标签: 晶振参数

在选购或者使用晶振时，我们经常会听到 频率准确度 和 频率稳定度 这两个概念。虽然两者都与晶振的频率变化相关，但它们的关注重点不同。 1. 频率准确度 频率准确度是指晶振的实际输出频率与其标称频率之间的偏差。通常用ppm来表示。数值越小，表示晶振的实际频率越接近理想值。对于要求精确计时或高精度通信的应用，频率准确度越高越好。如果误差过大，可能会导致数据同步错误、通信频率漂移，甚至系统故障。 1.1 影响准确度的因素 制造公差：即使是同一批次的晶振，也可能会有细微的加工误差。 初始调节误差：出厂校准时可能会有微小的误差。 温度变化：虽然25°C室温下的准确度较高，但温度变化会影响晶振频率。 电源电压变化：供电电压的波动可能会导致频率偏移。 1.2 规格书参数解读 假设8MHz的晶振， 调整频差 为±10ppm。这个晶振在25°C室温下，实际频率可能为： 8MHz±(10×10⁻⁶×8MHz) = 8MHz ± 80Hz 即7.999920MHz到8.000080 MHz 2. 频率稳定度 频率稳定度描述的是晶振的频率随时间、温度、电源电压、机械振动等因素变化的程度。它衡量的是在不同环境条件下，晶振频率的漂移情况。 2.1 影响的因素 温度变化：温度是影响频率稳定度的主要因素，不同晶振的温漂不同。 电源电压波动：电压变化会影响晶体的振荡频率。 老化：晶振的频率会随着时间逐渐变化，通常以“ppm/年”表示。 机械振动和冲击：外部振动或冲击可能导致晶振频率瞬时漂移。 2.2 规格书参数解读 假设10MHz的温补晶振(KT20)，当温度在-40~85°C之间变化时，它的频率最多偏离标称值±0.5ppm。这个晶振的频率变化为： 10MHz±(0.5×10⁻⁶× 10 MHz) = 10MHz ± 5 Hz 即9.999995 MHz到10.000005 MHz 凯擎小妹总结 频率准确度：出厂时的频率偏差，决定了初始的精确程度。 频率稳定度：随时间和环境变化的漂移，决定了长期使用的可靠性。 参数 频率准确度 频率稳定度 定义 出厂时的实际频率与标称值的偏差 频率随环境因素（温度、电压、时间等）变化的程度 单位 ppm、ppb、% ppm、ppb、Hz 影响因素 制造误差、初始校准、温度、电压 温度、电压、老化、机械振动 时间 相关 性 某一时刻的准确性 随时间或环境变化的稳定性 适用 场景 GPS、通信同步、测量仪器 高精度时钟、导航系统、实验室设备

负载电容是晶体振荡器电路设计中的一个关键参数。对晶振的频率特性和稳定性有直接影响。负载电容不是单个元件的电容，而是由晶振两端外接的电容以及电路中的寄生电容一起形成的总电容。 合适的负载电容是确保晶体振荡器稳定工作的关键步骤。不合适的负载电容可能导致以下问题： 1. 频率偏移 ：如果负载电容过大或过小，晶体的振荡频率可能会偏离其标称值，导致系统时钟不准确。 2. 启动问题： 不合适的负载电容可能导致振荡器难以启动，特别是在电源电压较低或温度变化较大的情况下。 3. 稳定性差： 负载电容不匹配可能导致振荡器的频率稳定性变差，影响系统的可靠性。 4. 功耗增加： 不合适的负载电容可能导致电路的功耗增加，影响电池供电设备的续航时间。 5. 信号完整性问题： 频率不稳定可能导致信号完整性问题，影响数据传输和处理的准确性。 负载电容是指晶体振荡器在其标称频率下稳定工作所需的电容值。它由外部电容和电路板的寄生电容共同决定。 1. 晶体规格书 : 无源晶振的规格书上可以找到负载电容值。以KOAN谐振器KX32为例，负载电容为8~32pF之间。 2. 估算寄生电容 :电路板上的寄生电容是不可避免的，主要来自PCB走线和焊盘的电容。一般寄生电容值在2~5pF之间。估算寄生电容是选择合适外部电容的关键步骤。如果寄生电容较低(如1-2pF)，通常选择较小的负载电容(如12.5 pF)可能更合适。较低的寄生电容意味着需要通过外部电容来补偿更多的负载电容，以达到总的CL。 以下是估算寄生电容的方法： 1） 大多数PCB设计软件有提取寄生参数的功能，可以估算焊盘和走线的寄生电容。 2） 使用电容表测量实际电路板上的电容值。将晶体移除并测量晶体安装位置两端的电容。 3 ） 根据类似电路设计的经验值进行估算，通常可以作为初步的参考。 3.计算外部电容 ：根据晶体的负载电容和寄生电容，计算外部电容C1、C2: 假设你选择的晶体的负载电容为18pF，估算的寄生电容为3pF，则需要两个30pF的外部电容。 4. 测试： 使用频率计或示波器检查振荡频率是否在预期范围内。如果测试结果不理想，可以通过调整外部电容值进行优化。在设计阶段，可以使用可调电容器进行微调，以找到最佳的负载电容值。

