶剥离液 配方设计 低铜腐蚀光刻胶剥离液需兼顾光刻胶溶解能力与铜保护性能。其主要成分包括有机溶剂、碱性活性物质、铜缓蚀剂和表面活性剂。有机溶剂（如二甲基亚砜）可高效溶解光刻胶；碱性活性物质（如四甲基氢氧化铵）加速光刻胶分解；铜缓蚀剂（如苯并三氮唑及其衍生物）能在铜表面形成致密保护膜，抑制铜的腐蚀反应；表面活性剂可降低表面张力，增强剥离液对光刻胶的渗透能力 。 制备方法 在洁净的反应容器中，先加入定量的有机溶剂，开启搅拌装置。缓慢加入碱性活性物质，充分混合均匀。接着，依次添加铜缓蚀剂和表面活性剂，持续搅拌 40 - 60 分钟，确保各成分充分溶解且分散均匀。制备过程需严格控制温度在 25 - 35℃，防止因温度过高影响缓蚀剂等成分的性能。 低铜腐蚀光刻胶剥离液的应用 在 ARRAY 制程工艺中，该剥离液可有效去除光刻胶。以 TFT - LCD 面板制造为例，在铜布线光刻胶剥离过程中，低铜腐蚀光刻胶剥离液能快速溶解光刻胶，同时对铜布线的腐蚀速率极低，有效保障铜布线的完整性和导电性，避免因铜腐蚀导致的线路短路、断路等问题，提高显示面板的良品率和稳定性。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于白光干涉原理，通过比较参考光束与样品表面反射光束的光程差，将光强分布转化为样品表面高度信息，实现对光刻图形形貌的高精度测量。其测量精度可达纳米级，能够满足 ARRAY 制程工艺中微小光刻图形结构的检测需求。 测量过程 将 ARRAY 制程工艺后的待测光刻样品放置于白光干涉仪载物台上，利用仪器自带显微镜初步定位测量区域。精确调节干涉仪的光路参数，获取清晰的干涉条纹图像。通过专业软件对干涉图像进行处理，运用相位解包裹等算法，精确计算出光刻图形的深度、宽度、侧壁角度等关键参数，为 ARRAY 制程工艺的优化提供数据支持。 优势 白光干涉仪采用非接触式测量，避免了对光刻图形的物理损伤，适合 ARRAY 制程工艺中脆弱光刻结构的检测；测量速度快，可实现对光刻图形的快速批量检测，满足生产线上高效检测需求；其三维表面形貌可视化功能，能直观呈现光刻图形的质量状况，便于工程师及时发现并解决工艺问题 。 TopMap Micro View白光干涉3D轮廓仪 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题，实现一键智能聚焦扫描，亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术，Z向测量范围高达100mm，不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率，为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3）可搭载多普勒激光测振系统，实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm 2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描 3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现光刻图形凹槽深度和开口宽度测量。

引言 在半导体制造过程中，光刻胶剥离液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）虽在光刻胶剥离方面表现出色，但因其高含量使用带来的成本、环保等问题备受关注。同时，光刻图形的精准测量对工艺优化和产品质量控制至关重要。本文将探讨低含量 NMF 光刻胶剥离液及其制备方法，并介绍白光干涉仪在光刻图形测量中的应用。 低含量 NMF 光刻胶剥离液及制备方法 配方组成 低含量 NMF 光刻胶剥离液主要由低浓度 NMF、助溶剂、碱性物质、缓蚀剂和添加剂组成。助溶剂（如乙二醇单丁醚）可协同 NMF 增强对光刻胶的溶解能力，降低 NMF 使用量；碱性物质（如氢氧化钾）加速光刻胶分解；缓蚀剂（如有机膦酸盐）保护金属层免受腐蚀；添加剂（如消泡剂）改善剥离液使用性能 。 制备流程 首先，在反应容器中加入定量的助溶剂，在搅拌条件下缓慢加入 NMF，使其充分混合。接着，依次加入碱性物质、缓蚀剂和添加剂，持续搅拌 30 - 60 分钟，确保各成分均匀分散，形成稳定的低含量 NMF 光刻胶剥离液。