标签: 充电机DCDC总成

SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。

SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。

SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适用于高温、高频、大功率等应用场合。