晶振是电子设备中用于产生稳定时钟信号的关键元件，其短期稳定度直接影响设备的精度和可靠性。短期稳定度是指晶振在短时间内(通常为几秒到几分钟)频率波动的程度。 环境因素 温度变化：石英晶体的物理尺寸和振荡频率会随温度变化而变化，导致频率漂移。温度变化会影响晶体的热膨胀系数，从而影响振荡频率。 机械振动和冲击：机械振动和冲击会引起晶体的机械应力变化，导致频率波动。这在移动设备或工业环境中尤为明显。振动可能导致晶体的物理形状发生变化，从而影响其振荡频率。 电气因素 电源噪声：电源噪声是由电源的不稳定性或其他设备的干扰产生的。通过电源线路传导到晶振电路中，影响晶振稳定的频率输出。 负载变化：负载电容的变化会导致振荡频率的偏移。负载变化可能由于电路中其他元件的变化或外部连接的变化引起。 技术参数的影响 晶片切割: 常用的AT切割晶体在常用温度范围内具有较好的温度稳定性。不同的切割角度会导致不同的频率温度系数，从而影响短期稳定度。 等效串联电阻: ESR表示晶体在谐振频率下的电阻值。较高的ESR可能导致振荡器启动困难，并增加相位噪声，从而影响短期稳定度。 负载电容: 负载电容是指晶振在电路中工作的电容值。负载电容的变化会影响振荡频率的稳定性。设计时需要确保负载电容与晶振的标称值匹配，以减少频率偏移。 驱动电平: 驱动电平是指施加到晶振上的电压或电流。过高或过低的驱动电平都会影响晶振的稳定性。适当的驱动电平可以确保晶振在最佳状态下工作，减少频率波动。 相位噪声: 相位噪声是指振荡信号在频域中的噪声特性。低相位噪声意味着更好的短期稳定度。相位噪声受电路设计、电子元件选择和电源质量的影响。 提高短期稳定的方法 优化电路设计：使用低噪声电源和高质量元件减少电气干扰。 恒温和抗振动环境：采用恒温和抗振动环境来减少外界环境对晶振的影响。 高品质晶体：确保其切割和材料的精密性。 TCXO/OCXO：温度补偿晶振或KOAN恒温晶振，有效减小温度变化对频率的影响。