制备过程需严格控制温度在 20 - 30℃，避免成分因高温发生化学反应影响性能。 低含量 NMF 光刻胶剥离液的应用 在集成电路制造中，低含量 NMF 光刻胶剥离液可有效去除光刻胶，同时降低对金属布线和半导体衬底的损伤。例如在先进的 7nm 制程芯片制造中，该剥离液能精准剥离光刻胶，减少对铜互连结构的腐蚀，保障芯片的电学性能和良率。在平板显示制造领域，用于去除玻璃基板上的光刻胶时，低含量 NMF 剥离液凭借良好的溶解性能和低腐蚀性，可避免对基板表面造成划痕和化学损伤，提升显示面板的质量和生产效率。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于白光干涉效应，通过分析参考光束与样品表面反射光束之间的光程差，将光强分布转化为高度信息，从而实现对光刻图形表面形貌的高精度测量，其测量精度可达纳米量级，能够满足微小光刻结构的检测需求。 测量过程 将待测光刻样品固定于白光干涉仪载物台上，利用显微镜初步定位测量区域。通过调节干涉仪的光路参数，获取清晰的干涉条纹图像。软件对干涉图像进行处理，通过相位解包裹等算法，精确计算出光刻图形的深度、宽度、粗糙度等参数，为光刻工艺的优化和质量控制提供数据依据。 优势 白光干涉仪采用非接触式测量，避免了对光刻图形的物理损伤；其测量速度快，可实现对光刻图形的快速批量检测；并且能够直观呈现三维表面形貌，便于工程师分析光刻图形的质量问题，从而及时调整光刻工艺参数 。 TopMap Micro View白光干涉3D轮廓仪 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题，实现一键智能聚焦扫描，亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术，Z向测量范围高达100mm，不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率，为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3）可搭载多普勒激光测振系统，实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm 2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描 3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现光刻图形凹槽深度和开口宽度测量。

引言 在半导体制造与微纳加工领域，光刻胶剥离是重要工序。传统剥离液常对金属层产生过度刻蚀，影响器件性能。同时，光刻图形的精确测量也是确保制造质量的关键。本文聚焦金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用，并介绍白光干涉仪在光刻图形测量中的作用。 金属低刻蚀的光刻胶剥离液 配方设计 金属低刻蚀光刻胶剥离液需平衡光刻胶溶解能力与金属保护性能。其核心成分包括有机溶剂、碱性物质和缓蚀剂。有机溶剂（如 N - 甲基吡咯烷酮）负责溶解光刻胶；碱性物质（如四甲基氢氧化铵）促进光刻胶分解；缓蚀剂（如苯并三氮唑衍生物）在金属表面形成保护膜，抑制刻蚀反应，减少金属层损伤。 性能优化 通过调整各成分比例与添加特殊添加剂来优化剥离液性能。例如，引入络合剂，与金属离子形成稳定络合物，阻止其参与刻蚀反应；添加表面活性剂，降低表面张力，增强剥离液对光刻胶的渗透能力，提高剥离效率，同时减少对金属的不良影响。 金属低刻蚀光刻胶剥离液的应用 在半导体芯片制造中，该剥离液适用于铜互连、铝栅极等工艺。以铜互连工艺为例，使用金属低刻蚀剥离液，可在去除光刻胶的同时，有效保护铜导线结构，避免因过度刻蚀导致的线路宽度变化、短路或断路问题，保障芯片电学性能稳定。在微机电系统（MEMS）制造中，针对复杂金属结构，该剥离液能精准剥离光刻胶，防止金属结构变形或损坏，确保 MEMS 器件的可靠性和功能性。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪利用白光干涉现象，通过测量参考光与样品表面反射光的光程差，获取样品表面形貌信息，可实现纳米级精度测量，适用于光刻图形的关键尺寸检测。 测量过程 将待测样品置于载物台，调节样品位置使其测量区域进入干涉仪视场。