标签: 防反接电路

防反接电路就像是给电源插头加了个安全锁。想象一下，你家里的电器要是电源插反了，轻则不能用，重则可能直接烧坏。所以，工程师们就想出了用二极管或者一些特殊的IC芯片来确保，即使用户不小心把电源线接反了，电路也不会受损，电器照样能用。 防倒灌电路呢，它有点像交通路口的红绿灯。在一个系统中，如果有多个电源同时工作，有时候一个电源的电压可能会高于另一个，这时候如果不加控制，电流就会从高压往低压流，这就叫“倒灌”。倒灌不仅会浪费电能，还可能损坏设备。因此，工程师们会设计一些电路，比如用二极管来阻止这种不必要的电流流动，确保每个电源都能在自己的车道上安全行驶。 过流保护就更容易理解了，它就像是电路的保险丝。当电路里的电流太大，超过了它能承受的范围，过流保护就会启动，可能是通过熔断保险丝，或者让某个电子元件自动断开电路，这样就能避免因为电流过大而引发的火灾或者其他安全事故。 最后说说ESD保护，也就是防静电。我们生活中到处都可能遇到静电，比如穿脱衣服时的“啪啪”声，就是静电在作祟。虽然对人体没什么大碍，但对于电子设备来说，静电可就危险了。一个小小的静电放电，就可能把电路板上的敏感元件给毁了。所以，工程师们会在电子设备的设计中加入ESD保护措施，比如在接口处加装防静电材料，或者设计一些能吸收静电的电路，确保设备在面对静电时能安然无恙。 总的来说，这些电路保护措施，都是为了让我们的电子设备更安全、更可靠。毕竟，谁也不希望自己新买的手机或者电脑，因为一点小意外就报废了吧？所以啊，下次看到这些专业术语，别忘了它们背后可是有着大学问呢！

本系列的上、下两篇文章探讨了防反保护电路的设计。 上篇 介绍了各种脉冲干扰以及在汽车电子产品中设计防反保护电路的必要性，同时回顾了 PMOS 方案保护电路的特性；本文为下篇，将讨论使用 NMOS 和升降压驱动 IC 实现的防反保护电路。 NMOS 设计具有 NMOS 和 驱动IC 的防反保护电路时，NMOS 需放置在高边，驱动IC也从高边取电，这里将产生一个大于输入电压 (VIN) 的内部电压，给 NMOS 提供 (VGS)驱动供电。 根据驱动电源产生的原理，驱动IC可以采用 电荷泵 方案或升降压（Buck-Boost）方案。具体描述如下： ● 电荷泵防反保护方案: 电荷泵方案具有较低的总体BOM 需求，从而可降低成本。该方案非常适合小电流应用，例如汽车 USB 供电设备 (PD) 大功率充电模块。 ● 升降压防反保护方案: 升降压方案提供强大的驱动能力和出色的EMC 性能。该方案非常适合大电流和高性能环境，例如汽车域控制器和音响系统。 图 1 显示了电荷泵方案与升降压方案的特性。 图 1：电荷泵方案与升降压（Buck-Boost）方案 驱动IC的工作原理 图2显示了具有电荷泵拓扑的NMOS驱动简化工作原理图。 图 2：电荷泵拓扑的工作原理图 CLK周期描述如下： 1. S1和S2导通 2. C0 由内部对地电压源充电 3. S3和S4导通 4. C1 由 C0 上的电压充电 C0 是具有快速充电和放电速度的小 电容 ，而 C1 则是具有大负载能力的大电容。因此，通过S1和S2（以及S3和S4）的频繁切换， C0 上的电荷可以不断传输给 C1，而 C1 的负端连接至电池电压 (VBA TT )。最终，NMOS由一个大于 VBATT 的电压驱动。 图 3 显示了具有升降压拓扑的 NMOS 驱动简化工作原理图。 图 3：升降压拓扑的工作原理图 在升降压拓扑中， 功率MOSFET 放在低边。当 S_BAT 导通时， VIN 对电感充电，电感电压为负；当S_BAT关断时，电感将通过二极管释放能量，电感电压为正，并为 C1充电。