在频率相同的情况下，不同尺寸的晶振替换是可行的。凯擎小妹建议您全面考虑各项技术参数和应用要求，以确保替换后的系统可以稳定可靠的运行。 晶振利用石英晶体的 压电效应 来产生振荡信号。当施加电压时，石英晶体会发生机械变形，反之亦然。 这种特性使得石英晶体能够在特定频率下产生稳定的振荡信号。晶振的频率由其物理尺寸和切割方式决定，因此在选择和替换晶振时，频率匹配是首要考虑的因素。此外，晶振的尺寸和体积也可能影响其在电路中的性能和适用性。 尺寸对晶振性能的影响 1. 机械强度和稳定性：较大尺寸的晶振可能在某些情况下具有更好的机械强度和抗振动性能，但这主要取决于设计、材料和封装。此外，较大的晶振可能在温度变化时频率漂移较小。 2. 电气特性：晶振的尺寸也会影响其电气特性，如等效电阻ESR、负载电容和驱动电流。较小的晶振可能具有较高的等效电阻，这可能会影响振荡器的启动时间和功耗。电路设计中需要考虑负载电容的匹配，以确保振荡器的稳定工作。 3. 安装： 不同尺寸的晶振通常采用不同的封装形式，这会影响其在电路板上的安装方式。较小的晶振通常采用表面贴装技术，而较大的晶振可能需要通孔安装。 替换步骤 1. 核对参数： 仔细对比频率规格、检查负载电容要求、确认工作温度范围、验证电气特性参数 2. 安装评估： 测量PCB可用空间、确认焊接工艺可行性、检查引脚匹配情况 3. 测试晶振： 进行频率准确度测试、检查起振可靠性、验证温度特性、进行EMC测试 4. 可靠性评估： 老化测试、温度循环测试、振动测试

在谐振器(无源晶振)S&A250B测试软件中，DLD1到DLD7主要用于分析晶体在 不同驱动功率下的阻抗变化 。此外，还有其他DLD参数用于 反映晶振的磁滞现象，以及其频率和功率特性 。这些参数可以帮助工程师全面了解KOAN晶振在不同功率条件下的动态特性，从而优化其应用和性能。 磁滞现象 晶振的磁滞现象(Hysteresis)是指在驱动功率变化时，晶体的阻抗或频率无法立即恢复至初始状态，而表现出 滞后效应 。 1. DLDH： Hysteresis Ratio (MaxR/MinR) 在不同驱动功率下，晶体的最大阻抗与最小阻抗的比值。比值越大，说明阻抗变化幅度越大，晶振在功率变化中的非线性程度更高。DLDH用于量化功率变化过程中磁滞现象的相对程度。 2. DLDH2： Hysteresis Difference (MaxR - MinR) 在不同驱动功率下，晶体最大阻抗和最小阻抗的绝对差值。直观反映阻抗变化的幅度。DLDH2帮助分析晶振的功率响应范围和非线性行为。 3. DLDH2P： Power Level of Max Hysteresis (MaxR - MinR) 晶振在磁滞扫描中，最大阻抗与最小阻抗差值达到最大值时的驱动功率。确定晶振在特定功率范围内的性能瓶颈或非线性峰值。DLDH2P帮助优化驱动的条件，避免晶振工作在影响性能的功率范围内。 阻抗变化分析 阻抗变化是晶振性能的关键指标，直接关系到其与电路的匹配程度及振荡的稳定性。 1. DLDHP： Power of Worst Impedance Ratio (Rmax/Rmin) 最大阻抗与最小阻抗的比值达到最差值时的驱动功率。表征晶振在极端条件下的阻抗变化。DLDHP用于评估晶振在最恶劣功率条件下的可靠性和稳定性。 频率与功率特性 频率和功率参数用于评估激励功率对晶振性能的具体影响，并对测试设备和设计进行校准。 1. DLDF： Frequency at a Specific DLD Step 在特定驱动功率下，晶体的振荡频率。反映驱动功率对振荡频率的微小影响，检测频率稳定性。DLDF用于分析KOAN晶振是否满足高精度应用的要求。 2. DLDFP： Power Output at a Specific DLD Step 某一特定功率点的实际功率输出。检测是否存在功率耗散或驱动功率偏差。校准测试设备，确保测试条件的准确性和一致性。 3. DLDR： Resistance at a Specific DLD Step 特定功率下的晶振等效阻抗。评估激励功率对阻抗的影响，观察阻抗随功率变化的趋势。改善电路与晶振的阻抗匹配，确保振荡器稳定起振。