开启测量，软件自动采集干涉图样并处理数据，可精确获得光刻图形的深度、宽度、侧壁角度等参数，为光刻工艺优化提供数据支持。 优势 白光干涉仪采用非接触测量方式，避免对光刻图形的物理损伤；测量精度高，能满足先进制程对光刻图形高精度检测需求；具备快速测量能力，可实现实时在线检测，有效提高生产效率与质量管控水平。 TopMap Micro View白光干涉3D轮廓仪 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题，实现一键智能聚焦扫描，亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术，Z向测量范围高达100mm，不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率，为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3）可搭载多普勒激光测振系统，实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm 2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描 3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现光刻图形凹槽深度和开口宽度测量。

引言 在半导体制造领域，光刻胶剥离工艺是关键环节，但其可能对器件性能产生负面影响。同时，光刻图形的精确测量对于保证芯片制造质量至关重要。本文将探讨减少光刻胶剥离工艺影响的方法，并介绍白光干涉仪在光刻图形测量中的应用。 减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法 优化光刻胶材料选择 选择与半导体衬底兼容性良好的光刻胶材料，可增强光刻胶与衬底的粘附力，减少剥离时对衬底的损伤风险。例如，针对特定的硅基衬底，挑选经过验证、适配性高的光刻胶，能有效降低剥离难度，避免因光刻胶与衬底结合不佳导致的衬底表面损伤，进而减少对器件性能的不良影响。 改进光刻胶剥离工艺参数 精确控制光刻胶剥离过程中的温度、时间和化学试剂浓度等参数。高温虽能加速剥离反应，但可能损伤半导体衬底或使光刻胶碳化；时间不足会导致胶膜残留，过长则可能过度腐蚀衬底。以等离子体灰化工艺为例，通过精准调控等离子体功率、气体流量和处理时间，可在有效去除光刻胶的同时，最大程度减少对下层结构的蚀刻。 采用中间层保护技术 在光刻胶与半导体衬底间引入中间保护涂层，如底部抗反射涂层（BARC）。BARC 不仅能减少光刻过程中的驻波效应，防止光刻胶图案变形，还能隔离光刻胶与衬底，避免两者直接相互作用和不良反应，降低光刻胶剥离时对衬底的影响，保障器件性能。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于白光干涉原理，通过测量反射光与参考光间的光程差，精确获取待测表面高度信息，精度可达纳米级别，特别适合 1μm 以下光刻深度、凹槽深度和宽度等光刻图形的测量。 测量过程 将待测样品置于载物台上，调整其位置，确保测量区域位于干涉仪头视场范围内。开启测量后，软件自动生成干涉图样并输出测量数据。利用专业软件对数据处理，可提取光刻深度、凹槽深度和宽度等关键信息，还能借助软件分析工具进一步分析和可视化处理数据。 优势 白光干涉仪具有非接触式测量特性，避免传统接触式测量对光刻图形造成损伤和引入误差；具备纳米级高精度测量能力，契合微小光刻结构测量需求；测量速度快，可实现实时在线测量与监控；测量数据能通过软件可视化呈现，直观展示测量及分析结果。 TopMap Micro View白光干涉3D轮廓仪 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题，实现一键智能聚焦扫描，亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术，Z向测量范围高达100mm，不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率，为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3）可搭载多普勒激光测振系统，实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm 2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描 3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现光刻图形凹槽深度和开口宽度测量。