当 C1 上的电压超过 VBATT 时，NMOS栅极将被驱动。 升降压驱动 IC 的优势 在防反保护驱动 IC 中采用升降压驱动 IC 有两个明显优势：增强驱动电流能力并提高 EMC 性能。 驱动电流能力 升降压拓扑可以提供更大的驱动电流能力和更快的输入干扰响应能力。例如，输入叠加100kHz，峰峰值2V条件下进行实测。测量结果如图 4所示，其中包含输入防反保护 MOSFET 的源极电压（粉色）、通过防反保护 MOSFET 的漏极电压（浅蓝色）、MOSFET 驱动 VGS （红色）和负载电流（绿色）。 图 4：升降压拓扑的测量波形（叠加交流纹波脉冲 = 100kHz，峰-峰值 = 2V） 波形显示出，驱动IC实时监测了NMOS的漏极与源极。在测试条件下，输入电压 （VIN） 与源极电压 (VS)一致，而系统电压则与漏极电压 (VD)一致。 如果 VS 低于 VD，则 VIN 低于系统电压，MOSFET 驱动关断，体二极管提供防反保护功能防止电容电流回流；如果 VS 超过 VD，则 VIN 超过系统电压，MOSFET 驱动导通，可避免体二极管导通影响效率。 如果采用电荷泵型防反驱动，由于其驱动电流能力不强，在输入电压快速波动时，容易产生门极驱动脉冲丢失或者常开的异常现象。 我们对电荷泵防反保护电路进行测量。测量结果如图 5所示，其中包括防反保护 MOSFET 的输入源极电压（黄色）、输出漏极电压（红色）、驱动 VGS（绿色）和负载电流（蓝色）。 图 5：电荷泵拓扑的测量波形 当栅极驱动脉冲丢失时，MOSFET不会被驱动。与此同时，体二极管导通将导致大量热损耗。而且在导通时，将产生较大的充电电流尖峰。 当栅极驱动脉冲常开的时间内，MOSFET 通常也会导通。与此同时，电解电容会反复充放电，从而导致发热严重。 提升EMC 性能 升降压拓扑还可以提升 EMC 性能。电荷泵虽然没有电感，但它是一种容性开关电源，由于效率低需要极高的工作频率。通常情况下，集成电容小（在 pF 范围内）而外部电容大（在 µF 范围内）。因此，电荷泵的开关频率 (fSW) 常超过 10MHz，这种高频率将导致 EMI 问题。 采用升降压驱动 IC 可提高效率。通过采用固定峰值电流控制，较小负载对应较低的 fSW。因此，升降压拓扑可提升 EMC 性能（参见图 6）。 图 6：升降压拓扑的恒定峰值电流 MPQ5850-AEC1简介 MPQ5850-AEC1 是一款智能二极管控制芯片，它可以替代 肖特基二极管 ，驱动外部 NMOS实现反向输入保护。该器件采用 TSOT23-8 封装，非常适合汽车冷启动条件。 图 7 对电荷泵拓扑与采用升降压拓扑的MPQ5850-AEC1进行了EMC 性能比较。左边的电荷泵拓扑可能会存在潜在的EMC 问题，而右边的MPQ5850-AEC1 方案能完美通过国标等级５测试。 图7：电荷泵拓扑与MPQ5850-AEC1的比较 结语 采用最佳的防反保护电路设计对通过各种脉冲干扰测试标准非常重要。与传统的 PMOS电路相比，NMOS 电路提高了驱动电流能力和 EMC 性能。 MPS 的 MPQ5850-AEC1 可提供反向输入保护功能并满足EMC标准。欲了解更多详情，请浏览MPS行业 领先 的 负载开关 和控制器相关页面，这些产品均以紧凑的封装提供了易于使用且安全的解决方案。 找元器件现货上唯样商城。