引言 在 TFT-LCD 显示屏制造工艺中，光刻胶剥离是关键工序之一，其效果直接影响显示屏的质量与性能。随着 TFT-LCD 技术向高分辨率、窄边框方向发展，对光刻胶剥离方法提出了更高要求。同时，精确测量光刻图形对于把控工艺精度、保障产品质量至关重要，白光干涉仪为此提供了可靠的技术支持。 TFT-LCD 显示屏光刻胶剥离方法 湿法剥离 湿法剥离是 TFT-LCD 显示屏光刻胶剥离的常用方法。该方法利用化学剥离液与光刻胶发生化学反应或溶解作用实现剥离。常用的剥离液包括有机溶剂型和碱性水溶液型。有机溶剂型剥离液如 N - 甲基吡咯烷酮（NMP），对光刻胶具有良好的溶解能力，能快速渗透光刻胶内部，破坏其分子结构。碱性水溶液型剥离液则通过碱性物质与光刻胶中的酸性基团发生中和反应，使光刻胶从基板上脱落。在实际操作中，将带有光刻胶的基板浸入剥离液槽中，通过超声辅助或机械搅拌，加速剥离过程，提高剥离效率 。但湿法剥离存在环境污染、剥离液残留等问题，需进行后续清洗处理。 干法剥离 干法剥离主要借助等离子体技术。在真空环境下，通过射频电源激发气体（如氧气、氟基气体等）产生等离子体。等离子体中的活性粒子与光刻胶发生物理轰击或化学反应，将光刻胶分解为挥发性气体排出。物理轰击依靠离子的动能破坏光刻胶分子，化学反应则使光刻胶成分氧化或氟化，转化为易挥发物质。干法剥离具有刻蚀选择性好、对基板损伤小、无污染残留等优势，尤其适用于对精度要求高的 TFT-LCD 制造工艺。然而，干法剥离设备成本高，且等离子体处理过程中可能产生的辐射和带电粒子，对基板和器件存在潜在损伤风险 。 组合剥离 为克服单一剥离方法的局限性，组合剥离法逐渐得到应用。该方法结合湿法和干法剥离的优点，先采用湿法剥离去除大部分光刻胶，降低光刻胶厚度，减少干法剥离的处理时间和对基板的损伤；再利用干法剥离进行精细处理，去除残留光刻胶和聚合物，提高剥离精度。组合剥离法在保证剥离效果的同时，降低了对基板和器件的损伤，提升了 TFT-LCD 显示屏的制造质量和生产效率 。 白光干涉仪在光刻图形测量中的应用 测量原理 白光干涉仪基于光的干涉特性，将白光光源发出的光经分光镜分为测量光和参考光。测量光照射到待测光刻图形表面反射回来，与参考光相遇产生干涉条纹。由于光刻图形不同位置的高度差异，导致反射光的光程差不同，进而形成不同的干涉条纹图案。通过分析干涉条纹的形状、间距和强度等信息，结合光程差与表面高度的对应关系，可精确计算出光刻图形的高度、深度、线宽等参数。 测量优势 白光干涉仪具有高精度、非接触式测量特点，测量精度可达纳米级别，能够精准捕捉光刻图形细微的尺寸变化。非接触测量避免了对脆弱光刻图形的物理损伤，保证样品完整性。同时，测量速度快，可实现实时在线检测，并通过专业软件对测量数据进行可视化处理，直观呈现光刻图形形貌特征，便于工艺优化和质量控制。 实际应用 在 TFT-LCD 显示屏光刻工艺中，白光干涉仪在光刻胶剥离前后均发挥重要作用。剥离前，可测量光刻胶的厚度、光刻图形的初始形貌，评估光刻工艺质量；剥离过程中，实时监测光刻图形的变化，判断剥离是否均匀、是否对图形造成损伤；剥离完成后，精确测量残留光刻胶的厚度、基板表面的粗糙度以及光刻图形的最终尺寸，为优化光刻胶剥离方法和工艺参数提供准确数据支持，确保 TFT-LCD 显示屏的制造精度和质量符合设计要求。 TopMap Micro View白光干涉3D轮廓仪 一款可以“实时”动态/静态 微纳级3D轮廓测量的白光干涉仪 1)一改传统白光干涉操作复杂的问题，实现一键智能聚焦扫描，亚纳米精度下实现卓越的重复性表现。 2)系统集成CST连续扫描技术，Z向测量范围高达100mm，不受物镜放大倍率的影响的高精度垂直分辨率，为复杂形貌测量提供全面解决方案。 3）可搭载多普勒激光测振系统，实现实现“动态”3D轮廓测量。 实际案例 1，优于1nm分辨率，轻松测量硅片表面粗糙度测量，Ra=0.7nm 2，毫米级视野，实现5nm-有机油膜厚度扫描 3，卓越的“高深宽比”测量能力，实现光刻图形凹槽深度和开口宽度测量。