汽车电源系统常在极为恶劣的环境下运行，数以百计的负载挂在汽车电池上，需要同时确定负载状态的汽车电池可能面临极大的挑战。当负载处于不同工作条件和潜在故障状态时，设计人员需要考虑电源线产生的各种脉冲可能带来的影响。 本系列的上、下两篇文章将探讨如何设计防反保护电路。本文为上篇，我们将介绍汽车电源线上的各种脉冲干扰，然后讨论防反保护电路的常见类型，并重点关注 PMOS电路； 下篇 将讨论使用 NMOS和 驱动器 IC 实现的防反保护电路设计。 脉冲干扰 图 1 显示了不同应用场景下电源线上可能出现的各种脉冲类型。例如，当大功率负载突然关闭， 电池 电压可能产生过冲；当大功率负载突然启动，电池电压将会跌落。当感应线束突然松动，负载上将产生负电压脉冲。而发 电机 运行时，交流纹波会叠加在电池上。还有使用跳线时， 备用电池 可能使用错误，从而导致极性反接，此时电池电压极性长时间反接。 图1: 不同应用场景下的脉冲类型 为解决汽车电源线上可能存在的各种脉冲干扰，行业协会和主要汽车制造商已经制定了相关的测试标准来模拟电源线的瞬态脉冲。这些标准包括 ISO 7637-2 和 ISO 16750-2，以及梅赛德斯-奔驰和大众汽车的测试标准。防反保护电路作为最前端的电路，也必须满足行业测试标准。 防反保护电路 防反保护电路包括三种基本类型，如下所述。 串联 肖特基二极管 这种电路通常用于 2A 至 3A 之间的小电流应用，其电路简单且成本低，但功耗较大。 在高边串联PMOS 对于电流超过 3A 的应用，可以将PMOS放置在高边。这种驱动电路相对简单，但缺点是PMOS成本较高。 当电源正接时，PMOS沟道导通，管压降小，损耗和温升低。 当电源反接时，PMOS沟道关断，寄生体二极管实现防反保护功能。 在低边串联NMOS 这种电路需要在低边放置一个 NMOS。简化的栅极驱动电路通常会采用高性价比的 NMOS。该电路的功能类似于放置在高边的 PMOS。但是，这种防反保护结构意味着电源地和负载地是分开的，这种结构在汽车电子产品设计中很少使用。 图 2 对这几种防反保护电路进行了总结。 图 2：防反保护电路的类型 本文将重点介绍PMOS防反保护电路。 PMOS 大多数传统的防反保护电路均采用PMOS，其栅极接 电阻 到地。如果输入端连接正向电压，则电流通过 PMOS 的体二极管流向负载端。如果正向电压超过 PMOS的电压阈值，则通道导通。这降低了 PMOS 的漏源电压 (VDS)，从而降低了功耗。栅极与源极之间通常会连接一个电压调节器，以防止栅源电压 (VGS) 出现过压情况，同时还可以保护 PMOS在输入功率波动时不会被击穿。 但基本的 PMOS 防反保护电路也有两个缺点：系统待机电流大和存在反灌电流。下面将对此进行详述。 系统待机电流较大 当PMOS用于防反保护电路时， VGS 和保护电路（由齐纳二极管和限流电阻组成）周围会存在漏电流。因此，限流电阻 (R) 会对整体待机功耗产生影响。 限流电阻的取值不应太大。一方面，普通稳压管的正常钳位电流基本为mA级，如果限流电阻过大，齐纳二极管不能可靠导通，钳位性能会明显降低，从而导致 VGS 出现过压风险。另一方面，限流电阻太大意味着PMOS 驱动电流较小，这会导致较慢的开/关过程。如果输入电压(VIN) 发生波动，PMOS可能会长时间工作在线性区域（在该区域的 MOSFET 未完全导通），由此产生的高电阻会导致器件过热。 图 3 显示了传统 PMOS 防反保护电路中的待机电流。 图 3：传统 PMOS 防反保护电路中的待机电流 存在反灌电流 在进行 ISO 16750 输入电压跌落测试时，PMOS 在 VIN 跌降时保持开路。在这种情况下，系统 电容 电压会使电源极性反转，从而导致系统电源故障并触发中断功能。而在叠加交流电输入电压测试中，由于 PMOS 完全开路，将导致电流回流。这会迫使电解电容反复充电和放电，最终导致过热。 图 4 显示了输入电压的跌落测试。 图 4：输入电压跌落测试 找元器件现货上唯样商城